Ловушка - захват
Cтраница 1
 |
Изменение избыточной концентрации носителей заряда в полупроводнике при его освещении. [1] |
Ловушки захвата могут существенно увеличить кажущееся время жизни носителей. Так, захваченный неосновной носитель заряда перестает участвовать в процессе электропроводности. Однако до тех пор, пока этот неосновной носитель находится в ловушке захвата, основной носитель не может с ним рекомбинировать и, следовательно, участвует в процессе электропроводности. Рекомбинация происходит только после освобождения неосновного носителя из ловушки. Если время, в течение которого неосновной носитель находится в ловушке захвата, достаточно велико, то и время, в течение которого неравновесные носители исчезают, будет значительно больше времени жизни. [2]
Ловушки захвата и рекомбинации представляют собой разные по природе дефекты поверхности, причем ловушек захвата количественно больше. [3]
Если концентрация ловушек захвата не мала, то концентрация электронов ( дырок), захваченных ловушками А / г3, составляет значительную часть. Неравенство избыточных концентраций электронов и дырок ведет к неравенству времени жизни неравновесных электронов и дырок. [4]
Предположим, что концентрация ловушек захвата мала. [5]
Если время нахождения носителя в ловушке захвата велико или велика концентрация ловушек захвата, то эффективное время жизни носителя заряда может оказаться значительно больше действительного времени жизни, так как находящийся в ловушке захвата носитель не может в это время рекомбинировать. [6]
Если время нахождения носителя в ловушке захвата велико или велика концентрация ловушек захвата, то эффективное время жизни носителя заряда может оказаться значительно больше действительного времени жизни, так как находящийся в ловушке захвата носитель не может в это время рекомби-нировать. Рекомбинация возможна только после ионизации ловушки захвата или после освобождения носителя заряда. [8]
 |
Световая характеристика фоторезистора. [9] |
Вследствие смещения демаркационных уровней часть уровней ловушек захвата становится уровнями рекомбинационных ловушек. С ростом концентрации рекомбинационных ловушек уменьшается время жизни носителей заряда, что и является первой причиной сублинейности световой характеристики. Закономерности возрастания фототока от освещенности различны у различных фоторезисторов и определяются концентрацией тех или иных примесей в полупроводнике и распределением примесных уровней по запрещенной зоне энергетической диаграммы полупроводника. [10]
С повышением температуры возрастает вероятность ионизации ловушек захвата, что означает более быстрое их опустошение и уменьшение постоянных времени. [11]
Вследствие смещения демаркационных уровней часть уровней ловушек захвата становится уровнями рекомбинационных ловушек. С ростом концентрации рекомбинационных ловушек уменьшается время жизни носителей заряда, что и является первой причиной сублинейности световой характеристики. Закономерности возрастания фототока от освещенности различны у различных фоторезисторов и определяются концентрацией тех или иных примесей в полупроводнике и распределением примесных уровней по запрещенной зоне энергетической диаграммы полупроводника. [12]
С повышением температуры возрастает вероятность ионизации ловушек захвата, что означает более быстрое их опустошение и уменьшение постоянных времени. [13]
 |
Световая характеристика фоторезистора ФСК-1. [14] |
Вследствие смещения демаркационных уровней часть уровней ловушек захвата становится уровнями рекомбинационных ловушек. С ростом концентрации рекомбинационных ловушек уменьшается время жизни носителей заряда, что и является первой причиной сублинейности световой характеристики. Закономерности возрастания фототока от освещенности различны у различных фоторезисторов и определяются концентрацией тех или иных примесей в полупроводнике и распределением примесных уровней по запрещенной зоне энергетической диаграммы полупроводника. [15]
Страницы: 1 2 3 4