Cтраница 1
![]() |
Параметры элементарных ячеек полиморфных модификаций целлюлозы. [1] |
Слоевые линии на рентгенограмме целлюлозы слишком слабы для того, чтобы предполагать случайную полярность сдвига. Кроме того, интенсивность рефлексов измеряется с меньшей точностью и порог их наблюдения выше. [2]
Слоевые линии в этом случае представляют собой горизонтальные линии, параллельные экватору. [3]
![]() |
Узлы обратной решетки HKL.| Схемы обратной решетки и электронограмм косой текстуры. [4] |
Слоевые линии должны быть на электронограммах текстур кристаллов высшей и средних сингоний, ориентированных главными и побочными осями перпендикулярно подложке, а также на электронограммах ромбических кристаллов, лежащих координатной гранью параллельно подложке, и на электронограммах моноклинных кристаллов, у которых грань ( 010) параллельна подложке и, следовательно, имеется сь Ъ ( и Ь перпендикулярно подложке. [5]
![]() |
Схема рентгеносъемки по методу вращения ( а и рентгенограмма вращения монокристалла кварца вокруг оси с ( б. [6] |
Каждая слоевая линия на рентгенограмме вращения представляет собой отображение плоскости обратной решетки кристалла, перпендикулярной к оси вращения, на цилиндрическую поверхность. [7]
Эта слоевая линия разворачивается на плоскость. [9]
Положение слоевых линий на рентгенограмме определяет растворы дифракционных конусов, коаксиальных оси вращения кристалла, а следовательно ( через соответствующее условие Лауэ), и период повторяемости в узловых рядах, параллельных оси вращения. [10]
Индексация слоевых линий такой структуры приводит к тому, что первый рефлекс на меридиане относят к 18-му слою. Небольшое изменение наклона приводит к существенным изменениям, которых следует ожидать для значений Z. Спираль, в которой на один виток укладывается 3 61 аминокислотных остатка, дала бы структуру, в которой 65 остатков повторялись бы через 18 витков, занимающих расстояние 97 5 А. [11]
![]() |
Область обратной решетки, участвующая в формировании дифракционной картины при съемке рентгенограммы вращения. [12] |
Происхождение слоевых линий I и II рода становится понятным при использовании представлений об обратной решетке и сфере отражения. Эти представления существенно облегчают индицирование рентгенограммы. [13]
Пятна неэкваториальных слоевых линий создаются плоскостями, наклоненными по отношению к оси вращения. Если такая плоскость в некоторый момент времени отражает и дает пятно в верхней части рентгенограммы, то после поворота кристалла на 180 она снова будет в отражающем положении, но луч будет направлен в нижнюю часть рентгенограммы. Возникает новое пятно, расположенное симметрично первому по отношению к средней горизонтальной линии рентгенограммы. [14]
На других слоевых линиях находится очень малое количество рефлексов, и поэтому координата г определяется весьма приблизительно. [15]