Примесный кристалл

Cтраница 1

Примесные кристаллы представляют собой хорошие модельные системы для изучения влияния размеров этих областей на экситонные реакции, например на аннигиляцию экситонов между собой. [1]

Используя примесные кристаллы С10Н8 - C10Dg с концентрациями примесных молекул С 0Н8 от 0 1 до 20 %, они обнаружили, что ID - 1ХР, где х является функцией интенсивности возбуждения, интервала времени после возбуждения и концентрации примеси. При Т 1 7 К величины х лежат в интервале от 2 до - 30 и монотонно возрастают с уменьшением концентрации нафталина. Классическая кинетика справедлива для примесных кристаллов, когда концентрация примеси выше порога протекания ( в случае триплет-триплетной аннигиляции это соответствует С 10 % молярной доли); в этом случае / 1 и 7 не зависит от времени. Ранее было показано [10], что ограниченные кластером случайные блуждания имеют свойства, характерные для кинетики в условиях протекания. [2]

Лазеры на примесных кристаллах представляют собой системы, в которых в качестве активного вещества используются кристаллические материалы. Генерация и усиление осуществляются в этих системах в результате переходов возбужденных ионов-активаторов, введенных в решетку кристалла, в устойчивое состояние. [3]

Дифракционная эффективность в примесных кристаллах не может превышать значения г 100 % - а ( Я) %, где а ( Я) - поглощение света для длины волны считывания. [4]

Активным веществом лазеров на примесных кристаллах служат ионы элементов переходных групп, внедренные в кристаллическую матрицу. Возбуждение ионов-активаторов осуществляется оптически, чаще всего с помощью газоразрядных импульсных ламп или ламп непрерывного действия. [5]

Подавляющее число лазеров на примесных кристаллах генерирует излучение на чисто электронных переходах. Интерес к лазерам на электронно-колебательных переходах ( рис. 34.11) связан в основном с возможностью перестройки длины волны излучения. [6]

Рассчитав электронную структуру ячеек 1 - 4 примесного кристалла, можно оценить по ширине примесной зоны, достаточно ли этого для моделирования одиночного дефекта. [7]

В твердотельных лазерах используются в качестве активной среды примесные кристаллы, стекла и полупроводники. Генерация и усиление осуществляются в результате переходов возбужденных ионов-активаторов, внедренных в решетку основного кристалла, в устойчивое состояние. Накачка производится оптически, чаще всего с помощью газоразрядных ламп. Кроме ионов-активаторов в кристаллы вводят иногда другие ионы, называемые сенсибилизирующими добавками. Они позволяют получить дополнительное поглощение энергии накачки и передать ее лазерному иону, повышая таким образом эффективность преобразования. [8]

Отметим в этой связи, что в низкотемпературных спектрах примесных кристаллов такого рода состояния действительно наблюдаются. В [363, 364] локальные экситоны наблюдались, в частности, в кристаллах нафталина с примесями тионафтена, индола и бензофурана. Более мелкие локальные экситоны могут играть роль ловушек при достаточно низких температурах. С повышением температуры в игру должны вступать все более глубокие ловушки, при этом эффективная величина R должна падать. Однако с повышением температуры падает также и длина свободного пробега Z, так что неравенство R I может выполняться, вообще говоря, не только при низких, но и при умеренно высоких температурах ( здесь мы говорим об области существования когерентных экситонов; неравенство R I может оказаться выполненным и для некогерентных экситонов, если только фер-стеровский радиус RQ R велик по сравнению с постоянной решетки, см. гл. [9]

Сходный механизм уширения спектра действует, как известног в примесных кристаллах, где фононные уровни энергии сгруппировались в квазинепрерывные зоны. Наблюдаемый колебательный спектр фрагмента ОНО по форме похож на электронный спектр примесного центра. Ниже будет показано, что такое поглощение может появиться, если в системе с большим числом колебательных степеней свободы велико как протон-фононное взаимодействие, так и фононная частота. [10]

Пусть атомы локализованы в твердом теле, например в примесном кристалле, используемом в твердотельном лазере. Даже при этом атомы находятся в неравных условиях, если на них воздействует излучение стоячей волны. В частности, для атомов, расположенных в пучностях стоячей волны, могут быть выполнены условия насыщения, а для атомов, расположенных в узлах, максимальная амплитуда поля может быть недостаточной для этого. Таким образом, наш анализ должен учитывать пространственную структуру поля. [11]

Материалы полупроводниковых лазеров. [12]

В полупроводниковых лазерах, в отличие от лазеров на примесных кристаллах, активным веществом служит сама кристаллическая матрица полупроводника, а примеси лишь служат источником носителей заряда: электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. При создании с помощью накачки избыточного ( по сравнению с равновесным) числа электронов и дырок возможно возвращение к состоянию равновесия посредством оптического межзоиного перехода - фоторекомбинации. [13]

Сходный механизм уширения спектра действует, как известно, в примесных кристаллах, где фононные уровни энергии сгруппировались в квазинепрерывные зоны. Наблюдаемый колебательный спектр фрагмента ОНО по форме похож на электронный спектр примесного центра. Ниже будет показано, что такое поглощение может появиться, если в системе с большим числом колебательных степеней свободы велико как лротон-фононное взаимодействие. [14]

А ( о) А ( о), CQ С0, где величины, отмеченные штрихом, относятся к примесному кристаллу. Отметим, что неравенство ( 3) получено в том случае, когда не учитывались изменения концентрации носителей, что, как показано в работе [2], всегда приводит к понижению температуры фазового перехода. [15]

Страницы: 1 2 3