Кристалл - тип
Cтраница 1
Кристаллы типа шиш-кебаб получены из 2 5 вес. Крн вые получены на сканирующем калориметре при скорости нагревания 4 град / мин на образцах весом около 1 мг. Температура кристаллизации указана у кривых. [1]
Кристаллы типа, показанного на рис. 58, б, образуются в присутствии не растворимых в феноле смол, которые, входя в кристаллическую структуру, изменяют ее обычное орторомбическое строение. Кристаллы, приведенные на рис. 58, б, появляются в присутствии смол, растворимых в феноле. Возникающие друзовидные и особенно дендритные кристаллы обычно не соединяются в пространственную кристаллическую сетку. [2]
 |
Структурная схема ЗУПВ типа 1103. [3] |
Кристалл ЗУПВ типа 1103 организован как 1024 одноразрядных слова с полной дешифрацией и размещается в корпусе с 18 выводами. [4]
Кристалл типа CsCl ( иначе, типа центрирован-ного куб а) состоит как бы из двух простых кубических решеток ( рис. ХП-13), заполненных в одном случае ионами Cs, в другом - С1 - и вставленных затем друг в друга, как это показано на рис. ХП-14. Таким образом, координационное число ( КЧ) решеток типа центрированного куба равно восьми. [5]
Кристалл типа CsCl, обычно называемый типом центрированного куба ( что вполне правильно лишь при одинаковости всех частиц), состоит как бы из двух простых кубических решеток ( рис. ХП-5), заполненных в одном случае ионами Cs, в другом - ионами С1 - и вставленных затем друг в друга, как это показано на рис. ХП-6. Из последнего видно, что каждый ион Cs окружен восемью равноотстоящими от него ионами С1 - и, обратно, каждый ион С1 - - восемью ионами Cs. Таким образом, координационное число решеток типа центрированного куба равно восьми. [6]
Поэтому кристаллы АТ-среза типа CR-23 / U, возможно, были единственными сохранившимися после ядерного взрыва кристаллами. Самый сильный взрыв 8 - Ю6 эрг / ( г-сек), по-видимому, вызывал в большинстве случаев сильные повреждения и обусловил наибольшие измеренные эффекты сравнительно с неповрежденными образцами. Результаты экспериментов показали, что при облучении пьезоэлектрических кристаллов кварца вспышками у-излучения изменения их свойств не имеют систематического характера, причем на результаты влияют и технология изготовления, и тип среза кристаллов. [7]
 |
Теплопроводность и концентрация азота в природных алмазах типа Ь.| Теплопроводность природных алмазов типа Ь при температурах 320 и 450 К 1273 ]. [8] |
Теплопроводность кристаллов типа 16 при температуре 300 К достигает почти икон же величины, что и у алмазов типа Па, однако в максимуме ( что соответствует области температур порядка 65 - 85 К) она примерно в 2 раза ниже. В табл. 52 приведены значения теплопроводности этих кристаллов и данные о концентрации общего и парамагнитного азота. [9]
Облучение кристаллов типа KDP при температуре жидкого азота приводит к образованию протонных вакансий и сдвоенных протонов на связи, энергия которых частично может быть понижена соответственно потерей или захватом электрона, что приводит к образованию ( НРО4) - и ( НзРО4) структурных единиц кристалла. Несмотря на частичное уменьшение искажения решетки вокруг дефекта за счет потери ( захвата) электрона, единицы ( НРО4) - и ( НзРО4) остаются малоподвижными при температурах ниже 193 К и их взаимодействие с доменными границами приводит к выключению последних из процессов переполяризации. С повышением температуры до величины порядка 193 К комплексы ( НРО4) - и ( НзРО4) превращаются в достаточно подвижные единицы ( Н2РО4) 2, взаимодействие которых с доменными границами носит характер вязкого трения. [10]
Для кристаллов типа Zn O, являющихся типичными полупроводниками, величина U довольно мала. Правда, эти значения относятся к объему кристалла. На его поверхности U может оказаться еще меньше. [11]
Для кристаллов типа Zn 0 -, являющихся типичными полупроводниками, величина U довольно мала. Правда, эти значения относятся к объему кристалла. На его поверхности U может оказаться еще меньше. [12]
Дефекты кристалла типа дислокации, границ зерен и микротрещин обладают избыточной поверхностной энергией. Поскольку при адсорбции поверхностно-активных веществ поверхностное натяжение уменьшается, то соответственно возрастает поверхность этих дефектов, так что полная энергия поверхностного слоя, равная произведению поверхностной энергии на площадь поверхности ( см. (34.12)), остается неизменной. Рост поверхностей дефектов, естественно, приводит к уменьшению прочности тела. [13]
Для кристаллов типа алмаза дело обстоит еще проще, так как ввиду гомоатомпостн все представления G ( Г) различны, и, следовательно, энергии уровней в Г МОЖЕГО найти без решения вековых уравнений. [14]
Для кристаллов кубического типа мы должны воспользоваться свойством симметрии четвертого порядка относительно остальных двух осей. [15]
Страницы: 1 2 3 4