Кристаллизация - пленка
Cтраница 1
Кристаллизация пленок неизбежно приводит к хрупкости; наоборот, рост размеров цепных полимеров, имеющих клубкообраз-ную или подобную структуру, обусловливает рост упругих свойств пленки. [1]
Кристаллизация эпитаксн-альных пленок открытым иодидным методом - высокопроизводительный процесс, нашедший техническое применение. Для отработки технологии выращивания эпитаксиальных пленок с нужными и постоянными характеристиками необходимо прежде всего обеспечить воспроизводимые условия их роста. Факторы, влияющие на воспроизводимость параметров роста, уже были частично рассмотрены. [3]
Кристаллизацию пленок обнаруживают по повышению их жесткости, которую устраняют путем прогрева пленки на воздухе или в теплой воде. По литературным данным, для предупреждения затвердевания изделий при хранении их на холоде в хлоропреновые смеси вводят пластификаторы эфирного типа: дибутилсебацинат, дибутилфталат и некоторые другие пластификаторы нефтяного происхождения. Указанные пластификаторы рекомендуется вводить в количестве не более 25 вес. Пластификаторы добавляют в латекс в виде эмульсий. [4]
 |
Корреляционная диаграмма.| Температурные зависимости tg6 для вулканизата № 1 ( подпись к VII. 12 при разных частотах. [5] |
Кристаллизацией пленки в ориен тированном состоянии можно не только снизить диэлектрические-потери, но и повысить ее теплоемкость по сравнению с пленкой из аморфного полимера. С этой точки зрения весьма интересньь кристаллизующиеся поликарбонаты, температура стеклования которых может достигать 160 - 180 С. [6]
На кристаллизацию пленок, полученных из раствора и переплавленных на различных подложках, решающее влияние оказывает их предыстория. Толщина пленки, соответствующая установившемуся значению скорости роста сферолитов, для исследованных нами систем не зависит от природы подложки ( - 35 i), тогда как скорость роста сферолитов возрастает с уменьшением взаимодействия полимера с подложкой. [7]
 |
Зависимость электрических. [8] |
Для облегчения процесса кристаллизации пленки необходимо медленно охлаждать конденсаторы после их запекания. Чрезмерно высокая температура запекания приводит к снижению электрической прочности; так же как и в случае полистирольных конденсаторов. [9]
 |
Зависимость твердости покрытия от концентрации SifOCsHsb в пленкообразующем растворе и времени отверждения.| Сцепление анкерного типа. [10] |
В то же время кристаллизация пленок в некоторых случаях вызывает повышение их хрупкости. [11]
Стенхаген обнаружил, что кристаллизация пленок сло-ъных эмиров происходит по истечении некоторого времени, причем это время сокращается, как и в процессах отжига других материалов, при повышении температуры. Монослои на воде обычно не являются кристаллическими, так что, до какой-либо перегруппировки в мультислоях, на рентгене - и электронограммах можно было бы ожидать присутствия только диффракционных линий, соответствующих определенному периоду, лишь в направлении нормали к поверхности ( или в направлении осей молекул, если они не перпендикулярны к поверхности); не подлежит сомнению, однако, что через некоторое время появляются микрокристаллы, аналогичные кристаллам того же вещества, полученным обычными методами. Впрочем, не все характеристики этих микрокристаллов в точности совпадают с соответствующими характеристиками обычных кристаллов. [12]
Вопрос о направленном воздействии на процесс кристаллизации пленок с целью получения заданной структуры представляется наиболее важным и вместе с тем наименее изученным. Нахождение же общих законов, управляющих процессами кристаллизации конденсируемых пленок, и тем более количественный расчет оптимальных условий конденсации - это задача далеко еще не решенная. [13]
Нагрев при 80 С и выше приводит к постепенной кристаллизации пленки; она теряет прозрачность и приобретает хрупкость; электрические свойства при этом улучшаются. [14]
Ко рту ко в а, Исследование процесса кристаллизации пленок поливинилового спирта, Высокомол. [15]
Страницы: 1 2 3 4