Малый кристалл

Cтраница 2

В свое время Павлов [460] предложил считать точкой плавления малого кристалла температуру, при которой твердая и жидкая сферические частицы одинаковой массы идентичного вещества находятся в равновесии со своим паром. Однако так определенная температура никоим образом не является температурой плавления малого кристалла при его нагревании, а представляет равновесную температуру ( тройную точку), при которой в смеси твердых и жидких частиц равных масс не происходит перенос вещества через пар от жидкости к твердому телу, или наоборот. [16]

Ван Гу к и Кильмартин [193] указывают на увеличенную растворимость малых кристаллов сахарозы, которую им удалось измерить с помощью рефрактометра. Однако величина ст, определенная ими для границы раздела кристалл сахарозы - водный раствор, очень мала ( лишь несколько эрг. [17]

Рекристаллизация зависит от коэффициента диффузии и различий в скоростях растворения больших и малых кристаллов. Малые кристаллы обладают большей растворимостью вследствие их более высокой поверхностной энергии и более низкой температуры плавления. Даже в случае весьма ограниченной растворимости диспергированных кристаллов, более мелкие кристаллы растворяются, а крупные растут, увеличиваясь в размерах. Олово или другие металлофильные ионы повышают растворимость благородного металла в стекле при низких температурах. [18]

Эффект экстинкции необходимо учитывать в случае дифракции электронов даже на малых кристаллах, так как амплитуда рассеяния для них примерно в 100 раз больше, чем для рентгеновских лучей. При дифракции рентгеновских лучей зкстинкционные эффекты становятся заметными, если области совершенного строения имеют размеры более 0 5 мкм. Учет поглощения ( допущение 3) рассмотрен в разделе 2 гл. [19]

Менее прямой метод оценки поверхностного натяжения основан на изменении параметров решетки малых кристаллов. Полученные этим методом данные [27] для окиси магния и хлорида натрия уже рассматривались в разд. Следует отметить, что эти данные относятся к неравновесному поверхностному напряжению, а не к поверхностному натяжению. [20]

Старение PbSO4 ( тв. в различных средах. [21]

Согласно предположению Кольтгофа и сотрудников, остваль-довский процесс созревания кристаллов ( растворение малых кристаллов и рост больших кристаллов), как правило, не имеет значения для процесса старения свежих осадков в среде, в которой эти осадки лишь слабо растворимы. Кольтгоф высказал предположение, что свежий осадок состоит из агломератов, образованных большим числом маленьких кристаллов, имеющих общие сольватные оболочки, и что процесс старения идет путем растворения в этих сольватных оболочках вещества из активных мест и высаживания его на менее активных местах. При этом решетка упорядочивается, а маленькие кристаллы срастаются друг с другом и избавляются от разделяющих их сольватных оболочек. Таким образом, агломераты превращаются в правильные кристаллы. [22]

Такой же процесс происходит и в том случае, когда в соприкосновении находятся даже микроскопически малые кристаллы двух различных металлов, как это обычно имеет место в сплавах ( стр. В этих условиях на поверхности металла возникает множество микроскопических гальванических пар ( микроэлементов), действие которых происходит в направлении растворения одного из компонентов сплава и приводит к постепенному разрушению поверхностных слоев металла. [23]

Аморфная фаза препятствует фазовым р а, переходам ( ожидаемым при охлаждении системы) в самых малых кристаллах и, таким образом, последние будут находиться в мета стабильном состоянии при комнатной температуре, создавая у границы с матрицей зону локальных натяжений. На поверхности в границах раздела эти натяжения могут исчезать, будучи разряженными вследствие нарушения сплошности или наличия ослабленных связей. При этом кристалл переходит в р-фазу. [24]

Можно, однако, показать, что ic - ji заметно отличается от нуля лишь в случае чрезвычайно малых кристаллов. Для кристаллов нормальных размеров форма определяется кинетическими соображениями, поскольку термодинамическая движущая сила, вызывающая образование равновесной формы кристалла, пренебрежимо мала. [25]

Рогинский пришел к выводу о том, что для экспериментальной проверки влияния размера кристалла на его скорость роста выгодны малые кристаллы и небольшие пересыщения. Этим, по-видимому, объясняется крайняя ограниченность экспериментальных данных об изменении линейной скорости роста с изменением размеров кристалла. [26]

Равновесные многогранники, у которых скорости роста граней пропорциональны величине удельной свободной поверхностной энергии, практически возникают только на начальных стадиях роста малых кристаллов, для макроскопических кристаллов это возможно лишь при определенных условиях. В реальных условиях скорости роста различных граней уже не являются характерными и не пропорциональны поверхностным энергиям. [27]

Сопоставление особенностей в строении граней больших кристаллов, обычно многогранно и неправильно оформленных, с наблюдениями правильного слоеобрэ зования при росте граней малых кристаллов, часто обладающих простыми формами куба, октаэдра или их несложными комбинациями, указывает, что существенными элементами в механизме преобразования формы кристалла, при росте его из простой в сложную являются именно эти элементарные слои роста. Следствием искажения формы элементарного слоя и возникающей кривизны или флуктуационного распадения грани является изменение естественных конвекционных потоков, усиливающих и ускоряющих начавшееся искажение формы растущего кристалла. [28]

Согласно Фрике1, понятие частица принято без доказательства, так как точного определения до сих, пор нет даже в случае самых малых кристаллов зародышей или ядер. В этом разделе размеры первичных частиц даются как пределы слипания, определяемые дифракцией рентгеновских лучей; частицы размером от более крупных агрегатов или агломератов до вторичных частиц или кристаллитов обычно измеряются с помощью электронного микроскопа ( см. А. [29]

К выводу основного уравнения дифракции. Отражение лучей от двух смежных плоскостей. [30]

Страницы: 1 2 3 4