Cтраница 3
Эта же закономерность наблюдается и в случае аномальных смешанных кристаллов. [31]
Следует отметить, что отчетливой границы между истинными и аномальными смешанными кристаллами, а также внутренне-адсорбционными образованиями часто не существует, и в ряде случаев мы имеем дело с переходными явлениями. [32]
Следует отметить, что отчетливой границы между истинными и аномальными смешанными кристаллами, а также внутренне-адсорбционными образованиями часто не существует, и в ряде случаев мы имеем дело с переходными явлениями. [33]
Из изложенного выше следует, что коэффициент кристаллизации для аномальных смешанных кристаллов, в отличие от истинных смешанных кристаллов, зависит от концентрации макрокомпонента в растворе. [34]
Значительно более важны для радиохимии процессы сокристаллизации с образованием аномальных смешанных кристаллов, в которых состав компонентов нельзя выразить общей формулой. Примеры таких систем весьма многочисленны: NH4C1 - хлориды многовалентных металлов [66, 67], LaF3 - RaF2 [68], К4 [ иО2 ( СО8) з ] - Am ( V) [69] и многие другие. [35]
![]() |
Зависимость коэффициента кристаллизации от концентрации микрокомпонента. [36] |
Кэдинг [38] нашел, что свинец ( ThB) образует аномальные смешанные кристаллы с галогенидами щелочных металлов, имеющие верхнюю границу смешиваемости. [37]
Они считают, что церий образует с оксалатом четырехвалентного урана аномальные смешанные кристаллы без нижней границы смешиваемости. Кроме того, ими было показано, что в системе существует верхний предел смешиваемости, величина которого растет с ростом концентрации урана. [38]
Шпангенберг и Нейгауз [19] проводят параллель между способностью к образованию аномальных смешанных кристаллов и к ориентировочному прорастанию. Они обратили внимание на то обстоятельство, что во многих случаях компоненты аномальных смешанных кристаллов, в отличие от смешанных кристаллов нового рода, имеют общий ион. Кристаллические плоскости, составленные только из одного сорта ионов, одинакового у обоих компонентов, могут оказаться сходными в структурном отношении у решеток обоих веществ. При ориентировочном выделении такая плоскость является общей для обоих кристаллов. Аномальные смешанные кристаллы, по мнению этих авторов, представляют собой субмикроскопические прорастания двух сортов кристаллов, причем возможность их образования обусловливается наличием двумерной структурной аналогии кристаллических решеток компонентов. С этой точки зрения, если не все, то многие аномальные смешанные кристаллы представляют собой колло-идоподобные твердые растворы и, следовательно, принципиально не отличаются от гриммовских смешанных кристаллов нового рода. Действительно, Хлопин и Толстая [20] на примере аномальных смешанных кристаллов Ва ( NO3) 2-метиленовая синь и Pb ( NO3) 2-метиленовая синь, а Иоффе и Никитин [21] на примерах аномальных смешанных кристаллов NH4C1 - ( NH4) 2 ( FeCl5 - H2O), K2SO4 - кристаль-понсо и вновь Ba ( NO3) 2 - метиленовая синь показали, что при уменьшении концентрации вторых компонентов в растворе прекращается образование смешанных кристаллов. Следовательно, для образования их необходимо, чтобы в отдельных участках их кристаллической решетки все соседние узлы были заняты ионами одного компонента, а на других участках - ионами другого компонента. В них под микроскопом видны закономерно включенные кристаллики вторых компонентов. Какова, однако, минимальная величина участка кристаллической решетки, которая допускает подобное замещение, до сих пор установить не удалось. [39]
Хан [ НЗ, HI56 ] объясняет подобное перенесение образованием аномальных смешанных кристаллов или внутренней адсорбцией и пытается провести различие между этими двумя процессами. Соосаждение путем процесса внутренней адсорбции, повидимому, обусловливается адсорбцией индикаторных ионов на поверхностях растущих кристаллов, где индикаторные ионы захватываются вновь образовавшимися кристаллическими слоями. Этот процесс рассматривается в следующем разделе. Соосаждение путем образования аномальных смешанных кристаллов, повидимому, обусловливается внедрением индикатора в кристаллическую решетку осадка, причем аномальные и истинные смешанные кристаллы, составленные из индикатора и носителя, должны быть очень сходными. Перенос при внедрении атомов индикатора в осадок с образованием аномальных или истинных смешанных кристаллов мало, зависит от внешних условий ( например, от избытка того или другого иона решетки, присутствия или отсутствия многозарядных посторонних ионов), которые влияют на процесс переноса, обусловливаемый адсорбцией. Значения коэффициентов распределения, получаемые при образовании аномальных или истинных смешанных кристаллов, воспроизводимы; этого не наблюдается в тех случаях, когда имеет место адсорбция. Ниже приведены примеры процессов переноса при образовании аномальных смешанных кристаллов. [40]
Хан [ НЗ ], который рассматривал соосаждение путем образования аномальных смешанных кристаллов и внутренней адсорбции более подробно, чем здесь, указал, что не всегда возможно провести различие между этими процессами переноса. Он упоминает также о соосаждении путем внедрения радиоколлоидов и активного маточного раствора. [41]
В настоящее время большинство исследователей считает, что причиной образования аномальных смешанных кристаллов в группе хлорида аммония является не адсорбция, а способность к совместной кристаллизации в результате структурной аналогии между кристаллами соли макрокомпонента и комплексной солью, образуемой макро - и микрокомпонентами. [42]
![]() |
Константа нестойкости [ Ри ( С2О4 ] 2 по данным сокристаллизации в системе. [43] |
Следует, однако, еще раз отметить, что не все аномальные смешанные кристаллы могут быть охарактеризованы наличием нижней границы смешиваемости. [44]
Например, рубрику 1.1.2 можно разделить на образование изоморфных смесей, гриммовских и аномальных смешанных кристаллов, а затем каждый из этих видов классифицировать в зависимости от кристаллохими-ческих свойств ингредиентов. Однако в схему 2 формальная классификация не включена по следующим соображениям. [45]