Распыленный атом

Cтраница 2

По наблюдениям [75], выход распыленных атомов с повышением энергии ионов сначала медленно возрастает, затем имеется весьма протяженная область линейного роста, за которой следует широкий максимум, после чего начинает медленно снижаться. [16]

Предполагалось [30], что высокая энергия распыленных атомов, поступающих на подложку, может поглощаться ее поверхностью. [17]

Заметно меняться вследствие обратного рассеяния в газе распыленных атомов одного компонента на поверхности другого. Это явление наблюдается при давлениях 1 0 Па, если один компонент распыляется хуже другого. Например, при распылении молибдена и меди на медной поверхности появляются молибденовые конусообразные образования высотой в несколько микрон, вследствие покрытия поверхности меди молибденом снижается скорость распыления меди. Так же, как медь, ведут себя алюминий, серебро и золото, а как молибден - вольфрам, никель, кобальт. [18]

При очень высоких энергиях ионов средние энергии распыленных атомов, по-видимому, не будут сильно различаться. Томпсон со своими сотрудниками установил, что небольшая часть распыленных атомов, по-видимому, имеет скорости характерные для термического испарения. [19]

Выход ГПД при облучении [ IMAGE ] Выход ГПД при облучении.| Выход ГПД при облучении при температуре - 196 С. / 7 3 8 - 1020 дел / ( м3 - с. [20]

Обеднение поверхностного слоя ГПД наблюдается из-за различной природы распыленных атомов: газообразные атомы переходят в газовый объем, а нелетучие атомы ТПД и топлива осаждаются обратно на поверхность образца. [21]

Так как с повышением давления в системе энергия распыленных атомов, приходящих на подложку, будет уменьшаться, а плотность заряженных частиц на подложке будет возрастать, то очень трудно отличить влияние на рост пленок газов от влияния прочих параметров, которое мы рассмотрим в дальнейшем. По-видимому, те немногие экспериментальные данные по влиянию давления на рост пленок, которые все же имеются, по существу противоречивы. Так, например, Франкомб и Шлехтер [23], исследуя эпитаксию золота на каменной соли, установили, что при низких давлениях можно было получать лишь аморфные пленки, а с повышением давления распыляющего газа структура пленок становилась все более совершенной, так что при давлении 0 3 мм рт. ст. и скорости осаждения 0 2 А / мин стал возможным эпитак-сиальный рост пленок уже при температуре подложки 30 С. С другой стороны, Крикориан и Спид [24] нашли, что температура гомоэпитаксии германия при ионном распылении должна быть тем ниже, чем ниже давление распыляющего газа. Наиболее низкие температуры эпитаксии наблюдались для пленок, полученных испарением, причем этот метод авторы считают наилучшим. Однако отмечается, что влияние давления распыляющего газа может быть связано с повышенной концентрацией примесей. [22]

В дуговой стадии выход ионов зависит от природы распыленных атомов, что и приводит к их неравновероятной ионизации. В отличие от дуговой стадии, в первой фазе пробоя электрический разряд инициируется автоэлектронами высоких энергий. В сильном электрическом поле плазма, образуемая между электродами, поляризуется и перемещается к катоду, усиливая тем самым локальное значение этого поля в зазоре. В этой фазе происходит практически 100 % - ная ионизация распыленных частиц, и вопрос состоит в том, как прервать разряд сразу же после завершения стадии его инициирования, которая обычно длится около 10 - 9 сек. [23]

Триодная система ионно. [24]

Преимуществом такого распыления с независимым разрядом является высокая энергия распыленных атомов и большая скорость роста пленки. [25]

В пользу импульсно-термической теории говорит то, что движение распыленных атомов подчиняется тем же законам, что и движение атомов испаренных. Так, количество атомов, отрывающихся под углом к поверхности, пропорционально в обоих случаях косинусу угла между перпендикуляром к поверхности и направлением движения. Скорость распыленных атомов можно измерить, так как некоторые из них заряжаются при движении через газ и к ним применимы обычные методы измерения скоростей заряженных частиц. [26]

Тепловой поток на подложке складывается из теплоты конденсации кинетической энергии распыленных атомов и излучения нагревателя. [27]

Для этого необходимо прежде всего установить главную причину неравновероятной ионизации распыленных атомов исследуемого материала искровым разрядом и попытаться ее устранить имеющимися средствами. [28]

Энергетические спектры атомарных и кластерных ионов А1 при оомбардировке его ионами Аг с энергией 10 кэВ. [29]

Наиб, интенсивными в спектрах являются, как правило, линии распыленных атомов. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5