Атом - донор
Cтраница 2
Мезомерный эффект выражает перенос заряда от металла к атому донора и, согласно Чатту, характерен для я-компоненты связи. Перенос заряда ( или степень смещения электронной плотности) имеет для различных лигандов различную величину, так что лиганды обладают широким диапазоном проявления мезомерного эффекта. [16]
В кристалле примесных полупроводников все атомы примесей ионизированы: атомы доноров заряжены положительно, атомы акцепторов - отрицательно. Основные носители зарядов в тг-по-лупроводниках - электроны, в - полупроводниках - дырки. Однако технологический процесс получения примесных полупроводников не идеален: при изготовлении вместе с нужными примесями случайно вносится некоторое количество загрязняющих примесей иного рода. [17]
N-В полярна; на степень полярности оказывают влияние относительные электроотрицательности атомов донора и акцептора, но всегда существует некоторая полярность вследствие более высокого эффективного заряда ядра атома донора. [18]
Это характерно для фосфора: происходит обогащение поверхностного слоя я-типа атомами доноров и повышается проводимость. Для бора, наоборот, растворимость в SiO2 больше, чем в кремнии, и растущий диоксид поглощает примесь. В результате поверхностный слой р-типа обедняется акцепторами и его проводимость снижается. [19]
При увеличении температуры можно достичь такого состояния, при котором все атомы доноров ионизованы, а собственная проводимость еще очень мала; в этой области при увеличении температуры проводимость полупроводника уменьшается за счет увеличения рассеяния на колебаниях решетки, как это имеет место в металлах. Примерный ход кривых зависимости электропроводности от температуры для примесных полупроводников показан на фиг. Кривая А на фиг. [20]
Если к содержащим атомы акцептора германию или кремнию добавляется определенное количество атомов донора и при этом не происходит ассоциации, то рассеяние носителей тока увеличивается, и их подвижности уменьшаются. Однако при образовании ассоциатов доноры удаляют рассеивающие акцепторы, вызывая увеличение подвижности. [22]
При донорных уровнях вблизи зоны электронной проводимости она обогащается электронами за счет атомов донора. Эти электроны обеспечивают хорошую электронную проводимость полупроводника. В то же время дырочная проводимость будет практически отсутствовать. [23]
 |
Распределение концентраций примесей и диффузии электронов и дырок в электронном полупроводнике.| Схема образования объемного заряда при диффузии. [24] |
В некоторый начальный условный момент, когда распределение электронов в точности соответствует распределению атомов доноров, кристалл является электрически нейтральным в каждом элементарном объеме. Это определяется электрической нейтральностью каждого атома в отдельности. [25]
Электронодонорные свойства атома-донора обусловлены его электронной плотностью, которая помимо собственной электронной конфигурации зависит от поляризуемости атома донора и атомов, непосредственно с ним связанных. Для атомов кислорода, азота и серы поляризуемость изменяется в ряду ONS. Это определяет влияние всей молекулы лиганда на электронодонорные свойства атома-донора и прежде всего присутствие в молекуле нуклеофильных или электрофильных заместителей, увеличивающих или уменьшающих электронную плотность на атоме-доноре вследствие индуктивного эффекта; большую роль играет стереохимия лигандной группы в целом и возможность образования хелатных структур. [26]
Важной особенностью донорно-акценторной связи является то, что при ее образования всегда увеличивается положительный заряд на атоме донора и отрицательный - на атоме акцептора. Поэтому образование ковалентной связи по такому механизму возможно только в случае ковалентной полярной связи. [27]
Кроме доказательства наличия координации, изменения в ИК-спектре донорной молекулы частот могут указать на то, какой атом донора участвует в координационной связи. В CH3CON ( CH3) 2 и в ( CH3) 2SO координация через кислород уменьшает электронную плотность на кислороде, понижая порядок связи и уменьшая силовую постоянную и частоту валентных колебаний. [28]
Это происходит вследствие того, что при наличии до-норных уровней вблизи зоны проводимости она обогащается электронами за счет атомов донора. Атом донора, отдав лишний электрон, становится положительным ионом. Расположение акцепторных уровней вблизи занятой зоны ведет к тому, что из занятой зоны переходит электрон на уровень акцепторной зоны. Эти электроны превращают атомы акцептора в отрицательные ионы, а на месте электрона в заполненной зоне образуется дырка. [29]
Но в области III, где [ Ам1 становится пренебрежимо малой по сравнению с концентрацией центров, создаваемых атомами донора, концентрации дефектов изменяются так же, как и в системе без акцептора. [30]
Страницы: 1 2 3 4