Cтраница 3
Явления, возникающие при добавлении в полупроводник донорных или акцепторных примесей, можно объяснить, предполагая, что каждый атом донора ( или акцептора) приводит к появлению локального энергетического уровня в запрещенной зоне чуть ниже дна зоны проводимости ( или чуть выше потолка валентной зоны), с которого электрон ( или дырка) легко возбуждается при термической ионизации. [31]
Явления, возникающие при добавлении в полупроводник донорных или акцепторных примесей, можно объяснить, предполагая, что каждый атом донора ( или акцептора) приводит к появлению локального энергетического уровня в запрещенной зоне чуть ниже дна зоны проводимости ( или чуть выше потолка валентной зоны), с которого электрон ( или дырка) легко возбуждается при термической ионизации. [32]
Следует отметить также, что при присоединении ацетоуксусного эфира, ме-тилацетоуксусного эфира или этилового эфира циануксусной кислоты к диэтиловому эфиру цитраконовой кислоты и-водород-ный атом донора присоединяется к неметилированной стороне непредельного эфира [336], в то время как при присоединении малонового эфира к непредельному эфиру водород присоединяется по метилированной стороне. К диэтиловому эфиру меза-коновой кислоты малоновый эфир присоединяется в том же направлении. Эта реакция является единственным примером использования этого транс-соединения в качестве акцептора [337] в конденсации Михаэля. [33]
Очень возможно, что вероятность образования соединения, а не комплекса при взаимодействии галогена с n - донором повышается с возрастанием легкости окисления атома донора и легкости восстановления акцептора. [34]
Окислы хлора, брома и иода. [35] |
В других кристаллических соединениях, таких, как ( CH3) 3NI2 и ( СН3) 2СО12, один атом галогена связан с атомом донора, а второй атом находится на некотором расстоянии от него, как в N - X-X. У многих соединений, содержащих в качестве доноров атомы О и N, имеется значительное сходство во взаимодействии с образованием водородных связей. [36]
Следует отмстить также, что при прж-пединснии ацетоуксусного эфира, ме-тилацетоуксусного эфира или этилового эфира циануксусной кислоты к диэтиловому эфиру цитраконоБОИ кислоты к-водород - НЫЙ атом донора присоединяется к неметилиропшшой стороне непредельного эфира ЗЗй ], в то время как при присоединении малонового эфира к непредельному эфиру водород присосди-ршется но метилированной стороне. К диэтиловому эфиру мсза-коповой кислоты малоновый эфир присоединяется в том же направлении. Эта реакция является единственным примером использования этого транс-соединения в качестве акцептора [337] в конденсации Михаэля. [37]
N-В полярна; на степень полярности оказывают влияние относительные электроотрицательности атомов донора и акцептора, но всегда существует некоторая полярность вследствие более высокого эффективного заряда ядра атома донора. [38]
Образование двух р-п переходов при помощи одновременной. [39] |
В таком транзисторе на основной материал ( например, им может быть кристалл Ge р-типа, в дальнейшем он будет служить коллектором) при достаточно высоких температурах одновременно напыляются атомы донора и акцептора ( например, атомы As и В; для кремния - атомы Р и А1), которые постепенно диффундируют в полупроводник. [40]
Аналогично для ионизированных доноров имеем: N % pd, где pd - концентрация дырок, занимающих донорные состояния, так как формально переход электронов с донорных уровней в зону проводимости при ионизации атомов доноров эквивалентен переходу дырок из зоны проводимости на донорный уровень. [41]
Так как и электроны, и дырки представляют собой свободные подвижные заряды, то их концентрация не может изменяться скачком от Пп до пр ( или от рр до р), как это имеет место для жестко связанных с кристаллической решеткой полупроводника атомов доноров и акцепторов. [42]
Квантово-механическийанализ трехатомной модели X - Н - - Z без я-электронов, выполненный Н. Д. Соколовым [244], показывает, что природа водородной связи в таких системах в основном определяется донорно-акцепторным взаимодействием; в этом случае учитывается использование s - орбиты атома водорода и неподеленной электронной пары атома донора. [43]
Различные производные борана типа Н2ВХ или HRBX, где X NH2 -, NHR -, NRa - и SR-группы, существуют в виде димеров, тримеров или тетрамеров, представляющих собой своеобразный тип циклических координационных соединений, в которых ассоциация осуществляется за счет полукоординационных связей между атомами бора и атомами донора электронов. [44]
Образующиеся атомы кремния перемещаются ( мигрируют) по поверхности, занимая положения в узлах кристаллической решетки, из-за чего растущая пленка продолжает кристаллическую структуру подложки. Атомы доноров ( Р) или акцепторов ( В) образуются также в результате химических реакций. Из-за высокой температуры процесса примеси диффундируют из. Это затрудняет создание резких переходов и тонких ( менее 0 5 мкм) эпитаксиальных пленок. [45]