Cтраница 1
Направленная кристаллизация широко используется для глубокой очистки различных органических и неорганических веществ от примесей, а также для выращивания монокристаллов разных веществ. Известен ряд вариантов технологического осуществления направленной кристаллизации, но все они основаны на направленном отводе тепла от границы раздела фаз, вызывающем в свою очередь направленное передвижение фронта кристаллизации вдоль очищаемого образца. Это передвижение ( чаще всего с постоянной скоростью) осуществляется принудительно путем постепенного перемещения зон охлаждения и нагрева. [1]
![]() |
Зарождение кристаллов перед фронтом кристаллизации. [2] |
Направленная кристаллизация является сравнительно универсальным методом очистки небольших количеств как высокоплавких, так и низкоплавких веществ. Аппаратурное оформление этого процесса отличается большим разнообразием, обусловленным, видимо, значительными различиями физико-химических свойств очищаемых веществ. [3]
![]() |
Зарождение кристаллов перед фронтом кристаллизации. [4] |
Направленная кристаллизация может осуществляться в двух вариантах: горизонтальном и вертикальном. [5]
Направленная кристаллизация используется и в физико-химическом анализе для построения диаграмм состояния или уточнения их углов при работе с разбавленными растворами. Так, определив методом направленной кристаллизации равновесный коэффициент разделения заданной смеси основное вещество - примесь, нетрудно построить для интересующего нас концентрационного интервала линию солидуса при известной линии ликвидуса, полученной, например, методом дифференциального термического анализа. При решении вопроса о существовании области твердых растворов в бинарных системах с малым содержанием одного из компонентов она даже имеет преимущество в точности по сравнению с таким классическим методом, как метод дифференциального термического анализа. Направленную кристаллизацию применяют и для кристаллизационного концентрирования примеси при анализе веществ особой чистоты. [6]
Направленная кристаллизация по своей природе близка к простой перегонке и поэтому малоэффективна для разделения веществ с близкими физическими свойствами. Однако она с успехом применяется при выращивании монокристаллов. [7]
Направленная кристаллизация предполагает направленный теплоотвод, поэтому литейную форму, условия заливки и затвердевания отливки рассчитывают таким образом, чтобы теплоотвод был максимально интенсивным по требуемому направлению кристаллизации. [8]
Направленная кристаллизация заметна только в середине шва. [9]
Направленная кристаллизация эффективнее зонной плавки, так как примесь из твердой фазы переходит в сравнительно большой объем жидкости, за один проход направленной кристаллизации очищаются 5 - 7 нижних частей образца из 10, в то время как при зонной плавке до той же степени чистоты очищается только первая часть. Отбор наиболее загрязненной фракции позволяет повысить степень предельной очистки в случае направленной кристаллизации. Недостатком метода направленной кристаллизации является сложность автоматизации установки, включая отбор загрязненной фракции. [10]
Направленная кристаллизация предполагает направленный теплоотвод, поэтому литейную форму, условия заливки и затвердевания отливки рассчитывают таким образом, чтобы теплоотвод был максимально интенсивным по требуемому направлению кристаллизации. [11]
Направленная кристаллизация в градиентном нагревателе имеет свои особенности. Что касается распределения примеси, то оттеснение ее фронтом кристаллизации менее эффективно, чем при осуществлении направленной кристаллизации вытягиванием. [12]
Направленная кристаллизация является хорошим дополнительным источником получения информации о характере диаграмм плавкости двухкомпонентных систем. [13]
Направленная кристаллизация - сравнительно новый технологический метод, который широко применяется в химической технологии, металлургии и материаловедении для глубокой очистки веществ, концентрирования и равномерного легирования или легирования с программированным изменением состава. Направленная кристаллизация сочетает в себе возможности получения высокочистых образцов и образцов переменного состава. [14]
![]() |
Участок диаграммы состояния системы Csl .| Участки диаграмм состояния систем КС1 - SrClj, RbCl-SrClj и CsCl - SrClj в области малых концентраций SrCl2. [15] |