Cтраница 1
Атомы халькогенов имеют на внешнем энергетическом уровне по 6 электронов. Этим объясняется сходство их химических свойств. Присоединяя по 2 электрона, они превращаются в двухзарядные ионы. Для кислорода, как и для фтора, не типична степень окисления, равная номеру группы. [1]
Элементы главной подгруппы VI группы. [2] |
Атомы остальных халькогенов имеют на внешнем энергетическом уровне свободные орбитали. [3]
В основном состоянии атомы халькогенов имеют конфигурацию ns2np4 с двумя неспаренными р-электронами, и это уже в простых веществах приводит к альтернативной возможности образования либо кратной связи между двумя атомами в молекуле Э2, либо одинарной связи в цепочечных структурах. [4]
В молекулах галогенидов халькогенов атомы халькогенов присутствуют всегда в виде частиц, поляризованных положительно. В соответствии с общими закономерностями периодической системы SI4 не известен, тогда как Те. [5]
Сколько неспаренных электронов имеют атомы халькогенов в невозбужденном состоянии. [6]
Халькогенидные стекла - некристаллические вещества, содержащие атомы халькогенов ( серы, селена, теллура), получающиеся в результате охлаждения расплава. Они в основном нечувствительны к примесям, обладают симметричными вольт-амперными хафактеристиками, претерпевают различные структурные изменения. [7]
В табл. 43 схематически показано строение внешнего электронного слоя атомов халькогенов ( серы, селена; теллура) в основном и возбужденном состояниях. [8]
Валентные состояния атомов халькогенов. [9] |
В табл. 43 схематически показано строение внешнего электронного слоя атомов халькогенов ( серы, селена, теллура) в основном и возбужденном состояниях. [10]
Большая склонность этих материалов к образованию стекол связана с присутствием атомов халькогена, которые, как правило, двухвалентны и образуют две сильные ( ковалентные) химические связи с соседними атомами. С одной стороны, это приводит к образованию молекул в виде длинных цепочек или слоев и обусловливает высокую вязкость расплава, препятствующую кристаллизации при его охлаждении. С другой стороны, атомы халькогена, связанные с соседними атомами лишь двумя химическими связями, играют роль шарниров, благодаря которым отдельные фрагменты молекулы могут легко поворачиваться относительно друг друга. [11]
Кристаллическая соединений AIVBVI. [12] |
В основе элементарной ячейки лежит кубическая гранецентрирован-ная решетка, в которой атомы халькогена расположены по закону плот-нейшей упаковки, а атомы AIV заполняют все октаэдрические пустоты. [13]
Между атомами металла и халькогена существует прочная химическая связь, в между атомами халькогена эта связь слабая. Поэтому в направлении связей между атомами халькогена происходит сдвиг с небольшим трением, что обеспечивает высокие смазочные свойства WSe2 NbSe2, TaSe2 и других соединений. [14]
При переходе от сульфида к теллуриду галлия наблюдается увеличение экспериментально определенных расстояний между атомами халькогена в соединении, равно как и расстояния металл - халькоген, но расстояние Ga-Ga изменяется скачкообразно: от GaS к GaSe оно несколько падает, а затем сильно возрастает. В InS расстояние In-In совпадает с вычисленным, а в InSe расстояние In - In больше вычисленного ковалентного и практически равно сумме металлических радиусов, как и у GaTe. Таким образом, в соединениях галлия и индия с более тяжелыми элементами - Se и Те - возрастает доля металлической связи. [15]