Крутизна - транзистор
Cтраница 3
В умножителях на основе переменной крутизны транзистора используется прямо пропорциональная зависимость между коэффициентом усиления - крутизной транзистора - и током коллектора. [31]
Благодаря тому, что канал не соприкасается с поверхностью полупроводника, снижается уровень шумов, увеличивается подвижность дырок в канале и крутизна транзистора. Контактная га - область затвора, как и коллекторная контактная область биполярного транзистора, используется для создания омического контакта к более высоко-омному эпитаксиальному слою га-типа. Скрытый слой га - типа в структуре полевого транзистора необходим для уменьшения сопротивления области затвора и улучшения его частотных характеристик. [32]
В составном транзисторе рис. 2.19 а автоматически устанавливается такой режим работы, при котором эмиттерный ток транзистора Т равен току базы транзистора 7Y При таком малом токе эмиттера крутизна Si транзистора 7 может недопустимо уменьшиться. Изменяя его сопротивление, можно установить любой режим работы транзистора Т, необходимый для получения нужной величины крутизны. Нижнее сопротивление резистора R ограничивается допустимым влиянием его на входное сопротивление схемы. [33]
Основным достоинством данного способа симметрирования является то, что выравнивание режима работы транзисторов происходит без заметного уменьшения кпд и усиления каскада по мощности, так как балансировка токов происходит по среднему значению крутизны транзисторов. В усилителе рис. 5.7, в отличие от схемы рис. 5.6, не теряется напряжение подводимого сигнала на симметрирующей эмиттерной цепочке. Кроме того, как показано ниже, усилитель рис. 5.7 характеризуется высокой стабильностью и малой чувствительностью к изменению температуры внешней среды. [34]
Из этого соотношения следует, что глубина паразитной обратной связи, обусловленная омическим сопротивлением электролитического конденсатора в эмиттерной цепи, определяется величиной Sr. Поскольку крутизна транзистора в типовом режиме работы может составлять сотни миллиампер на вольт, то даже сопротивление г величиной в несколько ом создает заметную остаточную обратную связь. [35]
Это позволяет применять эмиттерный повторитель в качестве согласующего звена между высокоомным источником сигнала и низ-коомной нагрузкой. При повышений частоты крутизна транзистора начинает уменьшаться, что приводит к снижению коэффициента усиления из-за частотных искажений, определяемых инерционными свойствами транзистора. [36]
Обрати внимание, что большую часть этой кривой составляет прямолинейный участок. Кривая позволяет определить крутизну транзистора. [38]
Последнее выражение и определяет условия, при которых коэффициент у ь ления не зависит от температуры. Из этого условия следует, что температурные зависимости крутизны транзисторов должны иметь одинаковый характер и противоположный знак. Разработка и получение транзисторов с противоположными температурными коэффициентами является в настоящее время очень сложной задачей. [39]
Вторая кривая действительно очень показательна. Она, в частности, показывает нам, что крутизна транзистора далеко не постоянна и изменяется в зависимости от величины напряжения. [41]
При наличии сигнала кроме смещения Е0 на базы и затворы регулируемых транзисторов подается напряжение АРУ UАРУ, зависящее от амплитуды несущего колебания на входе детектора. При этом чем сильнее сигнал, тем больше уменьшается крутизна транзистора и тем меньше коэффициент усиления регулируемых каскадов. [42]
 |
Симметрирование параллельно включенных транзисторов с помощью эмиттерных резисторов. [43] |
Крутизна транзистора и коэффициент усиления каскада с отрицательной обратной связью уменьшаются в у - 1 мин э 1 6 - 0 54 раза и, следовательно, минимальное значение крутизны SOCMHH составит 1 5 а / в. При работе в режиме класса В параллельно включенных транзисторов разброс выходных мощностей обусловлен не только различием крутизн транзисторов, но и разницей их напряжений отпи рания. Поскольку включением эмит-терного резистора в каскаде создается отрицательная обратная связь, TQ она пропорционально уменьшает и действие этого дестабилизирующего фактора. [44]
Схема 5 - 2 представляет собой простой модулятор сигнала низкого уровня, применяемый в первых каскадах передатчика радиочастоты. Модуляция осуществляется подведением к эмиттерной иепи сигнала звуковой частоты, который изменяет мгновенное значение напряжения эмиттер-база, модулируя крутизну транзистора. [45]
Страницы: 1 2 3 4