Атом - определяемый элемент
Cтраница 1
Атомы определяемого элемента в дальнейшем участвуют в ряде равновесных процессов с радикалами гидроксила, атомами кислорода, галогена или ионизуются. [1]
 |
Условия атомно-абсорбционного определения железа, алюминия, кальция и магния в суперфосфорной кислоте / 37 ] ( лампа ЛСП-Г. [2] |
Атомы определяемых элементов поглощают часть светового потока в отношении, прямо пропорциональном их концентрации в растворе. [3]
 |
Схема атомно-ионизационного определения элементов при атомизации пробы в вакууме. [4] |
Поскольку атомы определяемого элемента находятся в вакууме ( нет столкновений), то ширины атомных уровней малы. Следовательно, малы и помехи из-за перекрывания спектральных линий определяемого и посторонних элементов. [5]
Wq при возбуждении атома определяемого элемента на - уровень, величины скачка поглощения 57 для ( / - уровня, вероятности ргперехода атома, возбужденного на - уровень, с испусканием t - й линии, площади образца S и, наконец, от отношения длины первичного рентгеновского излучения KI к длине волны A f i - й линии вторичного ( флуоресцентного) спектра определяемого элемента А с массовой концентрацией СА. При кристалл-дифракционном методе обеспечения спектральной избирательности коэффициент пропорциональности К, зависит еще от коэффициента F, учитывающего общие потери интенсивности флуоресценции из-за конечной апертуры кристалла, поглощения в воздухе, в кристалле и других факторов. [6]
 |
Схема камеры для анализа в контролируемой атмосфере. [7] |
Увеличение времени пребывания атомов определяемых элементов в зоне разряда приводит к соответствующему повышению интенсивности спектральных линий. Этим в значительной мере объясняется эффект повышения интенсивности линий определяемых элементов при выполнении анализа в атмосфере тяжелых газов. [8]
Химические помехи вызваны взаимодействием атомов определяемого элемента с сопутствующими компонентами матрицы в конденсированной и газовой фазе, причем в случае использования ЭТА более распространено влияние в газовой фазе. Это объяснимо, так как парциальное давление посторонних компонентов ( прежде всего летучих галогенидов) может достигать атмосферного давления. С другой стороны, если галогенид образуется при озолении определяемого элемента, это приводит к потерям и значительному занижению результатов анализа. Чтобы устранить ( или уменьшить) эти нежелательные явления, применяют модификацию матрицы: определяемый элемент или компоненты матрицы превращают в удобную для атомизации форму введением надлежащих добавок-матричных модификаторов. [9]
По мере увеличения концентрации атомов определяемого элемента в зоне возбуждения начинает сказываться роль поглощения света, которое ослабляет интенсивность флуоресценции. Поглощается не только возбуждающий свет, но, особенно в случае резонансной флуоресценции, также и свет флуоресценции. Можно показать при этом, что в области больших концентраций зависимость I от С может оказаться немонотонг ной - рост концентрации приводит не к увеличению, а к уменьшению яркости флуоресценции. [10]
Для подавления процесса ионизации атомов определяемого элемента во все анализируемые растворы и растворы сравнения вводят избыточные количества соли какого-либо легкоионизируемого элемента ( буферирование), например хлорида калия или натрия. Этот прием является примером универсального способа ликвидации влияния состава. [11]
ТУ - - число атомов определяемого элемента; Л - постоянная распада, равная 0 693 / rV2 t - время облучения. [12]
Таким образом, если один атом определяемого элемента образует одну частицу продукта реакции, поглощающего свет, то проблема повышения чувствительности встречает большие, а иногда и непреодолимые трудности. Очевидно, что принципиальное решение этой проблемы может быть достигнуто в том случае, если один атом определяемого элемента будет давать не одну, а много частиц окрашенного соединения. Это возможно при каталитических методах анализа. [13]
 |
Камера для обдува дуги диоксидом углерода. [14] |
Обдувающий газ уносит с собой атомы определяемых элементов из периферийных зон дуги, что снижает самопоглощение и самообращение. [15]
Страницы: 1 2 3 4