Кратность - изменение - сопротивление - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
От жизни лучше получать не "радости скупые телеграммы", а щедрости большие переводы. Законы Мерфи (еще...)

Кратность - изменение - сопротивление

Cтраница 2


К наиболее важным параметрам ФС относятся чувствительность удельная, интегральная, спектральная, темновое сопротивление, кратность изменения сопротивления.  [16]

17 Схема избирательного усилителя ИУ-1. [17]

Это позволяет увеличить сопротивление первичной цепи четырехполюсника, что в свою очередь разгружает катодный повторитель на лампе ЛЗ и позволяет увеличить кратность изменения сопротивления настройки RIO R11, расширяя тем самым рабочий диапазон усилителя в сторону высоких частот.  [18]

19 Рост и спад фототока в слое стекол сие - IglpfA темы Si-Ge - As - Те при А. 1 06 мкм, Т 77 К.. Г - Lr 1013 фотон / ( см2 с. В каждой последующей кривой уровень возбуждения увеличивается примерно в 4 раза.| Электрические и фотоэлектрические параметры некоторых оксюсвУ ьУогся1идяму и хядь1Сувктл11мх стекол. [19]

Некоторые усредненные ( по 3 - 5 образцам) электрические и фотоэлектрические параметры пленок оксихалькогенидных и халькогенидных стекол ( темновое сопротивление рт, кратность изменения сопротивления а при воздействии неразложенным светом при освещенности 50 или 100 лк, длина волны максимума фотопроводимости А.  [20]

21 Датчик положения с дросселями насыщения. [21]

Однако генераторы Холла еще довольно дороги и не всегда имеют удовлетворяющий по мощности выходной сигнал, а магниторезисторы обладают неудовлетворительными частотными свойствами и недостаточной кратностью изменения сопротивления.  [22]

При невыполнении этих условий необходимо провести одно из следующих изменений в схеме: увеличить сопротивление нагрузки, которым обычно является входное сопротивление усилительного каскада; заменить используемый фоторезистор другим, имеющим большее значение кратности изменения сопротивления Ят / Ясв, или заменить используемый источник света другим, который способен создать более высокую освещенность светочувствительного элемента фоторезистора.  [23]

24 Зависимость отно - сительной погрешности от изменения напряжения питания мостовой схемы. [24]

Для количественной оценки погрешности этого рода необходимо знать параметры меняемых элементов. Так, например, при смене фоторезиотора необходимо знать темновое сопротивление нового фоторезистора и кратность изменения сопротивления его. Эти параметры вне лаборатории определить трудно. Проще после смены фоторезиотора и незначительной подстройки измерительной схемы ( волн таковая потребуется) произвести тарировку ДШ с ФЭП.  [25]

26 Вольт-амперные характеристики позистора ( К - отношение сопротивления резистора к сопротивлению позистора. [26]

Параметры позисторов аналогичны параметрам терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом. Важнейшими из них являются: величина сопротивления при 20 С, температурный коэффициент сопротивления, диапазон рабочих температур, кратность изменения сопротивления в области положительного ТКС, максимально допустимая мощность рассеивания, постоянная времени.  [27]

Кроме основных параметров могут приводиться дополнительные. Например, для терморезисторов с косвенным подогревом указывают номинальный и максимальный токи через подогреватель, сопротивление подогревателя, пробивное напряжение между рабочим элементом и подогревателем, для позисторов - примерное положение интервала положительного ТКС, температурный интервал и значение максимального ТКС, а также кратность изменения сопротивления в области положительного ТКС.  [28]

29 Системы для электрохимической полимеризации акрилатов. [29]

Оптимальный режим сушки покрытий: температура 80 - 100 С, продолжительность 5 - 10 мин. Такие покрытия используются для изоляции сульфидно-свинцовых фотосо-пфотивлений. При этом кратность изменения сопротивления фоторезисторов возрастает в 1 5 - 3 раза.  [30]



Страницы:      1    2    3