Атом - индий
Cтраница 1
Атомы индия вкрапляются в германий; проникновение это облегчается тепловым движением. [1]
 |
Структурный фактор. - - - - - - Т1. - - - - - - - - А1. [2] |
Атомы индия при конденсации паров обобществляют три внешних 5525 / 51-электрона. [3]
Атомом индия замещен один атом германия. При этом оказываются заполненными электронные связи лишь трех соседних атомов, а связь с одним из четырех атомов германия будет. [4]
Все атомы индия находятся в тетраэдрических пустотах этой упаковки, связанной шестерной винтовой осью. Расстояние In-Se составляет 2 41 А и практически равно сумме тетраэдрических ковалентных радиусов ( 2 49 А) элементов, что соответствует преобладанию ковалентной связи в 6 - In2Se3 и отражается на величине электросопротивления этой формы. В-Модификация существует при температурах в интервале 200 - 650 С. [5]
Каждый атом индия имеет 4 3 7 валентных электронов, внешняя оболочка не заполнена, так как одного электрона недостает. [6]
У атома индия ( рис. 7, а) не хватает одного электрона для обэазования парноэлек-тронных связей с соседними атомами кремния, в результате чего в кристаллической решетке появляется незаполненная связь, которая не несет зар яда, и атом индия, и смежный с ним атом кремния являются электрически нейтральными. При небольшом тепловом возбуждении электрон одной из соседних заполненных ковалентных связей может перейти в незаполненную связь примеси. Во внешней оболочке индия появляется лишний электрон; атом индия теряет свою электрическую нейтральность и становится отрицательным ионом. [7]
При этом атом индия образует три парные связи с помощью принадлежащих этому атому трех валентных электронов. Недостающий четвертый электрон, необходимый для образования четвертой парной связи, атом индия отбирает у одного из соседних атомов германия. В том месте атома германия, из которого отобран валентный электрон, образуется положительный заряд, называемый дыркой. [8]
У каждого атома индия не хватает одного электрона для образования парноэлектронной связи с одним из соседних атомов германия. Таким образом, в результате внедрения атомов примеси в акцепторном полупроводнике появляется столько дырок, сколько атомов примеси внедрено в кристалл. [9]
При этом каждый атом индия отбирает один электрон от ближайшего атома германия и образует также четыре валентные связи в решетке ( фиг. [10]
При этом часть атомов индия диффундирует в соприкасающийся с ним слой германия, насыщая его атомами-акцепторами и превращая германий в дырочный. [11]
Так как внешняя оболочка атома индия содержит только три электрона, то валентный электрон соседнего атома германия не может быть связан. [12]
 |
Замещение в узле кристаллической решетки атома германия атомом индия.| Энергетическая диаграмма полупроводникового кристалла с дырочной электропроводностью. / - зона проводимости. [13] |
Три электрона внешней оболочки атома индия вступают в ковалентную связь с тремя соседними атомами кремния. При этом каждый электрон движется вместе с электроном соседнего атома по орбите, охватывающей два соседних ядра. [14]
При замещении атома германия атомом индия, имеющим три валентных электрона, они вступят в ковалентную связь с тремя атомами германия, а связи с четвертым атомом германия будут отсутствовать, так как у индия нет четвертого электрона. Восстановление всех связей возможно, если недостающий четвертый электрон будет получен от ближайшего атома германия. Но в этом случае на месте электрона, покинувшего атом германия, ПОЯВИТСЯ дырка, которая может быть заполнена электроном из соседнего атома германия. [15]
Страницы: 1 2 3 4 5