Крутизна - транзистор
Cтраница 2
При снижении коллекторного тока / крутизна транзистора S0 уменьшается и, следовательно, сопротивление 3мин возрастает. Поэтому при стабилизации экономичных каскадов усиления по методу оптимальной проводимости источника сигнала необходимо увеличивать стабильность их режима работы. [16]
Наименьшим изменениям во времени подвержена крутизна транзистора S - до 5 % от начального значения. Наибольшим изменениям подвержены обратный ток коллектора IKQ и шумовые показатели транзистора. Значение / ко в первые 1000 часов возрастает в 2 - - 3 раза и примерно на 10 - - 20 % в каждые следующие 1000 часов. При этом, если параметры S и g могут изменяться со временем как в ту, так и в другую сторону от их среднего значения, то / ко, как правило, только увеличивается. Внутренние шумы транзистора обычно возрастают со временем, причем у некоторых транзисторов наблюдается непрерывное ухудшение шумовых показателей, что делает невозможным их использование в чувствительной схеме. [17]
Коэффициент петлевого усиления генератора пропорционален крутизне используемых транзисторов. Он может регулироваться в определенных границах путем изменения тока эмиттеров. Так как транзисторы работают при UCB 0, то амплитуда выходного сигнала не превышает величины порядка 0 5 В. [19]
 |
Осциллограмма, иллюстрирующая зависимость кратковременной нестабильности ( время измерения 1 мс от добротности. [20] |
На высоких частотах, если фаза крутизны транзистора Ф8 40, необходимо включать в схему фазовращательную цепочку, состоящую из емкости Сф, входного сопротивления транзистора или индуктивности, включенной параллельно участку база-эмиттер, что улучшает условия самовозбуждения автогенератора и исключает возможность генерирования паразитных колебаний. [21]
 |
Схемы каскадов на полевых транзисторах с общим стоком и общим истоком с учетом межэлектродных емкостей. [22] |
Динамические характеристики каскадов на полевых транзисторах определяются крутизной транзисторов, емкостями затвор - сток, затвор - исток, сток - исток. [23]
Чем меньше т, тем на большей частоте w крутизна транзистора уменьшается в определенное число раз - тем меньше его инерционность. [24]
Формула (12.3) показывает, что эквивалентная емкость зависит только от крутизны транзистора и рабочей частоты. [25]
Заданная величина максимальной скорости переключения триггера позволяет предъявить требования к крутизне транзисторов: S k ( E - i / зи пор), которая, как известно, зависит от напряжения на затворе, в данном случае равном напряжению питания схемы. Таким образом, по формуле (5.59) оценивается максимальная величина S, что позволяет рассчитать оптимальное с точки зрения быстродействия сопротивление RonT резистора в стоковой цепи. [26]
Емкость транзистора С12 превышает емкость лампы в сотни раз, а крутизна транзистора S0 превышает крутизну 5 лампы в 10 - 20 раз. Поэтому при прочих равных условиях устойчивое усиление транзисторного каскада примерно в 5 - 6 раз меньше устойчивого усиления лампового каскада. [27]
В стационарном режиме работы генератора установление амплитуды происходит за счет изменения крутизны транзистора с ростом амплитуды колебаний. [28]
Из-за повышенного числа дефектов в эпитаксиальной пленке подвижность носителей, а значит, и крутизна транзисторов на сапфировых подложках меньше, чем на кремниевых. Они имеют большие токи в закрытом состоянии. Дополнительные токи утечки протекают вдоль границы раздела кремний-сапфир. Токи термогенерации р-п переходов также большие из-за повышенного числа центров генерации в эпитаксиальной пленке. [29]
Сэп - собственная ( барьерная) емкость эмиттерного перехода; ш - граничная частота по крутизне внутреннего транзистора. [30]
Страницы: 1 2 3 4