Кратность - изменение - сопротивление
Cтраница 1
Кратность изменения сопротивления этих слоев оказалась на 3 - 5 порядков выше, чем у поликристаллических пленок. [1]
 |
Спектральная характери-стика фоторезистора. [2] |
Кратность изменения сопротивления - число, показывающее, во сколько раз сопротивление фоторезистора при оговариваемой освещенности ( обычно 100 или 200 лк) меньше темнового. [3]
 |
Спектральные характеристики фоторезисторов. [4] |
Кратность изменения сопротивления - число, показывающее, во сколько раз сопротивление при оговариваемой освещенности ( обычно 100 или 200 лк) меньше темно-вого. [5]
Кратность изменения сопротивления - отношение темнового сопротивления к сопротивлению фоторезистора при освещенности 200 лк - также характеризует чувствительность фоторезистора. В подобных условиях требуется наибольший перепад сопротивления фоторезистора при попадании на него излучения. [6]
 |
К изменению RT сернисто-свинцового фотосопротивления в зависимости от температуры слоя.| Схема включения приемника. [7] |
Иногда для оценки приемников используют кратность изменения сопротивления, которая равна отношению величины RT к сопротивлению приемника при освещенности 200 лк и температуре 20 5 С. Величина сопротивления приемника определяет требования к входной схеме усилителя фототока. [8]
При практическом использовании фоторезисторов большое значение имеет кратность изменения сопротивления при освещении ( RTjJRI / / T) и относительное изменение сопротивления. Характер зависимости Rf ( f) аналогичен энергетической характеристике. [9]
При постоянном напряжении питания измерительной схемы ДГП кратность изменения сопротивления фоторезистора может регулироваться освещенностью его, что может быть достигнуто сменой типа лампы, используемой в качестве источника света. [10]
 |
Зависимость кратности изменения сопротивления от содержания меди в исходном продукте. [11] |
Отсутствие максимума на кривой дает основание предполагать, что уменьшение кратности изменения сопротивления с ростом концентрации меди в исходном порошке ( см. рис. 2) связано с уменьшением содержания меди в пленке как в процессе испарения, так и в процессе последующего ( активирующего) отжига. [12]
 |
Устройство селенового фотоэлемента. [13] |
Число, показывающее, во сколько раз гт больше гс, называется кратностью изменения сопротивления ФС. [14]
Для терморезисторов с положительным ТКС указывается температурный интервал, в пределах которого ТКС 0, кратность изменения сопротивления в области положительного ТКС, максимальное значение ТКС и температура, при которой оно достигается. [15]
Страницы: 1 2 3