Распыленный атом
Cтраница 4
В этом месте располагается положительный столб разряда: подавая на мишень достаточно большой отрицательный потенциал, можно оттягивать а нее плотный поток ионов. Распыленные атомы движутся к подложке, расположенной параллельно мишени. В трех-электродной системе, где электрические цепи разряда и распыления развязаны, обеспечивается большая гибкость управления процессом. [46]
Триодная схема с постоянным потенциалом на мишени - схема ионно-плазменного распыления, при которой мишень из распыляемого материала находится под постоянным отрицательным потенциалом относительно потенциала плазмы. Распыленные атомы осаждаются на подложку, расположенную параллельно мишени. [47]
 |
Зависимость коэффициента распыления различных металлов от энергии ионов аргона.| Зависимость коэффициента распыления вольфрама от энергии ионов различных инертных газов и ртути. [48] |
Мишень, подобно большому отрицательно заряженному зонду Ленг-мюра, помещается в плазму инертного газа или паров ртути очень высокой плотности. Распыленные атомы, которые выбиваются из мишени большей частью в нейтральном ( невозбужденном) состоянии, попадая в область плазмы, возбуждаются. При этом на спектральную картину излучения газового разряда накладывается спектр испускания атомов мишени. Используя монохроматор, отбирают яркие эмиссионные линии и с помощью фотоумножителя измеряют их интенсивность. Естественно предположить, что интенсивность спектральной линии приблизительно пропорциональна коэффициенту распыления. [49]
 |
Процесс установления устойчивого режима при. [50] |
В этом месте располагается положительный столб разряда: подавая на мишень достаточно большой отрицательный потенциал, можно оттягивать а нее плотный поток ионов. Распыленные атомы движутся к подложке, расположенной параллельно мишени. В трех-электродной системе, где электрические цепи разряда и распыления развязаны, обеспечивается большая гибкость управления процессом. [51]
 |
Тлеющий разряд и распределение потенциала напряжения между электродами.| Установка для катодного распыления диодного типа.| Установка для катодного рас-пыления триодного типа. [52] |
Поэтому возможны многократные столкновения между газовыми частицами и электронами в разряде, что приводит к образованию ионов, бомбардирующих поверхность катода. Распыленные атомы также могут ионизироваться, диффундировать обратно к катоду. Это затрудняет точное определение коэффициентов распыления. Различают катодное ( физическое и реактивное) и ионно-плазменное распыление. [53]
 |
Поглощение атомами резонансных линий. [54] |
Если напряжение достаточно велико, катионы приобретают необходимую кинетическую энергию для выбивания некоторого числа атомов металла с поверхности катода и образования атомного облака; этот процесс называют распылением. Распыленные атомы металла частично возбуждаются и испускают характеристическое излучение. В конце концов атомы металла диффундируют обратно к поверхности катода или стеклянным стенкам трубки и вновь осаждаются на них. [55]
Распыленные атомы попадают на подложку и оседают в виде тонкой пленки. По существующим представлениям, распыленные атомы не принимают сколько-нибудь заметного участия в процессах, определяющих разряд. [56]
При больших ускоряющих напряжениях энергия распыленных атомов может оказаться достаточной даже для их внедрения в материал подложки. Из-за высокой энергии поведение распыленных атомов на подложке отличается от поведения атомов, полученных термическим испарением. Поэтому при прочих равных условиях ( Тк, ук) кинетика образования зародышей при катодном распылении несколько иная, чем при термическом испарении. [57]
Вопрос о влиянии энергии распыленных атомов на зародышеобразо-вание и рост пленок еще окончательно не решен. Особенно трудно разделить влияние распыленных атомов с высокой энергией и влияние быстрых электронов, поскольку то и другое меняется с катодным падением почти одинаково, см. разд. Вследствие этого многие считают, что по степени адгезии пленки, полученные ионным распылением, превосходят пленки, изготовленные другими методами. Косвенным подтверждением этого явился эксперимент Мэттокса и Макдональ-да [28], которые показали, что можно получать на подложке из железа пленки кадмия с хорошим прилипанием, если напряжение распыления превышает 1500 В. Кадмий и железо являются взаимно нерастворимыми материалами, и пленки кадмия на железе, полученные испарением, обладают очень плохой адгезией. [58]
Иод реагирует с испарившимися или распыленными атомами вольфрама с образованием летучего соединения, которое при соприкосновении с раскаленной нитью подвергается пиролизу, но при этом атомы металла осаждаются на нити, а не на холодных стенках баллона. [59]
В заключение необходимо отметить, что экспериментальные результаты о низкотемпературном газовыделении хорошо объясняются с позиций модели выхода по двум механизмам, но, по-видимому, допускают и другую интерпретацию. Совместное рассмотрение результатов исследований выхода ТПД, распыленных атомов урана и результатов изучения выхода ГПД убеждает, что именно выбивание атомов из поверхностного слоя и прямая отдача являются определяющими механизмами низкотемпературного выхода ПД под облучением. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5