Атом - индий
Cтраница 4
Эта связь принадлежит к той микрообласти кристалла, в которой находится атом индия. Для того, чтобы ее переместить в любую другую область кристалла, необходимо затратить небольшую энергию, называемую в данном случае энергией активации акцепторных примесей - Д.акц. В результате произведенного перемещения в валентной зоне германия образуется дырка, а вблизи атома индия появляется избыточный электрон. [46]
Структура сходна со структурой вюрцита и отличается тем, что у In2Se3 атомы индия занимают тетраэдрические пустоты так, что один их слой остается полностью свободным. [47]
При легировании кристалла германия примесью элементов III группы ( например, индия) атомы индия замещают в узлах кристаллической решетки атомы германия. [48]
В процессе термической обработки таблетка и прилегающий к ней слой пластинки расплавляются и атомы индия проникают в расплавленный германий. [50]
В процессе термической обработки таблетка и прилегающий к ней слой пластинки расплавляются и атомы индия проникают в расплавленный германий. [52]
Возвращаясь к нашим рассуждениям о поведении трехвалентных примесей, мы видим, что атом индия забирает один лишний электрон. Дырки рассматриваются как истинные носители тока и это позволяет объяснить целый ряд наблюдаемых в полупроводниках явлений. [53]
Если в кристалле кремния часть атомов замещена атомами трехвалентного элемента, например индия, то атом индия может осуществлять связь только с тремя соседними атомами, а связь с четвертым атомом осуществляется лишь одним электроном. При этих условиях атом индия захватывает электрон у одного из соседних атомов кремния и становится отрицательным ионом. Захват электрона от одного из атомов кремния приводит к возникновению дырки. [54]
Во время этой операции, которая осуществляется в вакууме или в атмосфере инертного газа, атомы индия диффундируют в германий на некоторую глубину. В той области, в которую проникают атомы индия, проводимость германия становится дырочной. На границе этой области возникает р-п-переход. Существуют и другие способы получения р-п-переходов. [55]
Для изготовления транзистора из монокристалла германия о электронной проводимостью в него с двух противоположных сторон вводится примесь атомов индия. [56]
Рассмотрим идеализированный р - га-переход в Ge: слева от плоскости х О концентрация акцепторов ( например, атомов индия) постоянна и равна пА, справа от х 0 имеется постоянная концентрация доноров ( например, атомов сурьмы), равная по. Подвижные дырки будут диффундировать из левой / 7-области в правую re - область; наоборот, электроны проводимости будут переходить сквозь плоскость х 0 справа налево. В результате слева от х 0 образуется диффузный слой отрицательного заряда, справа от х 0 - слой положительного заряда. Образовавшийся двойной слой создает скачок потенциала, препятствующий дальнейшему переходу дырок слева направо и электронов справа налево. [57]
Лосев и Молодое [367, 387] считают, что первый, а, возможно, и второй электроны отщепляются от атомов индия в обратимых условиях, а в последующей медленной электрохимической стадии участвует, соответственно, два или один электрон. [58]
Добавление к германию атомов элемента с тремя электронами на внешней орбите - - индия - приводит к тому, что атом индия срывает недостающий ему для равновесия с другими атомами в кристаллической решетке германия электрон соседнего атома, на месте которого остается незаполненная связь - дырка. [59]
 |
Электронные энергетические уровни собственных дефектов в ZnO. [60] |
Страницы: 1 2 3 4 5