Cтраница 3
Пленки, осаждаемые из паровой фазы на аморфные подложки, обычно имеют поликристаллическую структуру. Недавно Смитом и др. [11, 12] было установлено, что при создании на аморфных подложках ( в данном случае из SiO2) поверхностного рельефа в виде регулярно расположенных штрихов с определенным периодом и профилем в осажденных текстурированных пленках ( рассматривались пленки Si), которые повторяют рельеф подложки, в результате рекристаллизации под действием лазерного излучения ( 6 Вт) зерна приобретают преимущественную ориентацию. При этом направление выделенной оси текстуры совпадает с направлением штрихов. Согласно результатам, полученным исследовательской группой лаборатории им. Линкольна, расстояние между штрихами не должно быть больше характерного размера зерен осаждаемой пленки. При создании методом фотолитографии на подложке из SiCb, покрытой слоем хрома, микрорельефа с периодом 3 8 мкм и профилем квадратной формы у пленок кремния толщиной 500 нм, получаемых методом химического осаждения из паровой фазы, кристаллографическая плоскость ( 100) параллельна подложке, а направления 001 параллельны направлению штрихов. Метод графоэпитаксии пока представляет лишь академический интерес, и вопрос о направлениях его практического применения остается открытым, тем не менее он привлекает внимание возможностью получения для солнечных элементов кристаллических пленок большой площади путем осаждения паров кремния на аморфные подложки из углерода и других: электропроводящих материалов с поверхностным рельефом, создаваемым методом рентгеновской литографии. [31]