Кристалл - галогенид - серебро
Cтраница 1
Кристаллы галогенидов серебра являются фотополупроводниками. Фотополупроводниковые свойства могут быть описаны с помощью зонной теории. В отличие от атомов и изолированных молекул с уровнями разрешенных и запрещенных состояний, в твердом теле возникают соответствующие зоны. Верхняя заполненная электронами зона называется валентной, а следующая разрешенная высоко расположенная вакантная - зоной проводимости. [1]
 |
Спектр поглощения 1 02, фотохимически окрашенной лшшановской AgBr-эмульсии О. [2] |
Кристаллы галогенидов серебра, в том числе и эмульсионные микрокристаллы, отличаются своеобразным спектром примесного поглощения, который характеризуется так называемой тонкой структурой. Под этим термином здесь понимается система сравнительно узких полос, наблюдаемая, при известных условиях, в спектрах поглощения твердых и жидких сред в широком интервале длин волн при обычной температуре. [3]
Кристаллах галогенидов серебра, что тормозит их рост. [4]
Исключительная роль кристаллов галогенидов серебра в качестве светочувствительного субстрата обусловлена совокупностью их физических свойств, в частности возможностью предотвращать рекомбинацию фотоэлектронов и дырок путем внесения примесей в кристалл, высокой ионной и фотопроводимостью, относительно высокой стабильностью и способностью к длительному хранению скрытого изображения, каталитическими свойствами серебра скрытого изображения при проявлении. [5]
В случае кристаллов галогенидов серебра подобные одиночные дефекты решетки должны исчезать еще быстрее вследствие большей подвижности ионов серебра. Действительно, опыты Джонстона [3] по определению увеличения электропроводности монокристаллических и поликристаллических образцов бромида серебра под влиянием пластической деформации по результатам очень схожи с опытами А. В. Степанова и Дьюлая, но увеличение электропроводности не превышало при этом двукратного значения для недеформированного образца, что, видимо, связано с быстрой рекомбинацией избыточных дефектов. [6]
Обычные фотографические эмульсии состоят из кристаллов галогенидов серебра ( главным образом бромида серебра) в слое желатина. Под воздействием падающего излучения зерна галогенида серебра становятся чувствительными к последующему проявлению: в фотографическом слое возникает невидимое ( так называемое скрытое) изображение. Химическое проявление в растворе с восстановительными свойствами приводит к выделению металлического серебра на центрах скрытого изображения: возникают отдельные зерна серебра. Затем следует обработка в фиксирующем растворе, при этом из фотослоя удаляется оставшийся невосстановленным гало-генид серебра. Окончательная промывка удаляет остатки растворимых химикатов. Изготовители фотоматериалов обычно указывают конкретные режимы обработки для каждого вида фотослоев. [7]
Энергия, вызывающая фотохимические превращения в кристаллах галогенидов серебра, может быть получена от электромагнитного излучения или от движущихся частиц. Механизм первичного процесса, знание которого весьма важно для уяснения фотографических процессов, еще достоверно не установлен. [8]
 |
Зависимость тангенса угла диэлектрических потерь от частоты ( AgCl с примесью 0 025 мол. % CdCI2, Г 203К. [9] |
В качестве примера исследования комплексов дефектов в кристаллах галогенидов серебра на рис. 80 представлена зависимость тангенса угла диэлектрических потерь tg6 в монокристаллах AgCl, содержащих 0 026 мол. [10]
При рассмотрении вопроса о фотопроводимости будем считать, что кристаллы галогенидов серебра, представляющие интерес для фотографии, имеют полиэдрическую субструктуру, в которой малые объемные элементы относительно совершенного материала разделены границами субструктуры, образуемыми рядами и сетками дислокаций. Предположим также, что излучения, соответствующие оптической полосе поглощения, поглощаются главным образом внутри объемных элементов субструктуры. Хотя ионы, находящиеся на свободных поверхностях и границах субструктуры, могут поглощать более длинноволновое излучение, вызывающее фотохимические превращения, соответствующие коэффициенты поглощения должны быть малы. [11]
С теоретической точки зрения окончательный результат облучения несенсибилизированных и химически сенсибилизированных кристаллов галогенидов серебра, по-видимому, не зависит от детального механизма первичного фотохимического акта. Если электроны и положительные дырки в кристаллах галогенидов серебра образуются парами, то дырки обладают, вероятно, более коротким временем жизни, чем электроны. Захват положительной дырки, например атомом серебра, находящимся на дислокации или на границах субструктуры, приведет к образованию иона серебра и электрона, движущегося в электростатическом поле иона. Точно такое же состояние может явиться результатом возбуждения атома серебра путем его взаимодействия с экситоном. [12]
Эта глава посвящена главным образом описанию превращений, происходящих в кристаллах галогенидов серебра при химической сенсибилизации и экспонировании, и тех физических и химических свойств данных кристаллов, знание которых требуется для понимания механизма указанных превращений. [13]
Исследуемые системы делятся на две группы: к одной из них относятся кристаллы галогенидов серебра, которые экспонируются и обрабатываются в мокром состоянии, к другой - кристаллы, экспонируемые в сухом виде. Наиболее характерной чертой этой системы является быстрое ослабление скрытого поверхностного изображения, получаемого при экспонировании, с увеличением времени хранения до проявления. [14]
По данным Эвва [123] при 81 % ацетилирования гидроксильных групп ПВС рост кристаллов галогенидов серебра протекает нормально, но кристаллы обладают высокой степенью дисперсности. Таким образом, ацетилированные ПВС удовлетворяют полному комплексу требований для его технологического использования в первом созревании. [15]
Страницы: 1 2 3