Кристаллизация - пленка
Cтраница 3
Для определения предельной производительности необходимо располагать предельным числом оборотов барабана. Эта величина диктуется временем, требуемым для кристаллизации пленки расплава, увлекаемой закристаллизовавшимся слоем при его выходе из ванны. [31]
Вопрос о направленном воздействии на процесс кристаллизации пленок с целью получения заданной структуры представляется наиболее важным и вместе с тем наименее изученным. Нахождение же общих законов, управляющих процессами кристаллизации конденсируемых пленок, и тем более количественный расчет оптимальных условий конденсации - это задача далеко еще не решенная. [32]
Распыление широко применяют для получения поликристаллических и аморфных пленок, но при соответствующем контроле можно получить и монокристаллические пленки. Основное преимущество метода состоит в том, что кристаллизация пленки может происходить при более низких температурах, чем при обычном росте за счет сублимации - конденсации, так как испарение осуществляют с помощью электрического поля, а не путем нагревания. [33]
Строение этой пленки различно для разных металлов, начиная от молекулярного адсорбированного слоя из газов и кончая слоем окислов для легко окисляющихся металлов. В сухом воздухе коррозия металлов идет за счет кристаллизации пленки. При погружении металла в электролит коррозия происходит за счет местных гальванических токов между участками аморфной пленки и другими загрязнениями на поверхности металла и самим металлом. [34]
 |
Сопротивление разрыву пленок СТГ, полученных на различных подложках.| Степень кристалличности пленок СТГ, полученных на различных подложках. [35] |
Исследованные металлы располагаются в следующей последовательности: AgCuNiFeCr. Чем интенсивнее развивается процесс формирования модифицированного слоя, тем больше затрудняется кристаллизация пленки в объеме и тем ниже оказывается ее степень кристалличности. [36]
При температуре 350 С пленки кристаллизуются в структуре сфалерита. Как показывает анализ рентгенограмм, при температуре менее 250 С степень кристаллизации пленок понижается, а при температуре выше 400 С в составе пленок появляется вторая фаза. [37]
В связи с этим был разработан метод исследования химической сенсибилизации монокристаллов бромида серебра. Эти монокристаллы изготовлялись в виде тонких пластинок с плоскими, гладкими и параллельными поверхностями путем кристаллизации пленки расплавленного бромида серебра между двумя оптически отполированными пластинками из стекла пирекс. [38]
 |
Некоторые характеристики пленки из. политрифторхлорэтилена ( фторопласт-3. [39] |
У закаленных пленок несколько ниже tgo; значения роб и Еп также снижены. При длительном нагреве конденсаторных секций, намотанных из пленки, содержащей значительные количества аморфной фазы, при 125 - 150 С, происходит постепенная кристаллизация пленки, приводящая к ее растрескиванию и сильному снижению электрической прочности секций в местах трещин, появляющихся в слоях пленки. [40]
На электронной микрофотографии четко была видна аморфная структура продуктов гидролитической поликонденсации тетраэтоксисилана. Образование пленок аморфной структуры обеспечивает получение покрытий, сохраняющих необходимые физико-механические свойства при длительной эксплуатации. В то же время кристаллизация пленок в ряде случаев может вызвать повышение их хрупкости. [41]
Существенно иная картина наблюдается для композиций Си - AI203, исследованных в исходном и отожженном при 900 С состояниях. Во-первых, как будет показано ниже, подобный отжиг практически не влияет на предел текучести композиций. Во-вторых, при температурах выше 700 С начинается кристаллизация пленок А. [42]
Таким образом, с помощью примесных молекул, используемых в качестве зондов, для полиэтилена удалось обнаружить различия в плотности аморфных областей в транскристаллических поверхностных слоях, морфология которых практически не зависит от температурного режима плавления и кристаллизации. Было установлено также, что резкое возрастание плотности аморфных областей в граничных слоях полимера не связано с транскристалличностью поверхностного слоя. Методом молекулярного зонда показано также, что температурные режимы плавления и кристаллизации пленок могут оказывать нивелирующее действие на изменение структуры поверхностных слоев таким образом, что энергетические характеристики подложки практически не будут проявляться. Важен лишь сам факт существования этой поверхности. Кроме того, при рассмотрении процессов, протекающих в граничных слоях полимеров, следует обращать внимание на возможность сочетания нескольких факторов, влияющих на формирование структуры. Так, плавление с неполным разрушением исходных структур на высокоэнергетических подложках может привести к образованию напряженных поверхностных структур, к существенному увеличению плотности аморфных областей в этих структурах. При отделении такой полимерной пленки от подложки напряженные структуры испытывают релаксацию, в ряде случаев проходящую через стадию аморфизации с последующей рекристаллизацией. [43]
Отметим, что принцип использования эпитаксиальных затравок для модифицирования слитка и выращивания совершенных монокристаллов и пленок различен. Большие скорости охлаждения при кристаллизации слитка, модифицированного затравкой, способствуют измельчению структуры и уменьшают химическую неоднородность, а при выращивании монокристаллов и пленок вообще неприменимы. Однако закономерности процесса зароды-шеобразования на эпитаксиальных подложках ( затравках) при кристаллизации пленок, монокристаллов и слитков в основном одинаковы. [44]
 |
Спектры рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии на тонких пленках TeOj l. . [45] |
Страницы: 1 2 3 4