Эпитаксиальная кристаллизация

Cтраница 1

Эпитаксиальная кристаллизация и изменения в структуре поверхностных слоев полимеров. [1]

Эпитаксиальная кристаллизация полимеров впервые исследовалась в работах Виллемса и Фишера [103, 104]: на сколах щелочно-галогенных кристаллов они наблюдали определенную упорядоченную укладку макромолекул с преимущественной ориентацией как параллельно, так и перпендикулярно поверхности. [2]

Эпитаксиальная кристаллизация высокополимеров исследована впервые в работах Виллемса, Фишера [4-9] в конце 50-х-начале 60 - х годов. Была рассмотрена кристаллизация полиэтилена и полиоксиметилена из их разбавленных растворов на монокристаллических сколах ( плоскость ( 001)) кристаллов NaCl. Электронная дифракция показала, что имеет место ориентация осей макромолекул параллельно поверхности подложки и складчатая упаковка макроцепей. [3]

Модель расположения.| Полученные в результате расчетов возможности упаковок макромолекул полчэтиленл вблизи NaCl поверхности, соответствующие трем минимумам потенциальной энергии, а - 37 0. 6 - 34 1. в - 32 7 ккал / моль. [4]

Эпитаксиальная кристаллизация полиэтилена проводилась на многих щелочно-галоидных подложках [4, 5, 14, 18], но только поверхность кристалла Nad стимулирует образование метастабильной моноклинной формы. И лишь для этой подложки расстояния между рядами одинаковых ионов близки к кри - сталлографическим расстояниям в моноклинной форме полиэтилена. [5]

Поскольку эпитаксиальная кристаллизация, вероятно, требует меньшего соседства цепей и включения в процесс более коротких сегментов цепи, чем образование более длинных аксиальных мостиков, она протекает существенно быстрее. [6]

Исследована эпитаксиальная кристаллизация полимеров и на полимерных подложках. Мы остановимся лишь на нескольких наиболее интересных примерах, поскольку основной целью настоящего обзора является рассмотрение специфики эпитаксиальной кристаллизации высокополимеров на монокристаллических неполимерных подложках. [7]

Детальные исследования процесса эпитаксиальной кристаллизации высокомолекулярных соединений выполнены в основном с использованием в качестве подложек монокристаллических сколов щелочно-галоидных кристаллов. На основании этих исследований был установлен принципиально важный результат. Оказалось, что различия в параметрах кристаллических решеток высокополимера и подложки не являются ограничивающим фактором для эпитаксиальной кристаллизации. [8]

Электронно-микроскопическими и электронно-дифракционными исследованиями эпитаксиальной кристаллизации высокомолекулярных соединений [4-9, 11-36] установлено, что в подавляющем большинстве случаев наблюдается параллельная поверхности ориентация макроцепей. И только для двух высокополимеров - полиоксиэтилена и полиоксипропилена [37] - установлено, что с самого начала эпитаксиального роста их макроцепи ориентированы нормально поверхности. [9]

При использовании в процессе эпитаксиальной кристаллизации йодистого водорода большое значение имеет методика его приготовления и очистки. Технический йодистый водород обычно загрязнен рядом примесей ( в частности, фосфором) и для данной цели непригоден. Поэтому HI обычно синтезируют из чистых компонентов в специальных генераторах. [10]

Изменение структуры 4 6-полиуретана при эпитаксиальной кристаллизации его тонких слоев. [11]

Исследованием структуры, возникающей при эпитаксиальной кристаллизации полиуретанов [281 - 284], было установлено, что эпитаксиальные изменения распространяются на толщины слоев до 4 мкм и существенно отражаются в ИК-спектрах вследствие конфор-мационных ограничений при упаковке молекул. В отличие от свободных пленок того же полимера, для эпитаксиальных пленок существует зависимость полуширины полос от толщины пленок на подложках. Исследованиями было установлено, что при эпитаксиальной кристаллизации в граничных слоях происходят изменения ориентации макромолекул относительно плоскости твердого тела, которые располагаются преимущественно перпендикулярно поверхности. [12]

Из большого комплекса исследований процесса эпитаксиальной кристаллизации высокомолекулярных соединений различных классов установлен ряд эмпирических закономерностей, имеющих достаточную общность. А именно, следует ожидать, что кристаллизация будет проходить при меньших степенях переохлаждения. Экспериментальными исследованиями установлено, что эпитаксиальная кристаллизация вы-сокополимеров наблюдается при весьма низких степенях переохлаждения. [13]

Спектроскопические исследования изменений в структуре поверхностных слоев полиуретанов при эпитаксиальной кристаллизации. [14]

Таким образом, в настоящей работе мы наблюдали ряд изменений в ИК-спектрах поглощения 4 6-полиуретана и изменений в электронных спектрах молекул-зондов - фенантрена при эпитаксиальной кристаллизации полимера на высокоэнергетических подложках щелочно-галлоидных монокристаллов. [15]

Страницы: 1 2 3