Атом - индий
Cтраница 2
При замещении атома германия атомом индия, имеющим три валентных электрона, они вступят в ковалентную связь с тремя атомами германия, а связи с четвертым атомом германия будут отсутствовать, так как у индия нет четвертого электрона. Восстановление всех связей возможно, если недостающий четвертый электрон будет получен от ближайшего атома германия. Но в этом случае на месте электрона, покинувшего атом германия, появится дырка, которая может быть заполнена электроном из соседнего атома германия. Процесс последовательного заполнения свободной связи эквивалентен движению дырок в полупроводнике. Таким образом, примесь индия повышает дырочную проводимость кристалла германия. [16]
При замещении атома германия атомом индия, имеющим три валентных электрона, они вступят в ковалентную связь с тремя атомами германия, а связи с четвертым атомом германия будут отсутствовать, так как у индия кет четвертого электрона. Восстановление всех связей возможно, если недостающий четвертый электрон будет получен от ближайшего атома германия. Но в этом случае на месте электрона в атоме германия появится дырка, которая может быть заполнена электроном из соседнего атома германия. Процесс последовательного заполнения свободной связи эквивалентен движению дырок в полупроводнике. Таким образом, примесь индия повышает дырочную проводимость кристалла германия. [17]
 |
Полупроводник с искаженной решеткой. [18] |
Если заменить атом германия атомом индия, имеющим только три электрона, то в валентном соединении образуется дырка. Она связана с местом дефекта решетки лишь незначительно и поэтому может быть легко оторвана и начнет двигаться через кристалл. [19]
 |
Схема образопа-ния электрона проводимости при введении до-норной примеси.| Схема образования дырки проводимости при введении акцепторной примеси. [20] |
Недостающа - л валентная связь атома индия является потенциальной дыркой. Недостающий валентный электрон может быть захвачен атомом индия у соседнего атома германия. [21]
 |
Плоскостной диод. [22] |
В результате проникновения в германий атомов индия область германия, расположенная около индия, приобретает дырочную проводимость. [23]
 |
Схема селенового выпрямителя.| Схема германиевого выпрямителя. [24] |
Во время наплавления при высокой температуре атомы индия проникают в германий и создают на границе соединения германия с индием поверхностный запирающий слой 3, который обладает односторонней проводи-р. Выпрямление тока происходит в точке соприкосновения контактной пружины 4 с германиевым диском. [25]
При более высокой температуре происходит перераспределение атомов индия с образованием собственно решетки шпинели. В обоих соединениях имеется, следовательно, плотнейшая упаковка атомов S, в пустотах которой располагаются атомы металла. Ga распределяется в тетраэдрических пустотах; для In они слишком малы. Поэтому он в основном располагается в более крупных октаэдрических пустотах. [26]
При более высокой температуре происходит перераспределение атомов индия с образованием собственно решетки шпинели. В обоих соединениях имеется, следовательно, плотнейшая упаковка атомов S, в пустотах которой располагаются атомы металла. Ga распределяется в тетраэдрических пустотах; для In они слишком малы. Поэтому он в основном располагается в более крупных октаэдрических пустотах. [27]
При более высокой температуре происходит перераспределение атомов индия с образованием собственно решетки шпинели. В обоих соединениях имеется, следовательно, плотнейшая упаковка атомов S, в пустотах которой располагаются атомы металла. Ga распределяется в тетраэдричееких пустотах; для In они слишком малы. Поэтому он в основном располагается в более крупных октаэдрических пустотах. [28]
Переход электрона из овалентной связи к атому индия требует значительно меньше энергии, чем через запрещенную зону AW, поэтому введение атома индия в решетку кремния приводит к появлению уровня акцептора Wa вблизи от потолка валентной зоны, который при очень низких температурах остается свободным. При небольшом повышении температуры один из валентных электронов покидает валентную зону и занимает уровень примеси ( рис. 21, б), оставляя после себя в валентной зоне свободный уровень - дырку. Энергия AWaWa-Ws, которую необходимо сообщить валентному электрону для перевода его на примесный уровень, называют также энергией активизации примеси. Электроны валентной зоны переходят на уровень примеси даже при низких температурах, образуя в валентной зоне большое количество дырок. [29]
 |
Механизм дырочной примесной проводимости полупроводника ( а и энергетическая диаграмма этой проводимости ( б. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5