Малый кристалл - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Если тебе до лампочки, где ты находишься, значит, ты не заблудился. Законы Мерфи (еще...)

Малый кристалл

Cтраница 3


Отметим, что описанный метод, который можно назвать методом проб и ошибок, не является единственным методом анализа структуры молекул, аморфных тел и весьма малых кристаллов.  [31]

32 Зависимость энтропии информации от числа атомов в цепочечных структурах ( N и от среднего числа атомов в активных ансамблях адсорбционных катализаторов ( V. [32]

Максимум информации, приходящийся на один атом ( или букву) простых каталитических структур ( п 1, 2, 3), лежит в области столь малых кристаллов с ребром в 3 - 4 атома, что их следует рассматривать скорее как докристаллические образования типа атомных ансамблей. При этом чем сложней активный центр, тем дальше в область больших образований перемещается максимум информации. Однако даже для сравнительно сложной структуры - секстета, максимум информации отвечает кристаллам всего с 6 - 7 атомами на ребре.  [33]

В зависимости от формы кристаллических образований меняются и физико-механические свойства одного и того же полимера, а быстрое охлаждение расплавленного полимера приводит к тому, что только часть малых кристаллов успевает агрегироваться в крупные кристаллические образования, поэтому при сварке кристаллических полимеров необходимо особенно тщательно соблюдать режимы последующего охлаждения.  [34]

У кристалла 80X80 мм Nal ( Tl) порог дискриминации может быть установлен в области низких энергий и при скорости счета в 5 раз меньше, чем в случае малого кристалла. Это объясняется тем, что с увеличением размеров кристалла значительно повышается роль многократного рассеяния квантов и увеличивается соответственно площадь под пиком полной энергии за счет уменьшения площади под непрерывным распределением.  [35]

Следует напомнить, что хотя метод дифракции нейтронов имеет те же преимущества и даже в значительно большей степени, что и метод дифракции электронов, последний можно и нужно применять при исследовании исключительно малых кристаллов, для которых этот метод может явиться единственным способом обнаружения дефектов различных типов или даже структурных модификаций. Структурные модификации тесно связаны с размером кристалла и полностью затушевываются в процессе усреднения, которое необходимо применять при дифракционных исследованиях макроскопических монокристаллов с помощью рентгеновских лучей или нейтронов.  [36]

Неясно происхождение плеча при 998 см 1 в спектре порошка: оно может быть связано с краем полосы 1040 см 1 с Е Ъ или, при учете его отсутствия в спектре образца, полученного седиментацией более крупных частиц ( рис. 2), - с одной из поверх-лостных мод малых кристаллов. Заметим, что спектр образца, лолученного седиментацией, дает указания на существование лри 518 см 1 еще одной полосы с Е Ъ, не обнаруженной в спектре отражения.  [37]

Пространственная решетка кристалла описывает его в трехмерном декартовом пространстве через три вектора а, Ъ и с ( или три скаляра а, Ь и с и три осевых угла а, р и Y) Системы плоских узловых сеток ( hkl) в этом представлении оказываются бесконечно протяженными для сколь угодно малого кристалла. Разные сетки ( hkl) пронизывают пространство столь плотно, что детальный геометрический анализ дифракции какого-либо проникающего излучения на кристалле осложнен.  [38]

39 Влияние концентрации кислоты. на количество перенесенного радия и адсорбцию хлорида бария заранее приготовленным осадком.| Влияние времени и величины удельной поверхности на количество радия, перенесенного заранее приготовленным осадком BaSO4. [39]

Большая поверхность заранее приготовленного осадка благоприятствует переносу благодаря большому количеству участков на поверхности решетки, на которых может происходить обменная адсорбция индикатора. Малые кристаллы с большими удельными поверхностями рекристаллизуются быстрее, чем крупные-кристаллы.  [40]

Рекристаллизация зависит от коэффициента диффузии и различий в скоростях растворения больших и малых кристаллов. Малые кристаллы обладают большей растворимостью вследствие их более высокой поверхностной энергии и более низкой температуры плавления. Даже в случае весьма ограниченной растворимости диспергированных кристаллов, более мелкие кристаллы растворяются, а крупные растут, увеличиваясь в размерах. Олово или другие металлофильные ионы повышают растворимость благородного металла в стекле при низких температурах.  [41]

Если исследуемая граница проходит через оптич. Для измерения малых кристаллов зрительную трубу превращают в микроскоп с небольшим увеличением, ставя добавочную линзу на окуляр и освещая снизу через николь. У других моделей того же достигают специальным объективом. Жидкости исследуют или в капле, нанесенной на середину полусферы ( освещение отраженным светом), или в цилиндрич. Очень малое двойное лучепреломление определяют с помощью микрометрич.  [42]

При небольших размерах ( от минимальных до 0 1 мм в поперечнике) отдельные кристаллы в слабо пассивирующих растворах находятся в особых условиях. Различные участки роста грани малых кристаллов настолько близко расположены друг к другу, что изменения концентрации ионов металла, происходящие во время роста возле отдельных граней, оказываются общими для всей поверхности кристалла. Вместе с тем все грани кристалла находятся в одинаковых гидродинамических условиях. Поэтому при не слишком больших различиях в скоростях роста отдельных граней кристалла, например в случае металлов, кристаллизующихся в кубической системе, преимущественного роста отдельных граней не происходит, и кристалл развивается объемно. В случае металлов не кубических, для которых в объеме не возможно развитие граней с одними и теми же индексами, нередко наблюдается пластинчатый рост, например в случае цинка.  [43]

Как и для капли жидкости, давление паров малого кристалла увеличивается с уменьшением его размера. Для давления пара кристаллов можно вывести уравнение, подобное уравнению Томсона для жидкостей.  [44]

Этот метод применим для получения кристаллов веществ с низкой летучестью. Его недостаток заключается в том, что часто получается много малых кристаллов вместо нескольких больших. Исследования по выращиванию кристаллов некоторых неорганических сульфидов, предпринятые с применением этого метода [21, 27], показалиг что тип полученных кристаллов сильно зависит от температуры роста, крутизны температурного градиента, давления в системе и присутствия газа-носителя.  [45]



Страницы:      1    2    3    4