Cтраница 3
При введении в кристаллическую решетку германия трехвалентных атомов индия, бора или галлия они вступают во взаимодействие с атомами германия и могут захватывать от последних электроны, что приводит к образованию в полупроводнике дырок. В полупроводниках типа р электроны являются неосновными носителями зарядов. [31]
Чертой обозначен свободный одиночный электрон у трехвалентного атома углерода или одновалентного атома кислорода. [32]
Кристаллическая решетка кремния с атомом. [33] |
Если же атом кремния замещен - трехвалентным атомом, например атомом бора ( рис. 6, а), то одна ковалентная связь окажется незаполненной и будет играть роль дырки: на ее место возможен переход валентного электрона соседних атомов кремния, эта дырка способна перемещаться по кристаллу, т.е. является свободным носителем заряда. Энергетический уровень вакантной, незаполненной связи расположен внизу запрещенной зоны ( рис. 6, б) и при близкой к комнатной температуре занят электроном, в результате чего в валентной зоне имеется незанятый энергетический уровень - свободная дырка. [34]
Анилид диэти л фосфор истой кислоты, содержащий трехвалентный атом фосфора, присоединяется к нитрилу акриловой кислоты и метилакрилату329 в присутствии этилата натрия весьма энергично и с выделением значительного количества тепла. С метилметакрила-том реакция проходит медленнее. Продукты реакции не реагируют при нагревании с серой, не образуют комплексов с полухлористой медью. [35]
Эта гибридизация более или менее существенна для трехвалентных атомов. Она соответствует более или менее выраженному s - харак-теру их связей, зависящему от заместителей, присутствующих в молекуле. Свободная электронная пара атома азота в аминах располагается в области, направленной к четвертой вершине тетраэдра. [36]
Восстановленная форма кофермента содержит пиридиновый остаток с трехвалентным атомом азота и имеет высшую занятую молекулярную орбиталь с повышенной энергией, что приводит к усилению электронодонорных свойств. Окислительно-восстановительная реакция в итоге сводится к переносу гидрид-иона или, в пересчете на электроны, двух электронов и одного протона. [37]
Другой приведенный ниже ряд реакций дифенилхлорарсина обусловливается ненасыщенностью трехвалентного атома мышьяка. [38]
Зонная диаграмма и схема связей в германии, легированном мышьяком. [39] |
В случае замещения атома германия в узле решетки трехвалентным атомом примеси, например индия, одна из связей с ближайшим атомом германия остается незаполненной. Эти связи примесных атомов заполняются электронами собственно германия. Происходит образование дырок в кристалле германия. В запрещенной зоне появляются свободные энергетические уровни, расположенные весьма близко к верхней границе заполненной зоны. [40]
Единственная внешняя орбиталь, связывающая с карбонильной группой или трехвалентным атомом фосфора. [41]
В гексаметилентетрамине шесть метиленовых групп СН2 связаны с четырьмя трехвалентными атомами азота таким образом, что возникает система колец, образующих тетраэдр. [42]
Если в естественный полупроводник IV группы ввести в качестве примеси трехвалентные атомы из III группы элементов, то для осуществления ковалентной связи с четырехвалентным окружением этим атомам не хватает по одному электрону. В результате в валентной зоне возникает дырка, которая и обусловливает дырочную проводимость полупроводника. Поскольку энергия ионизации основных атомов для образования дырки мала ( - 10 - 2 эВ), при комнатной температуре на каждый атом примеси приходится по одной дырке. Естественная дырочная и электронная проводимости при этом, как и в случае донор-ных примесей, малы. [43]
В гексаметилентетрамине шесть метиленовьгх групп СН2 связаны с четырьмя: трехвалентными атомами азота таким образом, что возникает система колец, образующих тетраэдр. [44]
Прибор для получения свободных алкильных радикалов. [45] |