Cтраница 4
На обеих фотографиях отчетливо видны слоевые линии и можно легко установить различные параметры ячейки в двух направлениях. [46]
![]() |
Иллюстрация симметрии рентгенограммы вращения при помощи обратной решетки и сферы отражения. [47] |
Простейшим типом интерференционных кривых являются сами слоевые линии. Индексы пятен, расположенных на них, подчиняются следующему условию. [48]
Для того чтобы развернуть пятна слоевой линии на всю плоскость пленки, необходимо ввести два существенных видоизменения в схему прибора. Во-первых, требуется выделить один дифракционный конус лучей - загородить пленку при помощи ширмы от лучей, дающих пятна на других слоевых линиях. Во-вторых, следует ввести механизм, который позволил бы осуществить перемещение пленки, синхронное с вращением кристалла. [49]
Так осуществляется образование второй системы слоевых линий, параллельных оси волокна. Последние обычно недостаточно четко видны на фотографиях, поскольку определенное число дифракционных пятен вообще исчезает вследствие влияния структурного фактора. [50]
Существует определенная взаимосвязь между обозначениями слоевых линий на рентгенограмме и индексами пятен, расположенных на ней. [51]
![]() |
Приспособление для индицирования ненулевых слоевых линий. а - прозрачный круг со значениями. j / j. б - тот же круг с наклеенным на него бумажным сечением сферы отражения. [52] |
Пользоваться картонными кругами при индицировании ненулевых слоевых линий неудобно. [53]
При измерении дифракционного отражения для определенной слоевой линии взаимное положение счетчика и дифракционного луча определяется двумя углами: j и Y-Первый угол определяет вращение кристалла относительно оси шпинделя ( нулевое положение произвольно, обычно его выбирают таким, чтобы ось обратной решетки была параллельна падающему пучку), а второй угол - положение счетчика на конусе отражений; он отсчитывается от плоскости, в которой находятся пучок и ось вращения кристалла. Угол j есть мера горизонтального расстояния. [54]
В результате этого при рентгеносъемке ненулевой слоевой линии с большими значениями п существует слепая область, точки которой не отображаются на рентгенограмме. [55]
Балашов и Престон [55] обнаружили очень слабую седьмую слоевую линию на электро-нограмме этого материала. Кроме целлюлозы Valonia Престон [56] исследовал другие морские водоросли, такие, как Chladophora и Chaetomorpha. Данные электронной микроскопии и дифракции электронов при облучении небольшой поверхности образца свидетельствуют о том, что эти образцы эуцеллюлозы содержат широкие, прямые, хорошо ориентированные микрофибриллы, которые фактически являются монокристаллами. Отчетливые электронограммы можно получить при использовании атомов тяжелых металлов, которые образуют так называемый двумерный монослой ионов на части поверхности микрофибрилл, макромолекулы которых состоят из ангидроглюкозных звеньев, но эти электронограммы могут быть обусловлены комплексами с ксиланом или маннаном, а не с глюкозой. [56]
Геометрия расположения пятен на серии разверток слоевых линий дает возможность определить симметрию трехмерной решетки - пространственную группу. Интенсивность каждого отражении определяется по плотности почернения соответствующего ему пятна на рентгенограмме. Набор ин-теисявностей отражений / ш с указанием индекса отражающей плоскости ( Ш) - основной экспериментальный материал, позволяющий, как мы уже смогли убедиться, выявить расположение атомов в решетке. [57]
Общий порядок расчета n - ой слоевой линии следующий. [58]
Последовательность регистрации различных отражений в пределах данной слоевой линии может быть различной. [59]
В некоторых случаях отражения расположены на слоевых линиях, перпендикулярных оси вращения. [60]