Cтраница 1
Трехвалентные атомы примеси, такие, как индий, замещая атомы германия, отнимают электрон от какого-нибудь из соседних атомов основного вещества и образуют четыре валентные связи с четырьмя ближайшими соседями. Оставшаяся у одного из соседних атомов ненасыщенная четвертая валентная связь в определенных условиях ведет себя как дырка. Такие атомы примеси действуют как акцепторы, и германий с такого рода примесями называют / 7-германием. [1]
Первоначальный трехвалентный атом приобретает один внешний отрицательный заряд и заполняет целиком свою внешнюю оболочку, поэтому этот добавочный отрицательный заряд неподвижен и неспособен увеличить проводимость кристалла в отличие от блуждающих дырок. [2]
Трехвалентный атом примеси имеет на один электрон меньше того числа электронов, которое требуется для образования устойчивых ковалентных связей. Иными словами, при введении такого атома примеси появляется вакантная связь, на которую может перейти электрон из соседней связи. Необходимая для такого перехода энергия весьма мала, и уже при комнатной температуре все свободные места у атомов примеси оказываются занятыми, а сами атомы вследствие этого превращаются в отрицательные ионы. На местах ушедших к этим атомам электронов образуются дырки, которые хаотически перемещаются в кристалле и могут участвовать в создании тока через кристалл. [3]
Трехвалентный атом церия имеет один 4 / - электрон. Удаление валентных электронов приводит к уменьшению размера атома. Следует отметить, что церий, по-видимому, проявляет валентность выше трех только в случае соединений с железом, кобальтом и никелем. [4]
Трехвалентный атом мышьяка, следовательно, - хороший пример характернейшего токсофора. [5]
Трехвалентный атом церия имеет один 4 / - электрон. Удаление валентных электронов приводит к уменьшению размера атома. Следует отметить, что церий, по-видимому, проявляет валентность выше трех только в случае соединений с железом, кобальтом ж никелем. [6]
Для трехвалентного атома фосфора характерна пирамидальная форма образуемых им молекул. При этом используются три р-орбитали или три гибридизованных по типу р3 - орбитали. Пирамидальная молекула гидрида фосфора ( фосфин) в этом смысле похожа на молекулу аммиака, однако окисляется гораздо легче и с гораздо большим трудом присоединяет протон, чем аммиак. [7]
Тенденция производных трехвалентных атомов элементов УБ группы к взаимодействию с акцепторами электронной пары в значительной степени зависит от природы атомов или групп, присоединенных к данному элементу. Электроотрицательные заместители уменьшают силу льюисовского основания, а электро-нонагнетающие группы увеличивают ее. Теория валентности объясняет это изменениями атомной электроотрицательности, происходящими вследствие изменений гибридизации; 5р2 - гибридизованный атом углерода является более электроностягивающим, чем 5р3 - атом углерода. На основании сказанного выше относительно-индуктивного эффекта следует полагать, что винилфосфины окажутся более слабыми основаниями, чем их алкильные аналоги, а следовательно, они должны были бы образовывать более слабые, чем алкил-фосфины, связи с льюисовской кислотой, выбранной в качестве эталона, например триметилбором. Однако приведенные в химической литературе данные позволяют думать, что винильная группа может оказать и обратное влияние. [8]
Когда вводится трехвалентный атом ( например, индий), возникает недостача в один электрон в заполненной зоне валентных электронов, и при наложении потенциала остальные электроны могут теперь двигаться по этой зоне. Можно считать также, что недостача электрона распространяется от одного атома к другому, причем говорят, что проводимость кристалла германия или кремния, в который добавлен индий, обусловлена положительными носителями тока, или дырками. Такой полупроводник называется полупроводником р-типа. Если вводится атом группы V ( например, сурьма), появляется дополнительный электрон, который вступает в зону, до этого пустовавшую, и располагается выше валентной зоны. Дополнительные электроны могут двигаться в электрическом поле ( поскольку зона почти пустая), так что в этом случае проводимость кристалла обусловлена отрицательными носителями. Германий с такой добавкой называется полупроводником n - типа. При производстве транзисторов, выпрямителей и других полупроводниковых устройств используются оба типа полупроводников. [9]
Так как трехвалентный атом азота содержит обладающую донорной функцией свободную электронную пару, в образовании мостика BNB могут участвовать четыре электрона ( 1 от В и 3 от N), и прибегать к представлению о трехцентровой связи нет надобности. [10]
Рассмотрим поведение трехвалентного атома нримееи, например ипдия, в кристаллической решетке германия. Три электрона атома индия образуют ковалентные связи с тремя из четырех соседних атомов германия. Свободная связь может быть легко заполнена электроном, перешедшим от соседних атомов при нарушении какой-либо связи, и, таким образом, может перемещаться по кристаллу германия. [11]
СН замещена трехвалентным атомом азота. Электронное строение связей в молекуле пиридина сходно с таковым в молекуле бензола. [12]
СН замещена трехвалентным атомом азота. Электронное строение связей в молекуле пиридина сходно со строением связей в молекуле бензола. [13]
Соединение с асимметрическими трехвалентными атомами азота Пре-логу удалось расщепить на оптически активные формы. Многочисленные предыдущие неудачи в этой области были, вероятно, обусловлены тем, что у таких третичных аминов заместители, окружающие атом азота, колеблются, проходя через плоское расположение, в результате чего становится невозможным получение стерически однородных форм. Для преодоления этой трудности было выбрано такое вещество с трехвалентными атомами азота, в котором заместители были связаны с циклическими системами, что делало невозможным переход их в копланарную ( плоскую) форму. Таким третичным амином является так называемое основание Трегера ( получаемое из 2 мол. [14]
В результате инициирования трехвалентный атом азота или фосфора переходит в четырехвалентный аммоний или фосфоний, напр. [15]