Направленная кристаллизация
Cтраница 2
Направленная кристаллизация может служить основным методом экспериментальной проверки значений Ко, рассчитанных с помощью термодинамических соотношений. [16]
Направленная кристаллизация как метод концентрирования неоднократно применялась при выделении разнообразных веществ из разбавленных растворов с последующим их исследованием. [17]
Направленная кристаллизация эффективнее зонной плавки, так как примесь из твердой фазы переходит в сравнительно большой объем жидкости, за один проход направленной кристаллизации очищаются 5 - 7 нижних частей образца из 10, в то время как при зонной плавке до той же степени чистоты очищается только первая часть. Отбор наиболее загрязненной фракции позволяет повысить степень предельной очистки в случае направленной кристаллизации. Недостатком метода направленной кристаллизации является сложность автоматизации установки, включая отбор загрязненной фракции. [18]
Направленная кристаллизация ( и 0 2 - 0 8 см / ч) была использована для очистки диметилсульфоксида. [19]
 |
Характеристики кристаллизационно-ионометрического определения микропримесей галогенид-ионов. [20] |
Направленная кристаллизация ВСЭ является одним из наиболее подходящих в данном случае методов концентрирования примесей в водорастворимых солях. [21]
Высокотемпературная направленная кристаллизация из-за взаимодействия расплавов с материалом контейнера сопровождается загрязнениями концентрата. [22]
 |
Схема реактора для синтеза тетрабромидов кремния и германия.| Установка для направленной кристаллизации тетрабромида кремния ( обозначения в тексте. [23] |
Направленная кристаллизация тетрабромида кремния ( метод, по нашему мнению, более удобный для кристаллизационной очистки жидкостей, чем зонная кристаллизация [7]) осуществлялась многократно в традиционном и наиболее рациональном [8] варианте, а именно с удалением после каждой операции конечного наиболее загрязненного участка образца. [24]
Путем направленной кристаллизации эвтектических сплавов могут быть получены материалы с параллельно расположенными высокопрочными фазами ( в форме волокон или пластин), хорошо связанными с матрицей. Рост таких регулярных структур часто объясняют требованием минимума энергии поверхности раздела, о чем свидетельствует существование особого кристалл ографиче-ского соответствия между фазами во многих эвтектических системах. Расчет расстояния между дислокациями на поверхности раздела, выполненный на основе простой модели, дает хорошее согласие с экспериментальными результатами. [25]
Направленную кристаллизацию широко используют для глубокой очистки небольших количеств вещества от примесей. На границе этих зон происходит процесс кристаллизации, фронт которой в контейнере перемещается со скоростью его движения. [26]
 |
Волокнистая структура в сплаве AI - Al3Ni, полученная после кристаллизации. [27] |
Направленную кристаллизацию можно считать удобным способом создания композиционных материалов из-за его простоты; этот способ позволяет избежать специфических трудностей, возникающих при манипуляции с усами микронных размеров. Большое преимущество эвтектических композиций заключается также и в их высокой термической устойчивости. Большая стабильность при высоких температурах объясняется, по-видимому, минимальной величиной поверхностной энергии на границе раздела двух зерен вследствие кристаллографического / соответствия между фазами. [28]
Направленную кристаллизацию широко используют для глубокой очистки небольших количеств веществ от примесей; концентрирования разбавленных растворов; получения образцов с определенной кристаллической структурой; выращивания монокристаллов; исследования фазового равновесия. [30]
Страницы: 1 2 3 4 5