Атом - донор
Cтраница 4
Это происходит вследствие того, что при наличии до-норных уровней вблизи зоны проводимости она обогащается электронами за счет атомов донора. Атом донора, отдав лишний электрон, становится положительным ионом. Расположение акцепторных уровней вблизи занятой зоны ведет к тому, что из занятой зоны переходит электрон на уровень акцепторной зоны. Эти электроны превращают атомы акцептора в отрицательные ионы, а на месте электрона в заполненной зоне образуется дырка. [46]
Полупроводники с преобладанием электронной электропроводности называют электронными полупроводниками или полупроводниками п-типа. Энергетические уровни атомов донора расположены лишь немного ниже зоны проводимости основного полупроводника. Поэтому из каждого атома донора один электрон легко переходит в зону проводимости, и таким образом в этой зоне появляется дополнительное число электронов, равное числу атомов донора. В самих атомах донора при этом дырки не образуются. [48]
 |
Диаграмма энергетических зон для гетерогенного перехода. [49] |
С другой стороны, выращивание слоев одного полупроводника на пластинах другого осуществляется при относительно высоких температурах. При этих температурах атомы доноров и акцепторов обладают довольно большой подвижностью и могут диффундировать из одного полупроводника в другой, изменяя начальный тип электропроводности и образуя в нем гомогенные переходы. [50]
 |
Схема переходов электронов и дырок при взаимодействии ловушек захвата и рекомбинацион-ных ловушек с зонами энергии. [51] |
Таким образом, дефекты с энергией Е, могут быть ловушками захвата электронов и дырок. Роль ловушек захвата могут играть атомы доноров и акцепторов. Характерной особенностью ловушек захвата является то, что они в основном взаимодействуют только с одной зоной - зоной проводимости или валентной зоной. Для того чтобы дефект привел к рекомбинации пары свободных носителей заряда, он должен взаимодействовать с обеими зонами. [52]
 |
Схема переходов электронов и дырок при взаимодействии ловушек захвата и рекомбичационных ловушек с зонами энергии. [53] |
Таким образом, дефекты с энергией Et могут быть ловушками захвата электронов и дырок. Роль ловушек захвата могут играть атомы доноров и акцепторов. Характерной особенностью ловушек захвата является то, что они в основном взаимодействуют только с одной зоной - зоной проводимости или валентной зоной. [54]
Вне области пространственного заряда полупроводник нейтрален. Если в п-области имеются только атомы доноров с концентрацией ND, а в р-ебласти телько атомы акцепторов с концентрацией NA, и в роп, а р0р п0р, то можно считать, что Nо поп, & NA РОР. [55]
Страницы: 1 2 3 4