Кристалл - тип
Cтраница 3
При исследовании кристаллов типа КС1 - Т1 получены данные, которые показывают, что некоторые центры захвата могут быть приписаны активатору. Так как ионизационный потенциал атома Т1 меньше ионизационного потенциала атома К, то в месте расположения таллия образуется потенциальная яма, в которую захватывается электрон зоны проводимости, перемещающийся по катион-ным узлам решетки. [31]
При выращивании кристаллов межузельного типа кристаллическая матрица пересыщена межузельными атомами, что препятствует дополнительной эмиссии Si ( - оксидными выделениями и делает термодинамически невыгодным образование последних. В результате растворимость кислорода в кристаллической решетке возрастает. В этом случае первичные ростовые микродефекты представляют собой агрегаты атомов Si, происходит формирование микродефектов А - и 5-типа. В связи с неравномерным распределением межузельных атомов в поперечном сечении кристалла в областях с максимальной концентрацией Si - образуются преимущественно микродефекты Л - типа, а в областях с пониженной их концентрацией - микродефекты 5-типа. [32]
При использовании кристаллов типа НБС, имеющих высокую диэлектрическую проницаемость е при комнатной температуре, первостепенное значение приобретает верхняя гралица рабочей частоты модуляции, так как при высокой частоте происходит нагревание электродов, ведущее к повышению температуры кристалла и, следовательно, к изменению величины двупреломления. [33]
Магнитная восприимчивость кристаллов типа TTF-TCNQ мала и во всем интервале температуры становится диамагнитной ( см. рис. 4.13 а), что существенно отличается от рассмотренных выше ЗМ-размерных кристаллов типа V2O3, в которых также происходит ФП типа металл - диэлектрик, но с антиферромагнитным упорядочением. [34]
Таким образом, кристаллы типа МОС13 могут существовать в виде двух полиморных модификаций. Из трех возможных наиболее правдоподобным казался мотив в форме зигзагообразной цепочки октаэдров, каждый из которых сопрягается с соседним по двум непараллельным хлорным ребрам, так что связь Мо0к, оказывается, располагается в транс-позиции к одному из мостиковых атомов хлора. [35]
Для примера возьмем простейшие кристаллы типа М Х - ( или Mf X) и ограничимся рассмотрением общих уровней, слившихся в зоны. [36]
Онзагера хорошо описывает кристаллы типа антрацена. Оказывается, что существенное отличие от теории Онзагера возникает только тогда, когда среднее расстояние, на которое происходит прыжок, значительно больше типичного параметра решетки молекулярных кристаллов. Что касается одномерных систем, то оказалось, что для идеальной одномерной системы длина отрезка вдоль оси вероятности диссоциации на графике ее зависимости от электрического поля при нулевом значении поля должна равняться нулю. Отклонение величины этого отрезка от нуля может быть мерой анизотропии движения зарядов. Достоинство метода машинного моделирования в том, что он легко позволяет учесть любую степень анизотропии - от чисто одномерного до трехмерного изотропного случая. [37]
 |
Параметры ячеек ферроцианидов, изоструктурных. [38] |
В отличие от кристаллов типа Gs2Ca [ Fe ( GN) 6l, на дифрактограммах, полученных на УРС-50И, здесь выявляются очень слабые отражения со смешанными индексами типа 210, 211 и 310, и отражение 200, которые обычным фотографическим методом не выявляются и на повторных препаратах. Мы предполагаем, что указанные отражения имеют слабую интенсивность, и в связи с очень малыми размерами кристаллов ( - 10 см) они настолько сильно размыты, что сливаются с фоном. [39]
 |
Температурная зависимость диэлектрической проницаемости образцов КТН и KNbO3. [40] |
Исследованы условия выращивания кристаллов типа КТН и установлено, что на качество кристаллов существенное влияние оказывает стабильность теплового режима. [41]
В фононной подсистеме кристаллов типа сегнетовой соли имеет место мягкая мода, частота которой в точках Кюри приближается к нулю, а в промежутке между Тст и ТС. В протонной подсистеме имеет место псевдомягкая мода, частота которой, с приближением к сегнетофазе со стороны высоких температур, медленно понижается ( но при Т Тс2 в нудь не обращается), затем одагодаря фазовому переходу в фононной подсистеме я протон-фононному взаимодействию она начинает повышаться и проходит через максимум в сегнетофазе. В низкотемпературной парафазе частота &0 снова увеличивается. [42]
Наконец, в кристаллах типа 1 электроны, принимающие активное участие в атомном магнитном порядке, состоят из бывших 3d - и 44 - - электронов изолированных атомов. Ферми, что благоприятствует обменным силам в их борьбе с размагничивающими тенденциями в Ферми газе ( см. Парамагнетизм) и приводит к появлению намагниченного состояния в Fe, Co, Ni и в их мпогочисл. [43]
Поскольку вакансии в кристаллах типа Ge могут проявлять акцепторные свойства [333, 421], то в работах [ 89, 90, 92, 99, 108, ПО, 111, 454 - 463 ] п - р-конверсию, наблюдаемую в n - Ge при закалке, и эффект термоотжига ( в закаленных кристаллах) непосредственно связали с проявлением точечных дефектов. [44]
Структура зон в кристаллах типа алмаза была подробно исследована Германом. Результаты расчета для алмаза [11] показаны на фиг. [45]
Страницы: 1 2 3 4