Атом - акцепторная примесь - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 4
Человеку любой эпохи интересно: "А сколько Иуда получил на наши деньги?" Законы Мерфи (еще...)

Атом - акцепторная примесь

Cтраница 4


Термин ударная ионизация, или низкотемп-рный пробой, применяется и к другому явлению: к ионизации примесей ( доноров и акцепторов) за счет энергии носителей, приобретенной в элек-трич. При достаточно низкой темп-ре в Ge и Si почти все атомы донорной примеси удерживают свои электроны, а атомы акцепторной примеси, наоборот, почти все лишены 4-го электрона - примесная проводимость вымерзает, ПП превращается в изолятор. Вследствие этого число носителей начинает возрастать, возрастает и проводимость ПП.  [46]

47 Процесс образования равновесного состояния р - n - перехода. а - энергетические схемы п - и р - полупроводников, б - равновесное состояние р-п перехода. [47]

Полупроводник с р-проводимостью имеет работу выхода Ар и уровнем Ферми рр. Выравнивание потенциалов в контакте происходит путем диффузии электронов из п-полупроводника в р-полупроводник и дырок из р-полупроводника в п-полупроводник. В результате в граничном слое n - полупроводника, потерявшего часть электронов, образуется положительный заряд ионизированных до-норных атомов, а в граничном слое р-полупроводника образуется отрицательный заряд неподвижных атомов акцепторной примеси. При одинаковой концентрации доноров и акцепторов толщины слоев DI и Z.  [48]

Для высокоомного кремния при Na - pi коэффициент 1KR является положительным в диапазоне рабочих температур полупроводниковой ИМС. Это объясняется тем, что в указанных пределах изменения температуры и концентрации почти все атомы примеси ионизированы. Поэтому изменение удельного сопротивления связано только с зависимостью ip - ip ( Т), которая при малых концентрациях примеси определяется рассеянием основных дырок на тепловых колебаниях атомов кристаллической решетки. При более высоких концентрациях атомов акцепторной примеси существенным становится их влияние на подвижность дырок. В области температур, для которой справедливо условие pi Na, знак температурного коэффициента сопротивления может изменяться на отрицательный.  [49]

При практическом применении полупроводников наибольшее значение имеет примесная проводимость, которая определяется примесями других веществ. Примеси бывают двух видов - донорные и акцепторные. Донорные примеси создают дополнительные разрешенные уровни энергии вблизи верхней границы запрещенной зоны; атомы таких примесей отдают электроны в зону проводимости и тем самым обеспечивают примесную электронную проводимость. Акцепторные примеси создают дополнительные уровни вблизи нижней границы запрещенной зоны; атомы акцепторных примесей принимают на свои уровни электроны из валентной зоны и тем самым обеспечивают примесную дырочную проводимость.  [50]

При практическом применении полупроводников наибольшее значение имеет примесная проводимость, которая определяется примесями других веществ. Примеси бывают двух видов - донорные и акцепторные. Дснорные примеси создают дополнительные разрешенные уровни энергии вблизи верхней границы запрещенной зоны; атомы таких примесей отдают электроны в зону проводимости и, таким образом, обеспечивают примесную электронную проводимость. Акцепторные примеси создают дополнительные уровни вблизи нижней границы запрещенной зоны; атомы акцепторных примесей принимают на свои уровни электроны из валентной зоны и тем самым обеспечивают примесную дырочную проводимость.  [51]

При практическом применении полупроводников наибольшее значение имеет примесная проводимость, которая определяется примесями других веществ. Примеси бывают двух видов - донор-ные и акцепторные. Донорные примеси создают дополнительные разрешенные уровни энергии вблизи верхней границы запрещенной зоны; атомы таких примесей отдают электроны в зону проводимости и тем самым обеспечивают примесную электронную проводимость. Акцепторные примеси создают дополнительные уровни вблизи нижней границы запрещенной зоны; атомы акцепторных примесей принимают на свои уровни электроны из валентной зоны и тем самым обеспечивают примесную дырочную проводимость.  [52]

Окисел, частично оставшийся на поверхности подложки, играет роль своеобразного барьера, через который практически не диффундируют атомы примесей, поскольку их коэффициент диффузии в Si02 ничтожно мал по сравнению с коэффициентом диффузии в кремнии. Схематически процесс изолирующей диффузии иллюстрируется рис. 2.8. Этот процесс, который, как правило, проводят в два этапа, выбирают так, чтобы атомы акцепторной примеси продиффундирокали через эпитаксиальный - слой до поверхности исходной подложки р-типа. В результате образуется структура, показанная на рис. 2.9, а. Сформированные подобным образом области создают островки кремния - типа, окруженные областями р-типа. Следовательно, островки кремния ге-типа оказываются погруженными в кремний р-типа. Эти диоды выполняют роль изоляции, поскольку ток от одного островка кремния к другому не может протекать в любом направлении. Поэтому все островки кремния - типа являются электрически изолированными друг от друга.  [53]

Большинство р-п переходов создают методом диффузии легирующей примеси в полупроводник. Допустим, что в поверхность полупроводникового кристалла n - типа электропроводимости с концентрацией доноров ND проведена диффузия акцепторной примеси, концентрация которой NA ( x) уменьшается по мере удаления от поверхности полупроводника, как показано на рис. 1.14, а. Если поверхностная концентрация акцепторов NAOND, то в некотором сечении Xj кривые пересекаются. Левее этого сечения концентрация акцепторов превышает концентрацию доноров, и полупроводник имеет электропроводность / 7-типа, а правее Xj - электропроводность п-типа. В сечении Xi электроны атомов донорной примеси заполняют ( компенсируют) ненасыщенные связи равного числа атомов акцепторной примеси, и полупроводник имеет собственную проводимость. Таким образом получается р-п переход с плавным распределением примеси, или плавный р-п переход. Следует отметить, что отрицательные значения концентрации примеси лишены физического смысла ( концентрация - это число частиц, атомов в единице объема), но можно условиться отличать концентрацию акцепторов от доноров по знаку заряда их ионов.  [54]



Страницы:      1    2    3    4