Кратность - изменение - сопротивление - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Если хотите рассмешить бога - расскажите ему о своих планах. Законы Мерфи (еще...)

Кратность - изменение - сопротивление

Cтраница 3


31 Вольт-амперная характеристика терморезистора - стабилизатора напряжения.| Вольт-амперная характеристика варистора в цепи тока низкой частоты ( 100 гц. [31]

Терморезисторы косвенного подогрева имеют независимый от собственно терморезистора подогреватель, который может вводиться в другую электрическую цепь, причем такой прибор может рассматриваться как электрически управляемое переменное сопротивление. Для таких терморезисторов наряду с холодным сопротивлением указывают величину сопротивления при максимально допустимой мощности подогрева. Обычно у терморезисторов с косвенным подогревом кратность изменения сопротивления бывает не менее 20 - 30 раз.  [32]

33 Зависимость массы полистирольного осадка от продолжительности электрохимической полимеризации стирола при силе тока 85 мА.| Кривая состава сополимера при электрохимической ( - ( - - - - - - сополимеризации. [33]

В работе [90] показана возможность нанесения полистирольного осадка из вышеуказанной системы на поверхность полупроводниковых элементов при постоянном напряжении 17 - 20 В и продолжительности процесса 1 мин. Сушку полимерных осадков проводят при 80 - 100 С в течение 5 мин. В этом сл в чае темновое сопротивление, а также кратность изменения сопротивления фоторезисторов обычно уменьшается в 1 5 - 3 раза.  [34]

Из датчиков, работающих на постоянном токе, используются генераторы Холла и магниторезисторы. Их применение в двигателях с вращающимся магнитом ротора естественно, так как входным управляющим параметром для них является магнитный поток. Однако генераторы Холла еще довольно дороги и не всегда имеют удовлетворяющий по мощности выходной сигнал, а магниторезисторы обладают неудовлетворительными частотными свойствами и недостаточной кратностью изменения сопротивления.  [35]

Фоторезисторы - полупроводниковые резисторы, изменение электрического сопротивления которых происходит под действием электромагнитного излучения. Светочувствительный элемент фоторезистора выполняется из полупроводниковых материалов на основе сернистого или селенистого свинца и кадмия в виде тонкой пленки на стеклянной подложке или прессованной таблетки. Основными характеристиками фоторезистора являются спектральная, люкс-амперная, вольт-амперная и частотная. К основным параметрам относятся кратность изменения сопротивления, темновой и световой фототек, номинальная мощность рассеяния, рабочее напряжение, постоянная времени и др. Фоторезисторы выпускаются в пластмассовых и металлических корпусах, а конструктивное исполнение некоторых типов позволяет устанавливать их в стандартные ламповые панели.  [36]



Страницы:      1    2    3