Атом - акцепторная примесь
Cтраница 2
Электронно-дырочный переход данных вентилей получается путем сплавления пластинки германия электропроводности п - типа с индием или диффузией атомов другой акцепторной примеси в исходный кристалл. При вплав-лении атомы индия диффундируют в германий, придавая прилегающей области кристалла дырочную электропроводность. [16]
 |
Структура транзистора типа р-п - р ( а и п-р - п ( б. [17] |
В структуре р - п - р в два наружных слоя исходного монокристалла n - типа проводимости вводят атомы акцепторной примеси; в структуре типа п - р - п в наружные слои исходного монокристалла р-типа проводимости вводят донорную примесь большой концентрации. Оба типа транзисторов имеют разную полярность питающих напряжений. База является промежуточным слоем и служит для изменения величины тока, проходящего через транзистор. [18]
Имеется сплавной германиевый р-и-переход с Мя - 103Л а, причем на каждые 10s атомов германия приходится один атом акцепторной примеси. [19]
Поскольку у каждого атома германия в решетке четыре электрона, связывающих его с соседями, следует считать, что на атоме акцепторной примеси имеется дырка. [20]
В сплавных диодах ( рис. 8.1, б) р-п переход получают вплавлением в кристалл полупроводника электронной проводимости кусочка сплава, содержащего атомы акцепторной примеси. Так, при создании кремниевых сплавных импульсных диодов в кристалл кремния вплавляется конец тонкой алюминиевой проволочки. После охлаждения в месте спая образуется очень тонкий слой кремния, обогащенного алюминием и имеющего то же направление кристаллографических осей, что и исходный монокристалл. Этот слой называют рекристаллизованным. Граница между исходным монокристаллом электронной проводимости и сильно легированным р-слоем представляет собой р-п переход. [21]
В примесном полупроводнике с дырочной электропроводностью основными носителями зарядов являются дырки, образующиеся при переходе валентных электронов из атомов основного вещества в атомы акцепторной примеси, а неосновными носителями зарядов - электроны, переходящие из валентной зоны в зону проводимости в процессе термогенерации. [22]
В сплавных диодах ( рис. 5.6, б) р - n - переход получают вплав-лением в кристалл полупроводника электронной проводимости кусочка сплава, содержащего атомы акцепторной примеси. При создании кремниевых сплавных импульсных диодов в кристалл кремния вплавляется конец тонкой алюминиевой проволочки. После охлаждения в месте спая образуется очень тонкий слой кремния, обогащенный алюминием. [23]
Любое изменение положения уровня Ферми вызывает изменение концентрации заряженных вакансий; при введении в кристалл атомов донорной примеси концентрация заряженных вакансий возрастает; при введении атомов акцепторной примеси она понижается. Общая концентрация вакансии в первом случае растет, а во втором - падает. Поэтому можно ожидать, что при одинаковой энергии активации скорость диффузии доноров должна быть больше скорости диффузии акцепторов. Это действительно имеет место в германии. Однако в кремнии акцепторы диффундируют быстрее доноров. Объяснения этого различия пока не существует. [24]
 |
Устройство р - л-переходов точечных ( а, сплавных ( б, сварных ( в, диффузионных меза-диодов ( г и планарных ( д. [25] |
В сплавных диодах ( рис. 11 - 23, б) р - - переход получают вплавлением в кристалл полупроводника электронной проводимости кусочка сплава, содержащего атомы акцепторной примеси. Граница между исходным монокристаллом и сильно легированным р-слоем представляет собой р - - переход. Обычно такой метод используется при изготовлении кремниевых импульсных диодов. [26]
В результате нанесения на поверхность пластинки германия типа п индия образуется сплав, который представляет уже полупроводник типа /, ввиду того что в нем теперь присутствуют атомы акцепторной примеси. [27]
 |
Погрешности, вносимые при изготовлении диффузионных резисторов. [28] |
Поэтому изменение удельного сопротивления связано только с зависимостью лр JLP ( Т), которая при малых концентрациях примесных атомов определяется рассеянием основных дырок на тепловых колебаниях атомов кристаллической решетки. При более высоких концентрациях атомов акцепторной примеси существенным становится их влияние на подвижность дырок. В области температур, для которой справедливо условие Pi ж Na, знак температурного коэффициента сопротивления резистора может измениться на отрицательный. R с дальнейшим повышением температуры всегда остается отрицательным. [29]
 |
Структурные схемы германиевого ( а и кремниевого ( б вентилей и конструктивный разрез кремниевого вентиля ( в. [30] |
Страницы: 1 2 3 4