Эпитаксиальная кристаллизация

Cтраница 2

Таким образом, многочисленные электронно-микроскопические и электронно-дифракционные исследования, теоретические расчеты, ИК-спектроскопические исследования позволили к настоящему времени с различных сторон рассмотреть основные черты механизма эпитаксиальной кристаллизации высокомолекулярных соединений, выделить наиболее существенные моменты, определяющие направленность процесса, структурные характеристики, лимитирующие или стимулирующие его. Наряду с достигнутыми успехами, существует и ряд неясных, нерешенных проблем, требующих постановки дополнительных экспериментальных работ и теоретических исследований этой проблемы, составляющей важную часть проблем гетерогенной кристаллизации высокополимеров. [16]

Зависимость константы скорости полимеризации и-кси-лилена от температуры. Canon et aL, Proc. IEEE Electronic Components Conf. Washington, May 5 - 7 ( 1965. [17]

Образцы обладали а-кристаллической структурой; степень кристалличности около 0 6, кристаллы из сложенных цепей ( с длиной складки около 80 А), ориентированных в плоскости подложки, как это наблюдается при эпитаксиальной кристаллизации макромолекул ( разд. [18]

Механизм сопряжения с образованием переходных слоев сплавов, как показывает анализ многочисленных экспериментальных данных, дает основания полагать, что оба первых механизма не только не противоречат друг другу, но тесно связаны друг с другом и представляют собой последовательные стадии явления эпитаксиальной кристаллизации. [19]

Модель предпочтительной ориента.| Угловая зависимость общего потенциала взаимо-действий и отдельных вкладов во взаимодействие. [20]

Мы видим, что: 1) вклад кулоновских взаимодействий незначителен по величине, но взаимодействия эти ориентационно-чув-ствительны; 2) индуцированные поляризационные взаимодействия вносят больший по величине вклад, но не зависят от ориентации; 3) потенциал дисперсионных взаимодействий вносит наибольший вклад и имеет четко выраженную угловую зависимость; 4) общий потенциал взаимодействий имеет характер, определенно указывающий на предпочтительность ориентирования макромолекул при эпитаксиальной кристаллизации. Из полученных авторами [36] результатов может быть оценена устойчивость ориентационных эффектов на рассмотренных подложках. [21]

Наконец, сам факт очень быстрого роста полимерной цепочки свидетельствует о высокой способности к кристаллизации образующегося полимера. Поэтому даже в тех случаях, когда в результате эпитаксиальной кристаллизации на поверхности катализатора наблюдаются волокнистые структуры, более оправданно, по-видимому, говорить о наличии структур типа бахромчатой мицеллы, содержащих определенное число неупорядоченных складчатых участков макромолекул. [22]

Использование химических транспортных реакций для наращивания монокристальных пленок соединений AniBv получило широкое применение по той причине, что почти все другие способы их выращивания сопряжены с большими трудностями вследствие тугоплавкости этих соединений, химической активности составляющих их элементов и самого расплава, а также высокого равновесного давления паров элементов пятой группы. Все эти трудности можно преодолеть, сочетая газотранспортные реакции переноса и эпитаксиальную кристаллизацию. В этом случае соединения кристаллизуются при температурах заметно ниже точки плавления, позволяя избежать избирательного реиспаре-ния компонентов. [23]

Исследована эпитаксиальная кристаллизация полимеров и на полимерных подложках. Мы остановимся лишь на нескольких наиболее интересных примерах, поскольку основной целью настоящего обзора является рассмотрение специфики эпитаксиальной кристаллизации высокополимеров на монокристаллических неполимерных подложках. [24]

Реагирующее углеводородное сырье при контакте с поверхностью катализатора разлагается на углерод и водород с последующим образованием небольших кристаллов карбида железа Ре2Сз, которые образуются при эпитаксиальной кристаллизации углерода. Полученные небольшие кристаллы Ре2Сз равномерно распределены по каталитически активной поверхности металла. На определенной стадии развития небольшие кристаллы Ре2С3 уносятся углеродом с металлической подложки. [25]

Изменение энергии взаи. [26]

Как и следовало ожидать, полученные ранее закономерности [45, 67] в основном остались теми же - ( на контурных картах потенциальной энергии угловая зависимость имеет тот же вид [67]), что свидетельствует о предпочтительности ориентации макромолекул вдоль направлений 110, НО кристалла-подложки. Расстояния, на которых контуры потенциальной поверхности приобретают вид горизонтальных прямых, также остались теми же по порядку величины. Изменения в энергетике процесса эпитаксиальной кристаллизации имеют один и тот же характер для всех трех рассмотренных растворителей лишь с незначительными вариациями абсолютных значений, а именно: необходимо учитывать затраты энергии на отвод молекул растворителя. [27]

Из большого комплекса исследований процесса эпитаксиальной кристаллизации высокомолекулярных соединений различных классов установлен ряд эмпирических закономерностей, имеющих достаточную общность. А именно, следует ожидать, что кристаллизация будет проходить при меньших степенях переохлаждения. Экспериментальными исследованиями установлено, что эпитаксиальная кристаллизация вы-сокополимеров наблюдается при весьма низких степенях переохлаждения. [28]

Установлено, что поверхность щелочно-галогенных кристаллов в большей мере стимулирует кристаллизацию полимеров, чем любой другой нуклеант и кристаллическая поверхность собственно полимера. В работах Дистлера [107-109], а также Дар-линга [110] по декорированию через аморфные прослойки экспериментально обнаружен дальнодействующий характер поверхностных сил. Важно подчеркнуть, что для эпитаксиальной кристаллизации полимеров совершенно не обязательна близость кристаллических параметров решетки подложки и полимера. Эпитаксиальные эффекты являются следствием ориентирующего влияния расположенных в определенной последовательности ионов подложки, а также следствием влияния поверхностных дислокаций. В работе [112] сделан вывод, что необходимым условием эпитаксиальной кристаллизации одного полимера на поверхности другого является наличие аналогии в двух параметрах кристаллографической решетки - двумерное подобие, а в [111] считают, что важно соотношение поверхностных натяжений нуклеан-та и кристаллизующегося полимера. [29]

В настоящее время искусственные алмазы получают путем специальной обработки графита при высоких температурах и давлениях в присутствии катализаторов. Искусственное наращивание естественных алмазов различными методами эпитаксиальной кристаллизации должно отличаться простотой и экономичностью. По аналогии с другими изученными случаями кристаллизации эпитак-сиальных слоев можно сформулировать основные требования, которые следует выполнять для реализации этого процесса. [30]

Страницы: 1 2 3