Совершенный кристалл

Cтраница 2

При повороте совершенного кристалла по часовой стрелке ( если смотреть в направлении падающего пучка) относительно несовершенного кристалла дополнительная полуплоскость поворачивается примерно на я / 2 тоже по часовой стрелке. [16]

Дня выращивания совершенных кристаллов на фронте кристаллизации стремятся к равновесному состоянию. Тем не менее, как указывается в [163], даже кристаллы кубической формы, например, серебра, меди, золота, которые уже в силу симметрии своей структуры должны развиваться одинаково по трем взаимно перпендикулярным направлениям, могут образовываться в форме дендритов. В [163] факты неодинакового роста объясняются тем, что в протекающих во времени процессах осуществляются сразу две до определенной степени противоположные тенденции: стремление к минимуму свободной энергии и стремление к наибольшей быстроте завершения процесса. Кристалл может достичь минимума поверхностной энергии только в условиях равновесия, то есть при бесконечно медленном росте, а наибольшей быстроты образования - при бесконечно развитой поверхности. В реальных условиях всегда наблюдаются компромиссные формы, иногда приближающиеся к ограненным равновесным, иногда - к ветвистым неравновесным. [17]

Модель роста совершенного кристалла в идеальных условиях была дана Косселем. [18]

Для получения совершенных кристаллов необходимо очень тщательно регулировать температуру расплава и вытягиваемого кристалла. Грань растущего кристалла, находящаяся в контакте с расплавом, должна быть плоской; необходимо избегать механических вибраций - Метод зонной плавки идеально пригоден для производства монокристаллов. [19]

Идеальная структура совершенного кристалла в действительности нарушается. С одной стороны, это объясняется наличием случайных несовершенств самой разнообразной природы, которые мы здесь рассматривать не будем; с другой стороны, очень важную роль играет тепловое движение атомов, которое не прекращается даже при абсолютном нуле и интенсивность которого возрастает с температурой. [20]

При моделировании совершенного кристалла молекулярным кластером пространственная группа Ф заменяется точечной группой G фрагмента. [21]

При моделировании совершенного кристалла кластером из конечного числа атомов специального рассмотрения требует вопрос о выборе его формы и размера. При выборе кластера, как следует из общих соображений, высказанных в [12], предпочтительнее исходить из РЭЯ, а не включать в него то или иное число сфер соседей вокруг центрального атома, как это делается обычно. В § 2.8 отмечалось, что в кристаллах с примитивной решеткой Браве кластер, полученный на основе симметричного расширения примитивной ячейки, правильно передавая химический состав кристалла ( его стехиометрию), обладает симметрией кристаллического класса. [22]

У большинства совершенных кристаллов наблюдается повторяемость граней, ребер и углов, которая называется симметрией многогранника. Основными элементами симметрии в кристалле являются оси, плоскости и центр. [23]

Плоская прямоугольная центрированная решетка. [24]

Применение для совершенного кристалла модели КРЭЯ связано с изменением классификации его одноэлектронных состояний. [25]

Для получения совершенных кристаллов полупроводниковых соединений в последнее время широкое распространение получает метод выращивания из раствора-расплава. Этот метод удобен тем, что позволяет выращивать кристаллы при температурах значительно ниже температуры плавления чистого соединения. Кроме того, можно получать кристаллы с высоким уровнем легирования, когда легирующей добавкой является сам растворитель. [26]

Допустим, имеется совершенный кристалл при абсолютном нуле. В этом кристалле мощные силы, действующие между атомами, располагают последние в порядке, отвечающем минимуму свободной энергии. [27]

Идеальные, или совершенные кристаллы, отличаются тем, что составляющие их частицы расположены в правильно и строго повторяющихся в пространстве узлах. Такие идеальные кристаллы не содержат пустых узлов или частиц, находящихся вне узлов решетки. Специфические свойства твердых тел связаны, однако, с тем, что строение реальных кристаллов далеко от совершенства и они содержат различные дефекты. Такие дефекты называются биографическими. Другие дефекты присущи кристаллу в его равновесном состоянии и они должны появиться, даже если ранее их не было. Эти так называемые равновесные, или тепловые дефекты должны исчезать при низких температурах, когда тепловая энергия частиц, составляющих твердое тело, недостаточна, чтобы вызвать отклонения от совершенного кристаллического строения. [28]

В кластерной модели совершенный кристалл и кристалл с ЛЦ моделируются комплексами из конечного числа атомов, имеющими одинаковую симметрию, соответствующую точечной симметрии кристалла с ЛЦ. Увеличение размеров кластера, моделирующего совершенный кристалл, сопровождается увеличением числа уровней в группах, моделирующих энергетические зоны, и уменьшением расстояния между уровнями. Увеличение кластера, моделирующего кристалл с ЛЦ, позволяет выяснить степень делокалнзации локальных состояний по кристаллу и влияние учета взаимодействия центра с атомами кристалла, не являющимися ближайшими соседями, на положение локальных уровней. [29]

Нормальный рост дает наименее совершенный кристалл, слоевой рост - наиболее совершенный. При слоевом росте поверхность роста гладкая, при нормальном - шероховатая. [30]

Страницы: 1 2 3 4