Крутизна - транзистор
Cтраница 1
Крутизна транзистора зависит от величины его эмиттерного тока. А та, в свою очередь, изменяется в зависимости от потенциала базы. Следовательно, прилагая на базу напряжения АРУ, изменяют коэффициент усиления транзистора, повышая его, когда вследствие замирания напряжения ВЧ в антенне становится слабее. [1]
Крутизна транзистора 5 (1.24) на низких частотах имеет максимальное значение и с увеличением частоты уменьшается, стремясь в пределе к нулю. С ростом частоты они увеличиваются; У0бр стремится к максимальному значению СбК / т, а У; - к бесконечности. [2]
 |
Симметрирование параллельно включенных транзисторов с помощью эмиттерных резисторов. [3] |
Крутизна транзистора и коэффициент усиления каскада с отрицательной обратной связью уменьшаются в у - 1 мин э 1 6 - 0 54 раза и, следовательно, минимальное значение крутизны SOCMHH составит 1 5 а / в. При работе в режиме класса В параллельно включенных транзисторов разброс выходных мощностей обусловлен не только различием крутизн транзисторов, но и разницей их напряжений отпи рания. Поскольку включением эмит-терного резистора в каскаде создается отрицательная обратная связь, TQ она пропорционально уменьшает и действие этого дестабилизирующего фактора. [4]
 |
Балансный преобразователь частоты.| Схемы преобразователей, выполненные в виде отдельных функциональных узлов. [5] |
Крутизна транзисторов 7Л и Т2 изменяется под действием напряжения гетеродина одинаковым образом, поскольку это напряжение действует на них в одинаковой фазе. Напряжение сигнала, подлежащего преобразованию, поступает на базы транзисторов в противофазе. Поэтому составляющие тока промежуточной частоты будут также взаимно противофазны. В то же время токи с частотой гетеродина, поступающего к обоим транзисторам в одинаковой фазе, будут взаимно компенсироваться. В результате рассмотренных процессов колебания с частотой гетеродина не будут проникать в выходные цепи преобразователя. [6]
Крутизна МДП транзистора однозначно связана с током. [7]
Чтобы крутизна транзистора была достаточно высокой, толщина канала должна быть минимальной. С другой стороны, разброс значений напряжения отсечки U о определяется разбросом толщины канала. Это налагает жесткие требования на точность диффузии при образовании области канала. [8]
 |
Зависимость параметров транзистора Til4 от малых токов эмиттера. [9] |
Уменьшение крутизны транзистора при переходе к малым коллекторным токам приводит к ухудшению его усилительных свойств. [10]
Вследствие уменьшения крутизны транзистора, [ работающего при малых токах, для обеспечения достаточного усиления каскада приходится увеличивать полное сопротивление нагрузки. Но по мере увеличения этого сопротивления усиливается вредное шунтирующее действие внешних паразитных емкостей См схемы, которое приводит к ухудшению частотных свойств усилителя. Отсюда ясно, что при разработке экономичных усилителей особое значение имеет качество выполнения монтажа схемы. [11]
Часто говорят о крутизне транзистора, и мы еще будем иметь случай более детально рассмотреть это понятие. [12]
Задача 1.42. Чему равна крутизна транзистора, рассмотренного в задаче 1.41, при U3H - l В. [13]
 |
Операции умножения. [14] |
В умножителях на основе переменной крутизны транзистора используется прямо пропорциональная зависимость между коэффициентом усиления - крутизной транзистора - и током коллектора. [15]
Страницы: 1 2 3 4