Примесный кристалл

Cтраница 2

Заметим, что решение проблемы сужения однородной ширины линий в оптике важно не только с позиций оптимального функционирования оптических эхо-процессоров, но и с позиций фемтосекундной эхо-спектроскопии примесных кристаллов. Дело в том, что активное использование в спектроскопии фемтосекундных импульсов с длительностью 5 - 6 фс [200] позволяет в настоящее время проводить эксперименты по фотонному эхо на твердотельных образцах, находящихся при комнатной температуре. В этих условиях спектральные линии оптических переходов характеризуются однородной шириной, существенно превосходящей неоднородную ширину, что, в свою очередь, создает трудности для наблюдения на таких образцах фотонного эха. [16]

Диаграмма состояния элементарного углерода, показывающая. [17]

Промышленное применение основано на том, что электропроводность германия может быть значительно увеличена путем включения в его алмазоподобную решетку следов элементов III или V группы. Такие примесные кристаллы содержат в решетке либо электронные вакансии, либо избыток электронов, что создает условия для увеличения подвижности электронов в кристалле. [18]

Низкоплавкий изомер кристаллизуется в форме плоских игл. Несколько примесных кристаллов высокоплавкого изомера удаляют вручную, соблюдая при этом правила работы с мечеными атомами. [19]

Таким образом, изложенная упрощенная теория дает достаточно простые выражения для ионной проводимости кристаллов с различными типами разупорядоченности. Однако для примесных кристаллов экспериментальные кривые обнаруживают подчас весьма причудливый ход, не укладывающийся в рамки изложенной упрощенной теории. Зависимость электропроводности от температуры и содержания примесей удается достаточно надежно интерпретировать лишь для тщательно приготовленных образцов, состав которых точно известен. На рис. 6.5 показан пример двух образцов NaCl, механизм электропроводности которых расшифрован достаточно надежным образом. [20]

В работе [245] рассмотрены и другие схемы возбуждения и проведено обоснование процесса реализации информационных вентилей квантовых процессоров. Такие процессоры требуют охлаждения примесного кристалла до температур жидкого гелия. Проблема лазерного охлаждения носителей информации этих квантовых процессоров может быть решена путем дополнительного легирования нерабочей части носителя ионами трехвалентного иттербия. [21]

Спектр отражения CdS при рассеянии излучения аргонового лазера. Часть излучения создает электронно-дырочные пары и вызывает люминисценцию. [22]

Кроме того, колебания примесных атомов локализованы. В спектре решеточного поглощения примесных кристаллов наблюдаются узкие линии так называемых локальных колебаний, связанных с тепловым движением примесных атомов. Частоты этих колебаний четко характеризуют тип примеси. [23]

Полупроводниковые лазеры используют в качестве активных элементов неорганические вещества ( кристаллы), обладающие свойствами полупроводников. В отличие от лазеров на примесных кристаллах генерация излучения в полупроводниках происходит не на переходах между уровнями примесных ионов, а на переходах между зоной проводимости и валентной зоной или между зонами и уровними, образуемыми примесями в запрещенной зоне, самого полупроводника. Таким образом, активным веществом является сама кристаллическая матрица, а примеси служат источником зарядов ( электронов и дырок), рекомбинация которых приводит к возникновению фотонов. [24]

Вероятность замещения в кристаллической решетке простых окислов типа МО катионами анионных узлов и наоборот очень мала. Они в основном возникают в примесных кристаллах и будут рассмотрены далее. [25]

Полупроводниковые лазеры используют в качестве активных элементов неорганические вещества ( кристаллы), обладающие свойствами полупроводников. В отличие от лазеров на примесных кристаллах генерация излучения в полупроводниках происходит не на переходах между уровнями примесных ионов, а на переходах между зоной проводимости и валентной зоной или между зонами и уровнями, образуемыми примесями в запрещенной зоне, самого полупроводника. Таким образом, активным веществом является сама кристаллическая матрица, а примеси служат источником зарядов ( электронов и дырок), рекомбинация которых приводит к возникновению фотонов. [26]

Весьма широки возможности модификации свойств молекулярных кристаллов для оптимизации характеристик соответствующих рабочих элементов. Обычно модификация свойств достигается путем создания примесных кристаллов. Модификация спектров поглощения и люминесценции молекулярных кристаллов с помощью введения примесей возможна в более широких пределах, чем у ионных кристаллов. Действительно; вероятность образования примесных дефекюв а молекулярных кристаллах, в которых молекулы связаны относительно слабыми ван-дер-ваальсовыми силами, больше, чем в ионных кристаллах, решетка которых образуется под влиянием более сильного кулоновского взаимодействия. [27]

Он близок к единице и в таких примесных кристаллах, где дырки при низких температурах закрепляются в центрах прилипания и теряют подвижность. В других кристаллах квантовый выход также всегда остается большим, порядка нескольких десятых. [28]

Однако эта терминология не получила еще широкого распространения, и потому мы сохраняем в переводе применяемый автором термин фосфоресценция, хотя было бы целесообразно называть все процессы спонтанного свечения процессами флуоресценции, сохранив термин фосфоресценция лишь для процессов рекомбинационных. Так как эти процессы происходят преимущественно в примесных кристаллах, где ионизация центра связана с переходом электрона в полосу проводимости кристалла, то в этих случаях часто говорят также о явлениях кристаллофосфоресценции. [29]

Как отмечалось в разд. Так, например, вводя в нелинейные молекулярные кристаллы люминесцентные примеси, можно получать примесные кристаллы, в которых примесь люминесцирует при поглощении преобразованного сигнала. [30]

Страницы: 1 2 3