Атом - элемент - побочная подгруппа
Cтраница 3
Число валентных электронов атома соответствует номеру группы, в которой находится элемент в периодической системе. У атомов элементов главных подгрупп все валентные электроны расположены в наружном слое; у атомов элементов побочных подгрупп и VIII группы часть валентных электронов находится в более глубоком электронном слое. Марганец тоже находится в седьмой группе, но в побочной подгруппе, наибольшая валентность марганца по кислороду также равна семи и соответствует номеру группы; но семь валентных электронов его находятся в двух слоях: два электрона в наружном слое и пять электронов - в более глубоком. [31]
Расхождение в свойствах элементов ( по их металличности или не-металличности) между подгруппами в VII группе выражено еще более резке, чем в VI. Причина этого в следующем. В атомах элементов побочных подгрупп III ч - VII групп очередной электрон пополняет d - подуровень предвнешнего энергетического уровня, влияющего на свойства элемента значительно слабее внешнего. Во внешнем же слое у атомов d - элементов устойчиво сохраняется конфигурация ns2, где п - главное квантовое число внешнего энергетического уровня, отвечающее номеру периода. В главных подгруппах очередной электрон включается в р-подуровень внешнего энергетического уровня, тем самым обусловливая проявление у р-элементов указанных групп все усиливающуюся тенденцию к нарастанию неметаллических свойств. [32]
Расхождение в свойствах элементов ( по их металличности или неметалличности) между подгруппами в VII группе выражено еще более резко, чем в VI. Причина этого лежит в следующем. В атомах элементов побочных подгрупп III-VII групп очередной электрон пополняет d - оболочку предвнешнего слоя, влияющего на свойства элемента гораздо слабее внешнего. [33]
 |
Периодическая система элементов Д. И. Менделеева ( по Бору. [34] |
Нас должна интересовать прежде всего структура внешнего электронного слоя атомов, так как ему принадлежит решающая роль в проявлении элементом тех или иных химических свойств. Электроны этого слоя у атомов элементов побочных подгрупп I Ц1 - VIII групп, а у большинства лантаноидов и актиноидов и третьего снаружи слоя, участвуют в образовании связей. Следовательно, можно говорить не просто об элементах-аналогах, а об электронных аналогах. [35]
 |
Зависимость суммы первых четырех. г дд энергий ионизации атомов элементов IV группы от порядкового номера элемента. [36] |
Аналогичная последовательность в изменении 1 наблюдается для элементов всех периодов - наименьшую энергию ионизации имеет начинающий период щелочной металл, наибольшую - завершающий период благородный газ. У элементов вставных декад энергии ионизации сравнительно мало изменяются при переходе от одного элемента к другому и они выше, чем для металлов главных подгрупп. Это обусловлено тем, что при одинаковом числе электронных слоев заряд ядер атомов элементов побочных подгрупп больше. [37]
В главной подгруппе этой группы находятся бор и алюминий. К ним примыкают галлий, индий и таллий, у атомов которых, как и у атомов бора, алюминия, во внешнем слое находится по три электрона. В подстилающем слое атомы В и А1 имеют первые по 2 и вторые по 8 электронов, a Ga, In и Т1 - по 18 электронов. Атомы элементов побочной подгруппы, подгруппы скандия, имеют во внешнем слое по два электрона и в подстилающем по девять электронов, не считая большинства лантаноидов и актиноидов, у атомов которых в этом слое находится от 8 до 10 электронов. [38]
Для составления электронной формулы атома данного элемента необходимо знать положение его в периодической системе. Порядковый номер элемента указывает на заряд ядра его атома, а следовательно, и на общее количество электронов в атоме. Номер периода соответствует количеству энергетических уровней в атоме. В атомах элементов побочных подгрупп ( элементов d - и f - семейств) валентные электроны находятся в - состоянии внешнего энергетического уровня и в d - состоянии предыдущего уровня. [39]
Как видно из таблицы, конфигурация того же инертного элемента лежит в основе атомной структуры и у элементов побочной подгруппы. Так, например, в основе атомов и кальция и цинка лежит оболочка аргона. Аналогичное имеет место и у кадмия, а в атомах ртути содержится еще и 4 / 14-оболочка. Наличие в атомах элементов побочной подгруппы ( п - 1) d10, а также ( у ртути) и 4 / 14-электронов ( наряду с валентными п52 - электронами), чего нет у элементов главной подгруппы, и создает особенности в этих подгруппах. [40]
Страницы: 1 2 3