Слоевая линия

Cтраница 2

По положению слоевых линий был рассчитан период идентичности с 6 50 А. [16]

По положению слоевых линий был рассчитан период идентичности с - 6 50 А. [17]

Периоды чередования радиационно окрашенных слоевых линий в кристаллах, выращенных как в малогабаритных лабораторных автоклавах ( до 1 л), так и в кристаллизаторах большой вместимости, приблизительно одного порядка. Это свидетельствует о том, что увеличение объема сосудов при сохранении существующих систем регулирования электрообогрева и теплообмена не обеспечивает стабильных условий для роста кристаллов. [18]

При развертке ненулевой слоевой линии поворота кристалла на 180 недостаточно для получения полного изображения соответствующей сетки. В средней части заштрихованной области показана зигзагообразная кривая roqopqr, верхняя и нижняя ветви которой, обращенные в противоположные стороны, эквивалентны друг другу. Аналогично прямой В0 Ао 0, расположенной вдоль левого края нижней половинки, отвечает кривая О А В - на верхней. Следовательно, весь прямоугольник ОВ0В0 0 равноценен участку ОАВВ А О верхней половины. Реальные края рентгенограммы ( отвечающие повороту на 180 - 190) показаны пунктирной линией. Незаштрихованная область 5 верхней половины рентгенограммой не охватывается. [19]

Расстояние между слоевыми линиями зависит от длины волны: чем больше К, тем больше и уп. Пятна, создаваемые р-лучами, ложатся на самостоятельные слоевые линии, расстояния между которыми несколько меньше, чем расстояния между соответствующими линиями а-пятен. Это обстоятельство в совокупности с малой интенсивностью р-пятен позволяет легко отличать на рентгенограмме а - и р-пятна. Поэтому фильтры и монохроматоры в методе вращения ( и во всех его разновидностях) применяются сравнительно редко. Лишь в отношении пятен, расположенных на нулевой слоевой линии, общей для а - и р-излучений, может возникнуть недоразумение при расшифровке рентгенограммы. [20]

Расстояние между слоевыми линиями рентгенограммы. [21]

Расстояния между слоевыми линиями зависят от углов раствора дифракционных конусов. Последние же, как мы знаем, определяются величиной периода повторения в ряде, идущем - по оси конусов. Таким образом, расстояние между слоевыми линиями определяется периодом идентичности кристалла вдоль оси вращения. [22]

Схема к определению периода идентичности вдоль оси вращения кристалла. [23]

Расстояние между слоевыми линиями Ln является функцией периода идентичности атомного ряда, расположенного вдоль оси вращения кристалла. [24]

Расстояние между слоевыми линиями рентгенограммы вращения зависит не только от периода идентичности в кристалле вдоль оси вращения и длины волны лучей, но и от того, под каким углом к оси вращения падает первичный пучок ( см. формулу ( 27, II) на стр. На рис. 226, а первичный пучок образует угол ц - 0 с плоскостью, перпендикулярной оси вращения. [25]

На основании ширины слоевых линий можно грубо оценить число элементарных ячеек в кристаллических областях в направлении оси волокна. [26]

Межатомные расстояния и валентные углы в молекуле этилксан. [27]

Получены развертки пяти слоевых линий по оси а. Интенсивности рефлексов оценивались визуально по маркам почернения. [28]

Каждое пятно на слоевой линии возникает от набора плоскостей в кристалле, которому соответствует определенный узел в пространстве обратной решетки. [29]

Можно подсчитать число слоевых линий, которые подлежат измерениям; поскольку соответствующие сечения обратной решетки должны пересекать сферу отражений, их число будет функцией длины волны излучения и межплоскостного расстояния плоскостей обратной решетки, перпендикулярных оси вращения. [30]

Страницы: 1 2 3 4