Совершенный кристалл

Cтраница 4

Применение кластерной модели для совершенного кристалла связано с принципиальными трудностями, обусловленными различием симметрии кристалла и кластера. Вопрос об оптимальном выборе симметрии и формы кластера в этом случае требует специального исследования. [46]

Принято считать слоистую структуру совершенного кристалла графита плоской. Кроме того, существует обширный класс стабильных полициклических ароматических углеводородов ( к примеру, нафталин и антрацен) с плоской структурой. У реальных же графитовых слоев ( свободно парящих графитовых листов 250), находящихся под действием высоких температур или давлений в кинетическом равновесии с твердой графитовой фазой, нет атомов для присоединения к концевым связям. Следовательно, такие структуры не должны оставаться плоскими. [47]

Естественно, что получение достаточно больших и совершенных кристаллов даже для хорошо кристаллизующихся полимеров задача не простая, но те возможности структурно-динамического анализа, которые сейчас имеются и в дальнейшем будут совершенствоваться, безусловно, оправдают усилия по совершенствованию методов кристаллизации. [48]

Применение модели КРЭЯ к совершенному кристаллу, как видно из предыдущего изложения, реализуется в несколько этапов. [49]

Величина предела упругости в достаточно совершенных кристаллах - 108 дин / см2, и она составляет 10 - 4 - 10 - 6 модуля сдвига G. Это позволяет провести теоретические оценки напряжения, необходимого для начала процесса скольжения, так называемого скалывающего напряжения, которые впервые были выполнены Френкелем. [50]

При атмосферном давлении в совершенных кристаллах титаната стронция диэлектрическая проницаемость не достигает максимума вплоть до 0 035 К. Внешние воздействия вызывают возникновение фазового перехода в полярное сегнетоэлектри-ческое состояние. При Г 4 2 К в смещающем поле зависимость Е ( t) обнаруживает широкий максимум, который при увеличении напряжения смещается в сторону более высоких температур. [51]

Кластерные модели кристаллов КС. и MgO. [52]

Способ построения кластера, моделирующего совершенный кристалл на основе РЭЯ, имеет, с нашей точки зрения, существенные преимущества перед применявшимися ранее и основанными на учете лишь точечной симметрии кристалла, так как не требует рассмотрения заряженных кластеров. Такой подход означает, в сущности, более последовательный учет реальной симметрии кристалла при моделировании его кластером. [53]

Зависимость прочности от числа Дальнейшее развитие В рабо-несовершенств в кристаллической ре - тах А. И. Одинга С сотруд-шетке металлов и сплавов никами. Ими предложены. [54]

Тейлор также полагал, что совершенный кристалл способен противостоять очень большому напряжению. [55]

Части I и III представляют собой совершенные кристаллы, тогда как часть II содержит дислокацию на глубине t z от начала части II и на расстоянии t 2 от ее задней поверхности ( фиг. [56]

Итак, согласно теории роста совершенных кристаллов при небольших пересыщениях сколько-нибудь значительного роста происходить не должно; если же пересыщение достигает величин 25 - 45 %, кристалл сразу начинает расти с измеримой скоростью, которая возрастает с увеличением пересыщения. Однако такое поведение на практике наблюдалось редко [29] и противоречит реальным явлениям, когда обнаруживаются кристаллы всех типов, растущих при пересыщениях 1 % и меньше. [57]

Страницы: 1 2 3 4