Рентгеновская литография

Cтраница 1

Рентгеновская литография использует мягкое рентгеновское излучение с длиной волны около 1 нм. Так как фокусирующих систем для него не существует, то литография является контактной. Пластины покрывают слоем резиста, чувствительного к рентгеновскому излучению. Во избежание повреждения поверхностей пластины и шаблона при экспонировании между ними оставляют зазор толщиной около 10 мкм. [1]

Рентгеновская литография - новый высокоразрешаю-щнй процесс воспроизведения изображения. [2]

Основными элементами шаблона для рентгеновской литографии является подложка, хорошо пропускающая рентгеновские лучи, и нанесенная на ее поверхность тонкая пленка материала, сильно поглощающего рентгеновское излучение. Известно, что степень поглощения рентгеновского излучения зависит от длины волны. При Я0 005 мкм ( мягкое рентгеновское излучение) лучи активно будут поглощаться материалом основания ( подложкой) шаблона. При этом требуется очень высокая стабильность размеров элементов шаблона при изменении температуры, растяжении и воздействии влаги. [3]

Весьма перспективными являются исследования в области рентгеновской литографии, которая отличается от электронно-лучевой литографии меньшей стоимостью процесса и простотой оборудования. Для экспонирования используют мягкие рентгеновские лучи, которые получаются при бомбардировке электронами молибденовой, алюминиевой или медной мишеней. Соответствующие длины волн рентгеновских лучей равны 5 4; 8 3 и 13 3 А. На позитивном резисте полиметилметакрилате получены линии шириной 0 2 мкм. [4]

По характеру экспонирующего излучения выделяют фотолитографию, рентгеновскую литографию, электро-нолитографию и ионолитографию. Для фотолитографии наиб, критична длина волны X излучения. [5]

Чувствительность резистов к электронному ( 20 кВ и рентгеновскому излучению. [6]

В большинстве случаев резисты, созданные для электронной литографии, не удовлетворяют требованиям, предъявляемым к ре-зистам для рентгеновской литографии. [7]

Эволюция основных показателей микроэлектронной технологии ( диаметр полупроводникового диска, площадь поверхности кристалла, ширина элементарной структуры и степень интеграции через интервалы в 10 лет. Цифровые данные-ориентировочные. ( Масштаб выдержан только в горизонтальном направлении. [8]

В настоящее время наряду с работами по развитию рентгеновской, ионной и электронной литографии предпринимаются шаги, направленные на более полное использование всех возможностей фотолитографии. В рентгеновской литографии источником излучения служит электронный синхротрон, который был создан для исследований в области ядерной физики. Совершенно иным подходом к решению проблемы размеров структур характеризуется созданная некоторое время назад так называемая технология вертикальных МОП-структур. Определение вертикальные означает, что направление канала МОП-транзистора, обычно расположенного в горизонтальной плоскости кристалла, в соответствии с этой технологией изменяется на вертикальное. [9]

Материалы для удаления фоторезистов. [10]

Перспективным источником излучения в литографии являются рентгеновские лучи. Уровень излучения источников при рентгеновской литографии могут давать дозу облучения в 50 миллизивертов ( 5 бэр) за год в середине оборудования. [11]

Такие пластинки изготавливают с помощью рентгеновской литографии. [12]

Так, разработка и широкое внедрение процессов электронно-лучевой и рентгеновской литографии, ионно-плазменного травления и очистки, методов ионной имплантации значительно приблизили к теоретическим пределам геометрические размеры элементов и электрические параметры ИС. [13]

Геометрия экспонирования рентгеновскими лучами. [14]

Преимущества отдельных литографических систем можно рассматривать в соответствии с рядом критериев [62]: разрешение, которое может быть получено, производительность, капитальные и эксплуатационные расходы, занимаемая площадь. В ряду всех известных литографических систем, дающих субмикронное разрешение, рентгеновская литография наиболее предпочтительна. При этой оценке, однако, не рассматривается ряд проблем, возникающих при изготовлении масок для рентгеновской литографии. [15]

Страницы: 1 2 3