Совершенный кристалл

Cтраница 3

Вещество, представляющее собой совершенный кристалл, при абсолютном нуле находится IB своем наинизшем квантовом состоянии, которое может быть единственным состоянием. [31]

В этом методе почти совершенный кристалл германия устанавливается под углом Брэгга, так чтобы обеспечить высокую параллельность и строгую монохроматичность рентгеновского пучка ( см. фиг. Второй кристалл устанавливается так, чтобы получилось то же самое брэгговское отражение. Тогда весьма небольшая разориентировка или очень небольшое изменение параметра решетки в некоторой области второго кристалла может ввести эту область в отражающее положение или вывести из него. Распределение интенсивности пучка, отраженного от второго кристалла, регистрируется на фотопластинке, установленнЬй близко от образца и параллельно ему. [32]

Красители нередко образуют весьма совершенные кристаллы значительных размеров. [33]

Например, энтропия совершенного кристалла должна быть равна нулю, если все его молекулы находятся в одинаковых квантовых состояниях, независимо от того, являются ли эти состояния основными или возбужденными электронными состояниями, как это имеет место в лазерах. [34]

Для специального случая совершенного кристалла в какой-либо высокосимметричной ориентации Каули и Муди [79 ] предположили, что дифракция электронов на прохождение должна дать информацию о симметрии проекции структуры слоев, перпендикулярных пучку, включая систематические погасания. [35]

В самосогласованных расчетах совершенных кристаллов, как мы видели в предыдущих главах, выбор КРЭЯ целесообразно осуществить, пользуясь теорией специальных точек зоны Бриллюэна. Для кристаллов с локальными центрами в расчете электронной структуры КРЭЯ необходимо передать прежде всего те состояния совершенного кристалла, в которых отщепляются локальные уровни от зонных. [36]

Теоретически в случае больших совершенных кристаллов область углов отражения должна составлять по порядку величины несколько угловых секунд, а интенсивность отражений должна быть пропорциональной структурному фактору. Но для большей части кристаллов характерна область углов отражения в несколько угловых минут, а интенсивность отражений пропорциональна квадрату структурного фактора. Это расхождение объясняется тем, что кристаллы в большинстве случаев несовершенны и состоят из крошечных участков, разориентированных друг относительно друга из-за наличия дислокаций, границ зерен и мозаичных блоков. [37]

В качестве примера действительно совершенных кристаллов ( в первом приближении, конечно) можно назвать здесь кристаллы алмаза, кремния и германия. [38]

Для применения к очень совершенным кристаллам, где N-процессы могут стать доминирующими, этот простой релаксационный метод следует модифицировать. Например, в методе Кал-луэя теплопроводность описывается двумя членами [ формула (6.1) ] и простое сложение релаксационных скоростей даже под интегралом не дает правильной формулы для теплопроводности. Если, однако, даже в чистом кристалле резистивное рассеяние достаточно велико по сравнению с рассеянием вследствие N-процессов, то можно не учитывать скорость релаксации, обусловленную N-процессами, и второй член в формуле Кал-луэя станет пренебрежимо малым. В то же время первый член совпадет с выражением (4.96), так как N-процессы не учитываются. [39]

Рентгеновский интерферометр Бонзе - Харта.| Схема многослойных покрытий. в ], к, - диэлектрические проницаемости 1-го и 2-го материалов. [40]

Дифракция ЖР-иалучения на совершенном кристалле благодаря регулярному расположению атомов крис-таллич. Это означает, что многократное рассеяние излучения на кристаллич, плоскостях сохраняет свои когерентные свойства, в результате чего амплитуда дифраги-ров. Интерференция дифрагированных и проходящей волн приводит к образованию результирующего волнового поля в кристалле, к-рое может быть представлено в виде суперпозиции волн, получивших назв. [41]

Образование вакансий в совершенном кристалле требует разрыва четырех связей; половина этой энергии возвращается кристаллу, когда удаляемая молекула достигает поверхности. Отсюда следует, что общая затрата энергии эквивалентна энергии двух связей: Wy 0 5 эв. Релаксационные процессы могут понизить эту величину примерно до 0 4 эв. Для образования вакансии вблизи L - или D-дефекта требуется меньше энергии, что облегчает образование VL - или VD-ассоциатов. [42]

Однако при прохождении через тонкие совершенные кристаллы корреляция экспериментальных наблюдений с теоретическими вычислениями может быть сделана с гораздо большей уверенностью. [43]

Схема получения Срэгг-френелевской зонной пластинки. [44]

Трехмерные БФЛ изготовляются из совершенных кристаллов или зеркал с МСП. Одномерные брэгг-френелевские элементы ( БФЭУ с вариацией периода в объеме структуры являются дифракц. Управляя положением отражающих плоскостей БФЭ е помощью электрич. [45]

Страницы: 1 2 3 4