Атом - акцепторная примесь
Cтраница 1
Атомы акцепторных примесей, присоединяя электроны, превращаются в неподвижные отрицательные ионы. [1]
 |
Точечный высокочастотный диод. [2] |
При электроформовке атомы акцепторной примеси вследствие разогрева приконтактной области и возникновения сильных электрических полей диффундируют в полупроводник. При этом образуется сильно легированная р-область. [3]
Наоборот, присутствие атомов акцепторной примеси сопровождается появлением подвижных дырок, причем р - zz Na. В условиях термодинамического равновесия число генерируемых электронов равно числу рекомбинирующих. [4]
Здесь jVa - концентрация атомов акцепторной примеси в низколегированной р-области; срк - диффузионный, или контактный, потенциал; U - напряжение, приложенное к р-п-переходу. [5]
Поскольку в диапазоне комнатных температур все атомы акцепторной примеси ионизированы ( приняли дополнительный электрон), концентрация основных носителей в указанном рабочем диапазоне температур не зависит от температуры. [6]
Если же один из атомов германия заменить атомом акцепторной примеси, например трехвалентным индием In ( рис. 211, б), то в силу структуры решетки германия атом индия захватит еще один электрон из заполненной зоны и превратится в отрицательный ион, а в заполненной зоне появится дырка. [7]
 |
Температурная зависимость удельной объемной проводимости кремния с различными типами электропроводности. а - кремний л-типа. б - кремний р-типа. [8] |
Подвижность дырок Цр проявляет зависимость как от концентрации атомов акцепторной примеси, так и от температуры. Те же самые выводы справедливы также для кремния я-типа. Рассмотрим более подробно кремний р-типа, который чаще всего используют для формирования диффузионных резисторов. [9]
 |
Температурная зависимость удельной объемной проводи. [10] |
Подвижность дырок Цр проявляет зависимость как от концентрации атомов акцепторной примеси, так и от температуры. Те же самые выводы справедливы для кремния - типа. Рассмотрим более подробно кремний р-типа, который чаще всего используют для формирования диффузионных резисторов. [11]
Каждый атом донорной примеси может отдать один электрон, каждый атом акцепторной примеси - принять один электрон. Чем больше, например, атомов донорной примеси находится в объеме данного полупроводника, тем выше концентрация электронов, хотя существование их не связано с одновременным наличием такого же количества дырок. [12]
В кристалле кремния р-типа на каждые 108 атомов кремния приходится один атом акцепторной примеси. [13]
В энергетической диаграмме рис. 1.14, в показаны четыре локальных энергетических уровня четырех атомов акцепторной примеси, присоединивших к себе электроны из валентной зоны уровней. [14]
Электронно-дырочный переход данных вентилей получается путем сплавления пластинки германия электропроводности л-типа с индием или диффузией атомов другой акцепторной примеси в исходный кристалл. При вплавле-нии атомы индия диффундируют в германий, придавая прилегающей области кристалла дырочную электропроводность. К каждому слою германия припаиваются металлические контакты ( рис. 4 а), к которым присоединяются внешние выводы. Вентильный элемент помещается в герметичный металлический корпус с изолятором для наружного вывода анодь, которым является слой германия с электропроводностью р-типа. [15]
Страницы: 1 2 3 4