Интерференционная линия

Cтраница 2

Каждой точке интерференционной линии соответствует определенная точка отражающего контура на поверхности кристалла, так что псевдокосселева линия дает представление о локальном строении кристалла вдоль отражающего контура. Структура рекристаллизо-ванного аустенита характеризуется низким уровнем искажений кристаллической решетки. [16]

Изменения ширины интерференционных линий а-и у-фазы, количества аустенита в процессе трения ( рис. 54) показывают, что внезапное образование задира сопровождается увеличением ширины линий у-фазы и резким уменьшением количества у-фазы на участке задира. [17]

Брегту-Брентано по интерференционным линиям, полученным от ГПУ решеток титана и y - Fe с индексами Миллера ( 3 030) и ( 311) соответственно. [18]

Схема интерференцией - Где т - время сдувания. X - длина ВОЛНЫ ной картины получаемой при монохроматического света. Их - коэффи. [19]

В этом случае интерференционные линии, как известно, будут представлять собой параллельные прямые линии, расположенные на равных расстояниях друг от друга перпендикулярно к направлению сдувания. [20]

Если две системы интерференционных линий сближаются друг с другом при уменьшении разности АЯ, то они в конце концов сольются. Две интерференционные полосы еще можно разрешить, если их профиль интенсивности пересекается в точке, где интенсивность равна половине максимальной. [21]

Уровень изменения полуширины интерференционных линий в процессе старения существенным образом зависит от степени предварительной деформации сжатием. Так, при увеличении степени деформации сжатием от 0 2 до 5 % величина микронапряжений повышается. [22]

Кривые распределения интенсивности интерференционных линий покрытий в исходном состоянии в большей или меньшей степени размыты, что характерно либо для весьма мелкодисперсной структуры, либо в случае сильного деформирования кристаллических решеток. [23]

Следовательно, на рентгенограмме интерференционные линии располагаются в порядке возрастания суммы квадратов индексов отражающих плоскостей. [24]

Зависимость среднего размера е блоков мозаики и микроискажений Да / а кристаллической решетки в слоях различной толщины меди от времени испытания при трении. [25]

Дополнительно анализировали изменение интенсивности интерференционных линий. [26]

Изучение характера изменения полуширины интерференционных линий ( 20) и ( 311) после старения сталей Х18Н10Т и ОХ18Н10Ш в течение 10, 100 и 1000 ч ( рис. 159, а, б) свидетельствует о том, что увеличение микронапряжений в обеих сталях происходит во время первых 10 ч изотермической выдержки при 650 С, причем в стали Х18Н10Т этот процесс протекает более интенсивно. [27]

Изменение ширины интерференционных линий меди по глубине образцов t после трения в течение 0 5 ч ( 1 и 35 5 ч ( 2. [28]

Видно, что ширина интерференционных линий по глубине образцов сильно изменяется - примерно в 3 раза. При этом в самых тонких поверхностных слоях образца, который испытывался на трение в течение небольшого времени, наблюдается высокая степень искажения структуры. На рис. 5 показано изменение ширины р зп), которое происходит в поверхностных слоях различной толщины, в зависимости от времени испытания. В самом начале трения ( 5 мин) ширина линии определяется, очевидно, величиной давления, которое вызывает изменения структуры предварительно отожженного металла. В слое 0 3 мкм ширина линии с течением времени испытания падает. [29]

Предел выносливости образцов из сплава ВТЗ-1 на воздухе [ с учетом остаточных растягивающих напряжений, возникающих после шлифовки. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5