Кристаллизация - пленка
Cтраница 4
На свежевыращенных подложках значения п и k непрерывно возрастают с уменьшением х начиная от значений п 1 8 и k 0 для ТеО2 и кончая значениями п 4 6 и Л 2 3 для Те. Эти параметры увеличиваются по мере нагрева, причем на обогащенных теллуром образцах приращение весьма велико. Такой результат, аналогичный поведению пленок аморфных полупроводников [34], можно объяснить кристаллизацией пленок при термообработке. [46]
 |
Спектры рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии на тонких пленках TeOj l. . [47] |
На свежевыращенных подложках значения п и k непрерывно возрастают с уменьшением х начиная от значений и 1 8 и k 0 для ТеСЬ и кончая значениями и 4 6 и Л 2 3 для Те. Эти параметры увеличиваются по мере нагрева, причем на обогащенных теллуром образцах приращение весьма велико. Такой результат, аналогичный поведению пленок аморфных полупроводников [34], можно объяснить кристаллизацией пленок при термообработке. [48]
Аналогия фрактального кластера с другими структурами и явлениями связана с их одинаковым математическим описанием. Именно формирование и эволюция систем, аналогичных фрактальному кластеру, описываются уравнениями (6.1) и (6.2), относящимися к другим величинам. Так, в случае диэлектрического пробоя [37-39] в эти уравнения вместо плотности частиц входит электрический потенциал, а в случае кристаллизации пленок на аморфной поверхности [40] этим параметром является температура. Для гидродинамических структур [41, 43, 45, 161-163], когда эти структуры формируются на границе двух фаз и движение одной из них ( менее вязкой) в другую происходит под действием внешнего давления, этим параметром является давление. При этом в каждом из исследуемых явлений минимальный масштаб структуры, который в случае фрактального кластера вводился искусственно, определяется физической природой самого процесса. Поэтому в зависимости от физических параметров процесса могут образовываться разные структуры, в этом числе и не обладающие фрактальными свойствами. [49]
При росте ориентированных слоев с увеличением их толщины происходят существенные структурные изменения, приводящие к изменениям ряда физических свойств пленок. Поэтому при изучении эпитаксии во многих случаях важно точно знать толщину слоя. Так как в большинстве случаев образованию непрерывных монокристальных слоев предшествует возникновение и последующий рост отдельных изолированных зародышей, на начальных стадиях кристаллизации пленок можно говорить лишь о средней толщине слоя. [50]
 |
Кривые интенсивности ( а и радиального распределения ( б для аморфного сплава Pde Si2, . [51] |
Пленки аморфной фазы Pd - Si, полученные Дувецом и др. [280] быстрым охлаждением иэ расплава, исследовались методом Р и в электронном микроскопе. При комнатной температуре фазы стабильны. Кристаллизация пленок происходит при 400 С. Авторы исследуют физические свойства сплавов: электросопротивление приблизительно в 2 6 раза больше, чем у кристаллов при комнатной температуре. Аморфные сплавы Pd - Si имеют высокую электрическую проводимость, их термическая проводимость также велика. Сопротивление уменьшается линейно до 2 К. Узкая область концентрации по соседству с эвтектическим составом Дает аморфные фазы. [52]
Прозрачность пленки, полученной методом экструзии и раздувания, обусловлена целым рядом факторов. В первую очередь к ним относятся: наличие микроскопических неровностей поверхности, связанных с поведением расплава полиэтилена в головке экструзионной машины, а также ростом и агрегацией кристаллитов на поверхности и вблизи поверхности пленки. Поведение расплава полиэтилена определяется температурой, скоростью экструзии и состоянием поверхности формующего зазора. Но возникновение неровностей на поверхности пленки также связано и со степенью раздувки и с положением линии кристаллизации пленки. [53]
Для более медленного фазового перехода вещества из стеклообразного состояния в кристаллическое характерна зависимость между временем кристаллизации и мощностью электромагнитного облучения. На рис. 144 показана зависимость минимальной мощности лазерного импульса, необходимой для кристаллизации пленки стекла, от времени кристаллизации. [54]
Страницы: 1 2 3 4