Направленная кристаллизация

Cтраница 3

Направленную кристаллизацию обычно использовали для получения очень чистых образцов, а недавно проявился интерес к направленной кристаллизации как к методу концентрирования вещества из разбавленного раствора. [31]

Направленную кристаллизацию можно осуществить не только перемещением контейнера с расплавом относительно нагревателя в более холодное пространство, но и особой организацией движения температурного поля без механических перемещений - градиентный нагреватель. Простейший вариант градиентного нагревателя - стеклянная труба с неравномерно намотанной нагревательной проволокой. [32]

Направленную кристаллизацию суперсплава осуществляют в вакууме ( рис. 7.2), наливая жидкий сплав в оболочковую керамическую изложницу, предварительно подогретую до температуры выше температуры ликвидус ( см. также обсуждение методов литья по выплавляемым моделям в гл. Со стороны дна изложница открыта и посажена на медную плиту-холодильник. Жидкий суперсплав затвердевает после контакта с медным холодильником и образует тонкий слой равноосных зерен. [33]

Часто направленную кристаллизацию используют для очистки органических веществ с низкими температурами плавления. Процесс кристаллизации повторяли трижды, отделяя после каждой операции одну четверть образца, загрязненную примесью. [34]

Происходит направленная кристаллизация, вызванная температурным перепадом между верхней частью керамической изложницы, расположенной в нагретой печи ( она поддерживает сплав в верхней части изложницы в расплавленном состоянии) и медной холодильной плитой, которая отбирает тепло от нижней части изложницы. Отвод тепла за счет теплопроводности закристаллизовавшегося суперсплава затруднителен. Поэтому после того, как затвердевание началось, водоохлаждаемая холодильная плита постепенно опускается, выводя керамическую оболочковую изложницу с жидким суперсплавом из нагретой печи. Теперь теплопотери регулируются излучением тепла от оболочковой изложницы к холодным стенкам вакуумной камеры. В нижней части печи может быть расположен тепловой экран ( см. рис. 7.2), чтобы увеличить тепловой градиент. [35]

Перспективна направленная кристаллизация, при к-рой в кристаллизующемся С. [36]

Z Зависимость k от д для примесей.| Зависимость Лцнк от центробежного ускорения для примесей Li ( 1, С0 5 - 10 - 3 %, К ( 2, С0 6 - 10 - % и Rb ( 3, С0 5 - 10 - 4 % в Csl при з 0, / 20 мм-ч Л. [37]

При направленной кристаллизации условием равновесия является равенство химических потенциалов примеси в кристаллической фазе и расплаве. [38]

Процесс направленной кристаллизации начинается с гетерогенного образования зародышей на охлаждаемой стенке контейнера или с их гомогенного зарождения в слое жидкости, примыкающем к этой стенке. Иногда для облегчения начала кристаллизации, а также в случае выращивания монокристаллов в охлаждаемом конце контейнера помещается затравочный кристалл. [39]

Метод направленной кристаллизации используется также для концентрирования вещества в разбавленных растворах. [40]

Схема метода Стокбаргера. [41]

Методы направленной кристаллизации в лодочке широко используются при выращивании монокристаллов полупроводниковых веществ, разлагающихся при плавлении. Отсутствие относительного перемещения кристалла и расплава позволяет помещать лодочку с материалом в кварцевую ампулу, которая после откачки заваривается и целиком помещается в трехзонную печь. [42]

При направленной кристаллизации, когда не применяются методы выравнивания состава, распределение примеси по длине кристалла описывается уравнением (6.28), удельное сопротивление закономерно изменяется по длине кристалла. Поэтому следует задаваться некоторым допуском на значения удельного сопротивления вдоль слитка с тем, чтобы иметь возможность разделить выращенный кристалл на несколько частей, каждая из которых сможет быть использована для изготовления какого-то типа прибора. Допуск на закономерное изменение удельного сопротивления вдоль слитка составляет порядка 20 % и заранее учитывается при расчете эксплуатационных параметров приборов. [43]

Совмещение направленной кристаллизации с экстракционным или дистилляционным концентрированием позволяет снизить пределы обнаружения определяемых примесей. [44]

При направленной кристаллизации образование кристаллической фазы происходит на охлаждаемых поверхностях, а при массовой - образование и рост кристаллов происходит во всем объеме охлаждаемой смеси. Направленная кристаллизация обычно имеет место при больших скоростях охлаждения. Структура образующегося слоя кристаллов в значительной мере определяется скоростью перемещения фронта кристаллизации, интенсивностью перемешивания жидкой фазы, исходным составом. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5