Рассматриваемый атом - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 2
Пока твой друг восторженно держит тебя за обе руки, ты в безопасности, потому что в этот момент тебе видны обе его. Законы Мерфи (еще...)

Рассматриваемый атом

Cтраница 2


Если под действием внешних сил рассматриваемый атом перемещается не более чем на половину межатомного расстояния ( и а / 2) ( рис. 1.4.1, а), то после снятия внешней нагрузки он вернется в первоначальное положение; в данном случае срабатывают внутренние упругие силы. Это и есть упругая деформация.  [16]

В образующемся после диссоциации анионе рассматриваемые атомы азота уже обладают избытком электронной плотности и могут подвергаться атаке под действием как протона, так и других электрофильных реагентов.  [17]

Наличие во внешнем слое всех рассматриваемых атомов только двух электронов говорит за отсутствие сколько-нибудь заметной тенденции к их дальнейшему присоединению. Напротив, сравнительно легко должна происходить отдача электронов с образованием максимально двухвалентных положительных ионов.  [18]

Считается, что независимо от рассматриваемого атома для орби-талей определенного типа характерен постоянный вид распределения электронной плотности. Так, например, полагают, что s - орби-тали характеризуются наличием сферической симметрии вокруг ядра, в то время как р-орбитали ориентированы под прямыми углами одна относительно другой и каждая из них обладает максимальной электронной плотностью в двух краевых лопастях, разделенных узловой плоскостью симметрии, проходящей через ядро.  [19]

Чтобы различить такие связи для рассматриваемого атома, ту из них, в которой он является донором, иногда обозначают термином - дативная связь.  [20]

Чтобы различить такие связи для рассматриваемого атома, ту из них, в которой он является донором, иногда обозначают термином - дативная связь.  [21]

Наличие во внешнем слое всех рассматриваемых атомов только двух электронов говорит за отсутствие тенденции к их дальнейшему присоединению. Напротив, сравнительно легко должна происходить отдача электронов с образованием максимально двухвалентных положительных ионов.  [22]

Наличие во внешнем слое всех рассматриваемых атомов только двух электронов говорит за отсутствие тенденции к их дальнейшему присоединению. Напротив, сравнительно легко должна происходить отдача электрона с образованием максимально двухвалентных положительных ионов.  [23]

Наличие во внешнем слое всех рассматриваемых атомов только двух электронов говорит за отсутствие сколько-нибудь заметной тенденции к их дальнейшему присоединению. Напротив, сравнительно легко должна происходить отдача электронов с образованием максимально двухвалентных положительных ионов.  [24]

Чтобы различить такие связи для рассматриваемого атома, ту из них, в которой он является донором, иногда обозначают термином - дативная связь.  [25]

Чтобы различить такие связи для рассматриваемого атома, ту из них, в которой он является донором, иногда обозначают термином - дативная связь.  [26]

27 Энергии ионизации и релаксации 3d - yровня в 4 ( 1-элементах. [27]

Изменение заселенности валентных электронов у рассматриваемого атома в химическом соединении относительно свободного атома можно аппроксимировать состоянием некоторого положительного или отрицательного свободного иона, число валентных электронов которого соответствует числу для атома в соединении. Следовательно, химический сдвиг, вызванный изменением q, можно оценить на основании сдвигов энергий уровней в свободных ионах относительно нейтрального атома. Приведены данные ЕИОЯ, полученные - no разности полных энергий конечного ( с удаленным внутренг ним электроном) и начального состояний, а также значения: ДЕион в ионах Лх по отношению к нейтральному атому А.  [28]

29 Равновесные расстояния и ] лубипа потенциальной ямы оксиморон ксенона с атомами галогенов. [29]

Периодической таблице Менделеева сразу за рассматриваемым атомом. Особенно большой устойчивостью обладают эксимеры ( эксиплексы) атомов инертных газов с галогенами. Энергия образования последних достигает значений - 5 эВ, что превышает энергии химических связей многих стабильных соединений. В табл. 1.13 приведены равновесные расстояния и глубина потенциальной ямы экси-меров ксенона с атомами галогенов. Увеличение равновесного расстояния коррелирует с уменьшением энергии связи.  [30]



Страницы:      1    2    3    4