Кристалл - цинк
Cтраница 3
 |
Зависимость концентрации твердого. [31] |
На рисунке 3 приведена одна из серий рентгенограмм, снятых - с монокристалла алюминия, покрытого слоем цинка толщиной - 60 мк. На рентгенограмме ( рис. 36) видны дебаев-ские кольца цинка, на которых выделяются рефлексы от отдельных достаточно крупных ( - 10 - 4 см) кристаллов цинка После выдержки образца при температуре 400 С в теченис-7 часов ( рис. Зв) дебаевские кольца становятся сплошными, что указывает на измельчение зерен цинка. [32]
В случае усов цинка рост происходит при температуре на 80е С ниже точки плавления, а температура насыщения пара примерно равна температуре плавления. Усы растут в присутствии водорода или гелия при давлении между 10 и 600 мм рт. ст. Они образуются либо на стенках кварцевого сосуда, либо на образовавшихся ранее массивных кристаллах цинка. [33]
 |
Диаграмма напряжение - удлинение монокристаллов алюминия в неактивной ( / и в активной ( 2 среде ( по П. Л. Ребиндеру. [34] |
Поверхностно активными веществами являются не только органические жидкости. Адсорбционные эффекты происходят также в присутствии поверхностно активных металлов, например, ртути и галлия. Например, если поместить кристалл цинка в ртуть так, чтобы он покрылся тонкой пленкой, а затем согнуть его, то свойственная цинку пластичность исчезает и кристалл оказывается очень хрупким. В этом случае происходит сильное понижение предела текучести. Уже при очень низких напряжениях кристалл ломается с возникновением зеркальных плоскостей спайности. [35]
Другая отличительная особенность упрочнения алюминия, охлажденного на воздухе, по сравнению с закаленным золотом ( исключая закалку со скоростью 2000 град / сек) может быть обусловлена различной природой дислокационно-вакансионного взаимодействия в этих металлах. Упрочнение, наблюдаемое в медленно охлажденных кристаллах цинка, может объясняться таким же образом, как и в алюминии. [36]
 |
Обработка металлического вала резцом, армированным пластинкой из сверхтвердого сплава ( показана черным.| Монокристалл цинка, подвергнутый растяжению ( схема. [37] |
Мы уже говорили ( § 264), что кристалл льда по своим механическим свойствам похож на стопу стеклянных пластинок, соединенных не вполне затвердевшим клеем. На рис. 479 показана форма кристалла цинка, подвергнувшегося растяжению. На кристалле ясно видны следы скольжения слоев. Установлено, что скольжение слоев никогда не начинается сразу по всему объему кристалла. Оно начинается с какого-нибудь одного места, где решетка почему-либо ослаблена ( см. окончание § 266), и затем постепенно распространяется на другие места. [38]
Вид новой ячейки объяснен влиянием структуры Zn. Предполагалось, что окись растет на кристаллах цинка с параллельной ориентацией. Эта псевдоморфная структура, по мнен ию авторов, сохранялась до значительной толщины. Несколько позже Финч и Кворелл [58] исследовали путем просвечивания тонкие пленки Z nO, образованные на поверхности расплавленного цинка. Было указано, что в этом случае у ZnO также наблюдается псевдоморфная с Z n структура. [39]
Эта зависимость наиболее отчетливо проявляется на гексагональных кристаллах вследствие сингулярности базисной плоскости скольжения. У кубических металлических кристаллов она выявлена менее отчетливо, но все же достаточно явственно. На рис. 9 показана зависимость Рт от ориентировки решетки кристаллов цинка по отношению к действующей силе. [40]
 |
Зависимость способа плотной упаковки от размеров шаров, укладываемых в один слой на плоскости. [41] |
Если при построении кристаллов из атомов или молекул действует принцип плотной упаковки, то, казалось бы, в природе должны встречаться кристаллы только в виде кубов и шестигранных призм. Кристаллы такой формы действительно очень распространены. Гексагональной плотной упаковке атомов соответствует, например, форма кристаллов цинка, магния, кадмия. Кубической плотной упаковке соответствует форма кристаллов меди, алюминия, серебра, золота и ряда других металлов. [42]
К четвертой группе примесей относятся: клей, желатина, мыльный корень, ксантогенат натрия и пр. Часть из них ( клей, желатина, мыльный корень) специально вводят в электролит. Примеси этой группы оказывают большое влияние на структуру катодного осадка цинка и таким образом отражаются на выходе по току. При неровном осадке на выступающих гранях кристаллов цинка наблюдаются локальные повышения плотности тока, вызывающие местную концентрационную поляризацию и приводящие к выделению водорода. Одновременно на большей части осадка, имеющего развитую поверхность, наблюдается понижение фактической плотности тока, что, как уже отмечалось, также ведет к снижению выхода по току. [43]
 |
Предельно допустимые содержания отдельных примесей. [44] |
К четвертой группе примесей относятся: клей, желатина, мыльный корень, ксантогенат и пр. Часть из них ( клей, желатина, мыльный корень) специально вводят в электролит. Примеси этой группы оказывают большое влияние на структуру катодного осадка цинка и таким образом отражаются на выходе по току. При неровном дендритном осадке на выступающих гранях кристаллов цинка наблюдаются локальные повышения плотности тока, вызывающие местную концентрационную поляризацию и приводящие к выделению водорода. Одновременно на большей части осадка, имеющего развитую поверхность, наблюдается понижение фактической плотности тока, что, как уже отмечалось, также ведет к снижению выхода по току. [45]
Страницы: 1 2 3 4